一种双层PiN二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种双层PiN二极管(10)，包括：衬底(101)；第一P区(102)及第一N区(103)，设置于所述衬底(101)内并位于所述衬底(101)的两侧；第二P区(104)及第二N区(105)，设置于所述衬底(101)内并位于所述衬底(101)的两侧且分别位于所述第一P区(102)及所述第一N区(103)的下侧。本实用新型专利技术采用两层有源区设计，在加直流偏压时，本征区内的载流子分布更加均匀，极大地改善了器件性能。

A double layer PiN diode

The utility model relates to a double-layer PiN diode includes a substrate (10), (101); the first P region (102) and N (103), the first area is arranged on the substrate (101) and in the substrate (101) on both sides; second P region (104) and two N (105), arranged on the substrate (101) and in the substrate (101) and are located on both sides of the first P region (102) and the first N region (103) of the side. The utility model is designed by two layers of active region. When the DC bias is added, the carrier distribution in the intrinsic area is more uniform, and the performance of the device is greatly improved.

【技术实现步骤摘要】
一种双层PiN二极管
本技术涉及集成电路技术及微波天线领域，特别涉及一种双层PiN二极管。
技术介绍
近年来，研究天线宽频带、小型化、以及重构与复用的理论日趋活跃。在这种背景下，研究人员提出了一种新型天线概念-等离子体天线，该天线是一种将等离子体作为电磁辐射导向媒质的射频天线。等离子体天线的可利用改变等离子体密度来改变天线的瞬时带宽、且具有大的动态范围；还可以通过改变等离子体谐振、阻抗以及密度等，调整天线的频率、波束宽度、功率、增益和方向性动态参数；另外，等离子体天线在没有激发的状态下，雷达散射截面可以忽略不计，而天线仅在通信发送或接收的短时间内激发，提高了天线的隐蔽性，这些性质可广泛的应用于各种侦察、预警和对抗雷达，星载、机载和导弹天线，微波成像天线，高信噪比的微波通信天线等领域，极大地引起了国内外研究人员的关注，成为了天线研究领域的热点。但是当前绝大多数的研究只限于气态等离子体天线，对固态等离子体天线的研究几乎还是空白。而固态等离子体一般存在于半导体器件中，无需像气态等离子那样用介质管包裹，具有更好的安全性和稳定性。横向PiN二极管是产生固态等离子体的重要半导体器件。经理论研究发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双层PiN二极管(10)，其特征在于，包括：衬底(101)；第一P区(102)及第一N区(103)，设置于所述衬底(101)内并位于所述衬底(101)的两侧；第二P区(104)及第二N区(105)，设置于所述衬底(101)内并位于所述衬底(101)的两侧且分别位于所述第一P区(102)及所述第一N区(103)的下侧。

【技术特征摘要】
1.一种双层PiN二极管(10)，其特征在于，包括：衬底(101)；第一P区(102)及第一N区(103)，设置于所述衬底(101)内并位于所述衬底(101)的两侧；第二P区(104)及第二N区(105)，设置于所述衬底(101)内并位于所述衬底(101)的两侧且分别位于所述第一P区(102)及所述第一N区(103)的下侧。2.根据权利要求1所述的双层PiN二极管(10)，其特征在于，所述衬底(101)为P型SOI材料；其中，顶层Si的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61