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本实用新型涉及一种双层PiN二极管(10)，包括：衬底(101)；第一P区(102)及第一N区(103)，设置于所述衬底(101)内并位于所述衬底(101)的两侧；第二P区(104)及第二N区(105)，设置于所述衬底(101)内并位于所述...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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