人脸识别芯片的封装结构制造技术

技术编号:17685011 阅读:40 留言:0更新日期:2018-04-12 05:19
本实用新型专利技术提供一种人脸识别芯片的封装结构,包括:重新布线层,其第一面具有凸点下金属及金属凸块;人脸识别芯片,装设于重新布线层的第二面上,实现导线与重新布线层的电性连接;玻璃盖板,封装于所述人脸识别芯片上;导线,连接于人脸识别芯片的焊盘及重新布线层;封装材料,包围于所述人脸识别芯片、导线以及所述玻璃盖板四周,且露出所述玻璃盖板。本实用新型专利技术采用封装材料包围式的封装人脸识别芯片,具有较强的机械性能;结构较简单,可有效降低封装的成本;本实用新型专利技术的人脸识别芯片创新的采用扇出型封装结构,封装密度高,可有效降低封装体积。

【技术实现步骤摘要】
人脸识别芯片的封装结构
本技术涉及一种半导体封装结构,特别是涉及一种人脸识别芯片的封装结构。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高,以及新型的集成电路出现,封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色,在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时,随着集成电路特征尺寸达到纳米级,晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展,封装也向更高密度的方向发展。由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点,以及具有更好的性能和更高的能源效率,扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法,是目前最具发展前景的封装技术之一。人脸识别,特指利用分析比较人脸视觉特征信息进行身份鉴别的计算机技术。人脸识别是用摄像机或摄像头采集含有人脸的图像或视频流,并自动在图像中检测和跟踪人脸,进而对检测到的人脸进行脸部的一系列相关技术。人脸识别的优势在于其自然性和不被被测个体察觉的特点。所谓自然性,是指该识别方式同人类(甚至其他生物)进行个体识别时所利用的生物特征相同。例如人脸识别,人类也是通过观察比较人脸区分和确认身份的,另外具有自然性的识别还有语音识别、体形识别等,而指纹识别、虹膜识别等都不具有自然性,因为人类或者其他生物并不通过此类生物特征区别个体。不被察觉的特点对于一种识别方法也很重要,这会使该识别方法不令人反感,并且因为不容易引起人的注意而不容易被欺骗。人脸识别具有这方面的特点,它完全利用可见光获取人脸图像信息,而不同于指纹识别或者虹膜识别,需要利用电子压力传感器采集指纹,或者利用红外线采集虹膜图像,这些特殊的采集方式很容易被人察觉,从而更有可能被伪装欺骗。人脸识别主要用于身份识别。由于视频监控正在快速普及,众多的视频监控应用迫切需要一种远距离、用户非配合状态下的快速身份识别技术,以求远距离快速确认人员身份,实现智能预警。人脸识别技术无疑是最佳的选择,采用快速人脸检测技术可以从监控视频图像中实时查找人脸,并与人脸数据库进行实时比对,从而实现快速身份识别。现有的一种人脸识别芯片的封装结构如图1所示,其主要包括第一玻璃板101、具有识别区域110的人脸识别芯片104,所述人脸识别芯片104通过键合层102封装形成封装腔103,所述人脸识别芯片104上封装有第二玻璃板109,所述人脸识别侧壁依次形成有聚合物105、导电结构106以及绝缘结构107,所述导电结构将所述人脸识别芯片104进行电性引出至第二玻璃板109的表面,所述第二玻璃板上形成有与所述导电结构电性连接的焊球结构,以实现所述人脸识别芯片104的引出。上述的人脸识别芯片封装结构具有以下缺点:第一,采用上下两层玻璃盖板进行封装,封装结构的机械性能较差,芯片的耐用性能不佳;第二,封装结构较为复杂,封装的成本较高;第三,在制程过程中,需要多次对玻璃进行加工,如第二玻璃盖板109的腐蚀,以及后续切割工艺中,需要同时对所述第一玻璃盖板101以及第二玻璃盖板进行切割,玻璃加工难度高,导致工艺成本非常高。第四,对人脸识别芯片侧面的导电结构的保护较为薄弱,容易造成芯片失效。基于以上所述,提供一种工艺简单,低成本以及高机械强度的人脸识别芯片的封装结构及封装方法实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本技术的目的在于提供一种人脸识别芯片的封装结构及封装方法,用于解决现有技术中人脸识别芯片封装工艺复杂、成本高及机械强度较差的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本技术提供一种人脸识别芯片的封装结构,所述封装结构包括:重新布线层,包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块;人脸识别芯片,装设于所述重新布线层的第二面上,其中,所述人脸识别芯片的背面朝向于所述重新布线层;玻璃盖板,封装于所述人脸识别芯片上,形成封装腔,其中,所述人脸识别芯片的焊盘位于所述封装腔之外;导线,连接于所述人脸识别芯片的焊盘及所述重新布线层,以实现所述人脸识别芯片与所述重新布线层的电性连接;封装材料,包围于所述人脸识别芯片、所述导线以及所述玻璃盖板四周,且所述玻璃盖板露出于所述封装材料。优选地,所述重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。进一步地,所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。优选地,所述金属凸块包括铜柱、位于所述铜柱上表面的镍层、以及位于所述镍层上的焊料凸点。进一步地,所述金属阻挡层包括镍层,所述焊料凸点的材料包括铅、锡及银中的一种或包含上述任意一种焊料金属的合金。优选地,所述人脸识别芯片包括基底,形成于所述基底上的人脸识别区域以及形成于所述基底边缘区域的焊盘,所述焊盘与所述人脸识别区域电性连接,所述玻璃盖板封装于所述人脸识别芯片的基底,形成封装腔,其中,所述人脸识别芯片的焊盘位于所述封装腔之外。优选地,所述导线的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。优选地,所述封装材料的顶面与所述玻璃盖板的顶面持平。优选地,所述玻璃盖板基于金锡键合层封装于所述人脸识别芯片上,形成封装腔。优选地,所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。本技术还提供一种人脸识别芯片的封装方法,包括:1)提供一支撑衬底,于所述衬底表面形成分离层;2)于所述分离层上形成重新布线层,所述重新布线层包括朝向所述分离层的第一面以及与所述第一面相对的第二面;3)提供一人脸识别芯片,将所述人脸识别芯片装设于所述重新布线层上,其中,所述人脸识别芯片的背面朝向于所述重新布线层;4)于所述人脸识别芯片上封装玻璃盖板,形成封装腔,其中,所述人脸识别芯片的焊盘位于所述封装腔之外;5)通过焊线工艺制作导线,以实现所述人脸识别芯片的焊盘与所述重新布线层的电性连接;6)采用封装材料进行封装,所述玻璃盖板露出于所述封装材料;7)基于所述分离层分离所述支撑衬底与所述重新布线层,露出所述重新布线层的第一面;8)于所述重新布线层的第一面制作凸点下金属及金属凸块。优选地,所述支撑衬底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种;所述分离层包括胶带及聚合物层中的一种,所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑衬底表面,然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。优选地,步骤2)制作所述重新布线层包括步骤:2-1)采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺于所述分离层表面形成介质层,并对所述介质层进行刻蚀形成图形化的介质层;2-2)采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化介质层表面形成金属层,并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的金属布线层。优选地,所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。优选地,所述人脸识别芯片包括基底,形成于所述基底上的人脸识别区域以及形成于所述基底边缘区域的焊盘,所述焊盘与所述人脸识别区域电性连接,所述玻璃盖板封装于所述人脸识别芯片的基底,形成封装腔,其本文档来自技高网
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人脸识别芯片的封装结构

【技术保护点】
一种人脸识别芯片的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:重新布线层,包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块;人脸识别芯片,装设于所述重新布线层的第二面上,其中,所述人脸识别芯片的背面朝向于所述重新布线层;玻璃盖板,封装于所述人脸识别芯片上,形成封装腔,其中,所述人脸识别芯片的焊盘位于所述封装腔之外;导线,连接于所述人脸识别芯片的焊盘及所述重新布线层,以实现所述人脸识别芯片与所述重新布线层的电性连接;封装材料,包围于所述人脸识别芯片、所述导线以及所述玻璃盖板四周,且所述玻璃盖板露出于所述封装材料。

【技术特征摘要】
1.一种人脸识别芯片的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:重新布线层,包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块;人脸识别芯片,装设于所述重新布线层的第二面上,其中,所述人脸识别芯片的背面朝向于所述重新布线层;玻璃盖板,封装于所述人脸识别芯片上,形成封装腔,其中,所述人脸识别芯片的焊盘位于所述封装腔之外;导线,连接于所述人脸识别芯片的焊盘及所述重新布线层,以实现所述人脸识别芯片与所述重新布线层的电性连接;封装材料,包围于所述人脸识别芯片、所述导线以及所述玻璃盖板四周,且所述玻璃盖板露出于所述封装材料。2.根据权利要求1所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。3.根据权利要求1所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述金属凸块包括铜柱、位于所述铜柱上表面的金属阻挡层、以及位于所述金属阻挡层上的焊料凸点。4.根据权利要求3所述的人脸识别芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈彦亨林正忠
申请(专利权)人:中芯长电半导体江阴有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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