一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件及制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件及制备方法与应用，所述方法是通过掺硼的方式对TiO2进行改性并用于制备光助气敏元件，该方法条件温和，易于操作，制备的B/TiO2气敏元件在紫外光作用下显示出较佳的H2和CO的响应性能，并表现出良好的稳定性和重复性，有助于促进半导体光助气敏传感器的实际应用。

A light assisted gas sensing element for boron doped titanium dioxide and its preparation methods and Applications

The invention discloses a boron doped titanium dioxide photocatalytic gas sensor and preparation method and application of the method of TiO2 was modified by boron doping and the way for the preparation of photo sensitive element for gas, the method of mild conditions, easy operation, B/TiO2 gas sensor preparation showed a response the better performance of H2 and CO under UV irradiation, and showed good stability and reproducibility, help to promote the practical application of semiconductor photo assisted gas sensor.

【技术实现步骤摘要】
一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件及制备方法与应用
本专利技术属于气敏传感器
，具体涉及一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件及制备方法与应用。
技术介绍
随着工业的发展，环境问题也越来越严重，因此对空气中有毒、有害、易燃等气体的监测愈发重要。气敏传感器已经广泛应用于工业生产、家庭安全、环境检测、医疗卫生、石油化工等领域。半导体金属氧化物具有灵敏度高、响应时间短、成本较低、加工简便、无毒环保等优点，因此应用最广泛。目前，应用较多的气敏材料主要是n或p型的金属氧化物，例如：TiO2，ZnO，SnO2，WO3等。但是使用过程中也存在一些问题：稳定性较差，选择性较低，工作温度较高，耗能较大，存在安全问题，使用寿命不长，智能化较低等。因此需要开发新型的气敏传感器。因为半导体材料本身具有光吸收、光电导的特性，在一定波长的光照条件下会发生光响应产生光生电子，所以用光激发提高金属氧化物气敏传感器的灵敏度是一个崭新的思路。TiO2不仅具有良好的紫外光催化活性，并且对于特定气体具有良好的气敏特性，因此通过对TiO2材料进行改性，提高灵敏度、重复性和稳定性的研究具有一定的现实意义。H2作为一种清洁能源，具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件的制备方法，其特征在于：在搅拌条件下，将H3BO3溶液逐滴加入钛酸异丙酯中，搅拌均匀后烘干，所得物料煅烧得到B/TiO2粉末，然后通过滴覆法将B/TiO2粉末涂覆在金叉指电极片表面，然后焙烧得到硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件。

【技术特征摘要】
1.一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件的制备方法，其特征在于：在搅拌条件下，将H3BO3溶液逐滴加入钛酸异丙酯中，搅拌均匀后烘干，所得物料煅烧得到B/TiO2粉末，然后通过滴覆法将B/TiO2粉末涂覆在金叉指电极片表面，然后焙烧得到硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件。2.根据权利要求1所述的一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件的制备方法，其特征在于：所述H3BO3与钛酸异丙酯的用量比为1g∶5-6.5mL。3.根据权利要求2所述的一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件的制备方法，其特征在于：所述H3BO3与钛酸异丙酯的用量比为1g∶5.83mL。4.根据权利要求1所述的一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件的制备方法，其特征在于：所述搅拌条件为室温下搅拌8-12h，所述烘干条件为90-110℃。5.根据权利要求1所述的一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件的制备方法，其特征在于：所述物料煅烧的温度为400-600℃。6.根据权利要求1所述的一种硼掺杂二氧化钛的光助气敏元件的制备方法，其特征在于：由B/...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴文新，王坤，陈旬，付贤智，员汝胜，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建,35