【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池连续渐变膜制备方法
本专利技术涉及太阳能电池生产领域。
技术介绍
太阳能电池镀减反射膜工艺是电池制造过程的关键工序，主要作用在于降低表面反射率，增加光的吸收。目前镀膜工艺多为两种结构，第一层使用高折射率膜，通过氢原子来达到钝化电池表面及体内缺陷的目的；后续使用低折射率非连续减反射膜，达到降低反射率目的。传统低折射率减反膜由于间断性膜层之间存在较高反射率及界面缺陷，无法达到最优降低反射率状态。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：如何进一步减少光的反射，提升电池片效率，同时改善色差。本专利技术所采用的技术方案是：一种太阳能电池连续渐变膜制备方法，安装如下的步骤进行步骤一、利用管式等离子体镀膜设备，升温至450度，然后通入900sccmSIH4和3.6slmNH3,保温200s，在硅片表面形成折射率大于等于2.2的氮化硅钝化层；步骤二、温度继续保持450度，修改SIH4流量为450sccm,NH3流量为4.05slm，每隔5s，将SIH4降低4.5sccm，同时将NH3流量升高4.5sccm，步骤二一共持续时间300s，形成一层折射率为2.03-2.0的氮化硅钝化层；步骤三、温度继续保持450度，通入180sccmSIH4,以及4.32slmNH3，时间为130s，制作一层折射率为2.0的氮化硅膜。本专利技术的有益效果是：本专利技术在硅片表面形成了三层氮化硅膜，第一次的直射率为2.2，第二层折射率为2.03-2.0，第三层折射率为2.0，通过第二层的连续渐变膜降低了反射率及界面缺陷，同时可改善了色差。具体实施方式一种太阳能电池连续渐变膜制备...
【技术保护点】
一种太阳能电池连续渐变膜制备方法，其特征在于：安装如下的步骤进行步骤一、利用管式等离子体镀膜设备，升温至450度，然后通入900sccm SIH4和3.6slm NH3,保温200s，在硅片表面形成折射率大于等于2.2的氮化硅钝化层；步骤二、温度继续保持450度，修改SIH4流量为450sccm, NH3流量为4.05slm，每隔5s，将SIH4降低4.5sccm，同时将NH3流量升高4.5sccm，步骤二一共持续时间300s，形成一层折射率为2.03‑2.0的氮化硅钝化层；步骤三、温度继续保持450度，通入180sccm SIH4,以及4.32slm NH3，时间为130s，制作一层折射率为2.0的氮化硅膜。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池连续渐变膜制备方法，其特征在于：安装如下的步骤进行步骤一、利用管式等离子体镀膜设备，升温至450度，然后通入900sccmSIH4和3.6slmNH3,保温200s，在硅片表面形成折射率大于等于2.2的氮化硅钝化层；步骤二、温度继续保持450度，修改SIH4流量为450sccm,NH3流...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞飞，焦朋府，张雁东，郭卫，崔龙辉，贾宇龙，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西,14
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