一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法，首先制备GaN基外延层，然后采用芯片工艺形成Micro‑LED单元器件阵列，接着制作欧姆接触层，并采用微接触印刷的方式将Micro‑LED单元器件阵列连接在CMOS或TFT背板上，最后采用激光玻璃的方式将外延层与GaN基板玻璃，并通过金属焊接、键合或微接触印刷的方式Micro‑LED单元器件阵列连接在另一基板上，形成Micro‑LED发光显示器件。与现有技术相比，本发明专利技术工艺简单、良品率高、成本低，而且可以在玻璃、硅基甚至是聚合物柔性基板上制备Micro‑LED发光显示器件。

【技术实现步骤摘要】
一种Micro-LED发光显示器件的制备方法
本专利技术涉及新型半导体显示领域，尤其是涉及一种Micro-LED发光显示器件的制备方法。
技术介绍
Micro-LED是将传统的LED结构进行微小化和矩阵化，并采用CMOS集成电路工艺制成驱动电路，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于Micro-LED技术的亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD和OLED技术，加上其属于自发光、结构简单、体积小和节能的优点，已经被许多产家视为下一代显示技术而开始积极布局。在Micro-LED在制备过程，为了不断提高Micro-LED的分辨率及发光稳定性等性能，需不断对其制备工艺进行优化。现有传统金属球焊接是通过在LED芯片和CMOS背板上的特定位置制备金属球，然后对准焊接在一起，这种方式要么在特定位置上通过点胶机挤出液态导电胶，要么整片做上金属电极材料后再通过光刻刻蚀等手段除去其他位置金属电极材料，需要高精度对位系统，难以进一步降低焊接芯片尺寸，设备价格昂贵，效率低，且容易出现虚焊等现象，造成良品率低。本专利技术引入微接触印刷工艺，结合芯片工艺，提出一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法，其特征在于，包括：S1：在GaN基板上由下至上依次分别沉积n型GaN外延层、多量子阱层和p型GaN外延层；S2：采用光刻、刻蚀手段，在沉积的n型GaN外延层、多量子阱层和p型GaN外延层上制作隔离槽，形成含多个单元器件的单元器件阵列；S3：在每个单元器件的p型GaN外延层上面制作p型欧姆接触层；S4：在一模板表面均匀涂覆一层导电浆料，将该模板的导电浆料与每个单元器件的p型欧姆接触层接触；S5：将步骤S4的模板与单元器件分离后，每个单元器件的p型欧姆接触层的上表面均匀涂覆第一导电浆料层；S6：制作第一背板，第一背板上设有多条横向平行分布的条形的第一导...

【技术特征摘要】
1.一种Micro-LED发光显示器件的制备方法，其特征在于，包括：S1：在GaN基板上由下至上依次分别沉积n型GaN外延层、多量子阱层和p型GaN外延层；S2：采用光刻、刻蚀手段，在沉积的n型GaN外延层、多量子阱层和p型GaN外延层上制作隔离槽，形成含多个单元器件的单元器件阵列；S3：在每个单元器件的p型GaN外延层上面制作p型欧姆接触层；S4：在一模板表面均匀涂覆一层导电浆料，将该模板的导电浆料与每个单元器件的p型欧姆接触层接触；S5：将步骤S4的模板与单元器件分离后，每个单元器件的p型欧姆接触层的上表面均匀涂覆第一导电浆料层；S6：制作第一背板，第一背板上设有多条横向平行分布的条形的第一导电电极，第一导电电极的尺寸与单元器件的尺寸相匹配，将含有第一导电电极的第一背板放置在单元器件阵列上且第一导电电极与横向上的单元器件相对齐，通过热固化或者紫外固化的方式将第一导电浆料层固化，使得p型欧姆接触层经第一导电浆料层与第一导电电极连接；S7：采用激光剥离的方式将单元器件的n型GaN外延层与GaN基板剥离，并在n型GaN外延层的底面上制作n型欧姆接触层；S8：在另一模板表面再均匀涂覆一层导电浆料，将该另一模板的导电浆料与每个单元器件的n型欧姆接触层接触；S9：将...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雄图，张永爱，严群，郭太良，林金堂，叶芸，翁雅恋，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建,35