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本发明涉及一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法，首先制备GaN基外延层，然后采用芯片工艺形成Micro‑LED单元器件阵列，接着制作欧姆接触层，并采用微接触印刷的方式将Micro‑LED单元器件阵列连接在CMOS或TFT背板上，最后...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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