一种半导体重布线方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种半导体重布线方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体重布线方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路芯片尺寸逐步缩小，集成高度不断提高的情况下，对集成电路封装提出了越来越高的要求。扇出型晶圆封装(FanOutWaferLevelPackage，可简写为FOWLP)是一种如图1所示将芯片晶圆切割成独立芯片2后重新排布在新载体1上进行晶圆级封装的封装工艺。通过传统的晶圆级封装工艺，可以在新载体1上形成新的封装体3。其中单颗封装体的封装结构示意图如图4所示，图4中，芯片2嵌入在封装体3内，芯片2的焊盘4通过光刻、CVD、PVD、刻蚀和电镀等工艺形成由下绝缘层7、金属层5和上绝缘层6组成的重新再布线结构，在新的I/O端口(即电性连接点)上形成焊球8均匀的分布在新封装体3上，若干个新封装体3排列在新载体1上形成图2所示的结构。典型的扇出型晶圆封装重布线工艺方法，是采用光刻工艺定义上绝缘层6、金属层...
【技术保护点】
一种半导体重布线方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：设置承载多个半导体元件的载具，每个所述半导体元件具有若干个电性连接点；步骤2：测量所述电性连接点相对于所述载具的坐标值，将所述坐标值与标准值对比，获得每个电性连接点的偏移值；步骤3：根据得到的偏移值，通过无掩膜光刻的方式，在所述电性连接点形成重布线结构，进行偏移值修正；步骤4：通过有掩膜曝光方式，对重布线结构中的多层重布线层和植球层进行单一化处理，获得无偏移的多层重布线层和植球垫。
【技术特征摘要】
1.一种半导体重布线方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：设置承载多个半导体元件的载具，每个所述半导体元件具有若干个电性连接点；步骤2：测量所述电性连接点相对于所述载具的坐标值，将所述坐标值与标准值对比，获得每个电性连接点的偏移值；步骤3：根据得到的偏移值，通过无掩膜光刻的方式，在所述电性连接点形成重布线结构，进行偏移值修正；步骤4：通过有掩膜曝光方式，对重布线结构中的多层重布线层和植球层进行单一化处理，获得无偏移的多层重布线层和植球垫。2.如权利要求1所述的半导体重布线方法，其特征在于，步骤3中通过无掩膜光刻的方式进行偏移值修正方法为：根据所述偏移值的范围，选择无掩膜曝光和有掩膜曝光混合的曝光方式。3.如权利要求2所述的半导体重布线方法，其特征在于，步骤3中设置偏移值的临界范围，当所述电性连接点的偏移值小于所述临界范围时，选择有掩膜曝光方式曝光；当所述电性连接点的偏移值大于所述临界范围时，选择无掩膜曝光方式曝光；当所述电性连接点的偏移值位于所述临界范围内，计算围绕当前区域的相邻区域的个数，在这些相邻区域中任意一种曝光方式被选择的次数若大于相邻区域个数的一半，则当前区域选择该曝光方式曝光。4.如权利要求3所述的半导体重布线方法，其特征在于，选取两条相互垂直且同时平行于所述载具表面的直线方向作为X和Y方向，选取垂直于所述载具表面的直线方向作为Z方向，形成XYZ三维坐标系，步骤2中所述偏移值为X偏移值、Y偏移值和RZ偏移值至少其一，其中RZ为围绕Z轴旋转的方向。5.如权利要求3所述的半导体重布线方法，其特征在于，所述临界范围为5μm～7μm。6.如权利要求3所述的半导体重布线方法，其特征在于，步骤3中通过无掩膜光刻的方式进行偏移值修正的方法具体为：首先对偏移值大于所述临界范围的电性连接点，使用无掩膜曝光方式曝光；然后对偏移值小于所述临界范围的电性连接点，使用有掩膜曝光方式曝光，曝光时对已经使用无掩膜方式曝光之处予以屏蔽；其中对偏移值位于所述临界范围内的电性连接点，计算围绕当前区域的相邻区域的个数，在这些相邻区域中任意一种曝光方式被选择的次数若大于相邻区域个数的一半，则当前区域选择该曝光方式曝光。7.如权利要求3所述的半导体重布线方法，其特征在于，步骤3中通过无掩膜光刻的方式进行偏移值修正的方法具体为：首先对偏移值小于所述临界范围的电性连接点，使用有掩膜曝光方式曝光；然后对偏移值大于所述临界范围的电性连接点，使用无掩膜曝光方式曝光，曝光时对已经使用有掩膜方式曝光之处予以屏蔽；其中对偏移值位于所述临界范围内的电性连接点，计算围绕当前区域的相邻区域的个数，在这些相邻区域中任意一种曝光方式被选择的次数若大于相邻区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇辉，唐世弋，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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