基板处理装置制造方法及图纸

提供一种能够抑制基板的污染的基板处理装置。有关实施方式的基板处理装置具备：处理室(20)，空气从上方向下方流动；支承部(40)，设在处理室(20)内，支承具有被处理面(Wa)的基板(W)；加热部(80)，避开支承部(40)的上方而设置，射出加热用的光；光学部件(90)，避开支承部(40)的上方而设在处理室(20)内，将由加热部(80)射出并通过支承部(40)的上方的光向被支承部(40)支承的基板(W)的被处理面(Wa)引导。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及基板处理装置。
技术介绍
基板处理装置是在半导体或液晶面板等的制造工序中将晶片或液晶基板等的基板的被处理面用药液处理、将药液处理后的基板的被处理面用漂洗液冲洗、将漂洗液处理后的基板干燥的装置。在干燥处理工序中，由于近年来的半导体的伴随着高集成化及高容量化的微细化，例如发生存储单元或栅极周围的图案破坏的问题。这是起因于图案彼此的间隔及构造、漂洗液的表面张力等。所以，为了抑制上述的图案破坏，提出了使用表面张力比漂洗液(例如DIW：超纯水)小的挥发性溶媒(例如IPA：2－丙醇，异丙醇)的基板干燥方法。在该基板干燥方法中，将基板的被处理面上的漂洗液替换为挥发性溶媒而进行基板干燥。此时，为了促进干燥，有用位于基板的被处理面的上方的灯将基板加热而进行基板干燥的情况。此外，在药液处理工序中，有进行使用硫酸或磷酸等作为药液的150℃以上的高温处理的情况。在此情况下，由于将药液加热到150℃以上而用于处理，所以由位于基板的被处理面的上方的灯将基板的被处理面上的药液加热到150℃以上的高温。但是，在上述干燥处理工序及药液处理工序中，由于灯位于基板的被处理面的上方，所以在基板处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，具备：处理室，空气从上方向下方流动；支承部，设在上述处理室内，支承具有被处理面的基板；加热部，避开上述支承部的上方而设置，射出加热用的光；以及光学部件，避开上述支承部的上方而设在上述处理室内，将由上述加热部射出并通过了上述支承部的上方的上述光向被上述支承部支承的上述基板的被处理面引导。

【技术特征摘要】
2016.09.30 JP 2016-1947221.一种基板处理装置，其特征在于，具备：处理室，空气从上方向下方流动；支承部，设在上述处理室内，支承具有被处理面的基板；加热部，避开上述支承部的上方而设置，射出加热用的光；以及光学部件，避开上述支承部的上方而设在上述处理室内，将由上述加热部射出并通过了上述支承部的上方的上述光向被上述支承部支承的上述基板的被处理面引导。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备使上述光学部件移动的光学部件移动机构。3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，还具备将上述光学部件清扫的清扫部。4.如权利要求1或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：长岛裕次，林航之介，
申请(专利权)人：芝浦机械电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP