OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法技术

本发明专利技术公开一种OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，包括：步骤S1：在已有SRAF数据库中选择可曝在晶圆上的第一SRAF类型；步骤S2：选择具有第一SRAF类型的结构图形，并在结构图形中选取图形周期恰可加入1根和2根第一SRAF类型的结构图形进行CDSEM量测，收集数据建立可评估SRAF类型是否会曝在晶圆上的模型；步骤S3：通过模型模拟具有系列SRAF类型的版图数据库，以确定不会曝在晶圆上的SRAF类型；步骤S4：在SRAF类型中选取第二SRAF类型，并在晶圆上进行二次验证，以确定第二SRAF类型不会曝在晶圆上；步骤S5：基于具有第二SRAF类型的不同结构图形，收集OPC模型数据并开展建模。本发明专利技术不仅有效减少OPC建模前期准备工作量，缩短确定SRAF类型的时间和提高资源利用率，而且提高OPC建模效率和准确度。

【技术实现步骤摘要】
OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法
本专利技术涉及半导体建模
，尤其涉及一种OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法。
技术介绍
次分辨率辅助图形(Sub-resolutionAssistantFeature,SRAF)是被放置在稀疏设计图形周围的细小图形，使稀疏图形在光学的角度上看像密集图形，有助于改善稀疏图形在焦深工艺窗口边缘的图像对比度。在曝光时，它们只对光线起散射作用，而不会被曝在光刻胶上形成图形。快速准确确定能提高稀疏图形的工艺窗口又不会被曝出来的SRAF类型，是OPC建模收集数据时的一个重要参数。请参阅图4，图4所示为表征SRAF和主图形常用的参数。SRAF图形类型常用三个参数来描述：SRAF的宽度(SBW)，SRAF与主图形间的距离(SB2M)，两个SRAF间的距离(SB2SB)。主图形常用线宽(CD)和图形周期(pitch)两个参数来描述。请参阅图5，图5所示为现有OPC建模常用的确定SRAF类型的流程图。所述现有OPC建模常用的确定SRAF类型的流程，包括：根据经验值选择SBW0相同的一系列SRAF，先用线宽扫描电子显微镜(CDSEM)观察SB2M和SB2SB值最小的SRAF能否被曝出来。若不能被曝出来，则此SBW0系列的其它类型SRAF均不能被曝出来；若能被曝出来则用CDSEM观察SB2M和SB2SB最大的SRAF，若仍能被曝出来，则更换到SBW减小的另一组SRAF，先观察SB2M和SB2SB最大的SRAF能否被曝出来，若能被曝出来则继续更换到SBW更小的一组SRAF。按照上述方法继续搜索，若不能被曝出来则可以向SB2M和SB2SB值减小的方向搜索是否存在其它不被曝出来的SRAF，最终确定一个最佳的SRAF类型。通常地，这个过程需要搜索4～5种SRAF类型，5～6种结构图形，每种图形8～10个不同图形周期的图形，每组图形需要观察35个芯片。则，整个过程需要在CDSEM机台端至少观察验证5600个图形，设置量测程序和执行量测共耗时高达24小时。显然地，这种方法存在以下问题，(1)需观察验证的SRAF种类和图形多，工作量大，耗时长，效率低；(2)在工艺制程改变较大的情况下，没有经验值可以参考，需要搜索的SRAF类型更多，耗时更长，效率更低。随着半导体工艺技术节点不断地减小，工艺窗口也变得越来越小，单一类型的SRAF已经不能满足工艺需求。因此，上述问题已严重影响OPC建模的效率和准确度。寻求一种快速准确，既能提高稀疏图形工艺窗口又不会曝在晶圆上的SRAF类型变得至关重要，已成为本领域亟待解决的技术问题之一。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本专利技术一种OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中，传统的OPC建模中需观察验证的SRAF种类和图形多，工作量大，耗时长，效率低，以及在工艺制程改变较大的情况下，没有经验值可以参考，需要搜索的SRAF类型更多，耗时更长，效率更低等缺陷提供一种OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法。本专利技术之又一目的是针对现有技术中，传统的OPC建模中需观察验证的SRAF种类和图形多，工作量大，耗时长，效率低，以及在工艺制程改变较大的情况下，没有经验值可以参考，需要搜索的SRAF类型更多，耗时更长，效率更低等缺陷提供一种OPC建模的方法。为实现本专利技术之目的，本专利技术提供一种OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，所述OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，包括：执行步骤S1：在已有SRAF数据库中选择可曝在晶圆上的第一SRAF类型；执行步骤S2：选择具有所述第一SRAF类型的结构图形，并在所述结构图形中选取图形周期恰可加入1根所述第一SRAF类型和2根所述第一SRAF类型的结构图形进行CDSEM量测，收集数据建立可评估SRAF类型是否会曝在晶圆上的模型；执行步骤S3：通过所述模型模拟具有系列SRAF类型的版图数据库，以确定不会曝在晶圆上的SRAF类型；执行步骤S4：在SRAF类型中选取第二SRAF类型，并在晶圆上进行二次验证，以确定所述第二SRAF类型不会曝在晶圆上；执行步骤S5：基于具有所述第二SRAF类型的不同结构图形，收集OPC模型数据并开展建模。可选地，所述第一SRAF类型为SRAF类型之宽度(SBW)最大、SRAF类型与主图形间的距离(SB2M)及SRAF类型之间的距离(SB2SB)最小。可选地，收集数据建立可评估SRAF类型是否会曝在晶圆上的模型时，选择3～5种具有所述第一SRAF类型的结构图形，并在所述结构图形中选取图形周期恰可加入1根所述第一SRAF类型和2根所述第一SRAF类型的2～3个结构图形进行CDSEM量测。可选地，所述结构图形为1行ⅹ多列的矩阵式分布线宽图形、1ⅹ3矩阵式分布线宽图形、1ⅹ5矩阵式分布线宽图形、1行ⅹ多列的矩阵式分布反线宽图形、1ⅹ3矩阵式分布反线宽图形、1ⅹ5矩阵式分布反线宽图形中的至少3种。可选地，恰可加入1根所述第一SRAF类型的结构图形之图形周期为：Pitch＝CD+SBW+2×SB2M；恰可加入2根所述第一SRAF类型的结构图形之图形周期为：Pitch＝CD+2×SBW+2×SB2M+SB2SB。可选地，所述第二SRAF类型是在确保不降低工艺窗口的前提下，在不会曝光在晶圆上的SRAF类型中选择SRAF宽度越大，距主图形距离越近，曝到晶圆上图形形貌好、边缘清晰的SRAF类型。可选地，在SRAF类型中选取第二SRAF类型，并在晶圆上进行二次验证时，系采用低倍拍图不执行量测的模式。可选地，采用低倍拍图不执行量测的模式判定所述第二SRAF类型是否会曝在晶圆上系选择3～5种具有所述第二SRAF类型的结构图形，并在所述结构图形中选取图形周期恰可加入1根所述第二SRAF类型和2根所述第二SRAF类型的2个结构图形进行观察。可选地，所述OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法适合多种不同层的OPC模型建立过程。为实现本专利技术之第二目的，本专利技术提供一种OPC的建模方法，所述OPC的建模方法包括采用所述OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法。综上所述，本专利技术OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法采用已知可曝在晶圆上的第一SRAF类型建立模型，模拟具有系列SRAF类型的数据版图，进而确定SARF类型，不仅有效减少OPC建模前期准备工作量，缩短确定SRAF类型的时间和提高资源利用率，而且提高OPC建模效率和准确度。附图说明图1所示为本专利技术OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法之流程图；图2所示为28nmPOOPC建模确定SRAF采用的图形种类；图3所示为SRAF类型是否会曝在晶圆上的模拟图；图4所示为表征SRAF和主图形常用的参数；图5所示为现有OPC建模常用的确定SRAF类型的流程图。具体实施方式为详细说明本专利技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。次分辨率辅助图形(Sub-resolutionAssistantFeature,SRAF)是被放置在稀疏设计图形周围的细小图形，使稀疏图形在光学的角度上看像密集图形，有助于改善稀疏图形在焦深工艺窗口边缘的图像对比度。在曝光时，它们只对光线起散射作用，而不会被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，其特征在于，所述OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，包括：执行步骤S1：在已有SRAF数据库中选择可曝在晶圆上的第一SRAF类型；执行步骤S2：选择具有所述第一SRAF类型的结构图形，并在所述结构图形中选取图形周期恰可加入1根所述第一SRAF类型和2根所述第一SRAF类型的结构图形进行CDSEM量测，收集数据建立可评估SRAF类型是否会曝在晶圆上的模型；执行步骤S3：通过所述模型模拟具有系列SRAF类型的版图数据库，以确定不会曝在晶圆上的SRAF类型；执行步骤S4：在SRAF类型中选取第二SRAF类型，并在晶圆上进行二次验证，以确定所述第二SRAF类型不会曝在晶圆上；执行步骤S5：基于具有所述第二SRAF类型的不同结构图形，收集OPC模型数据并开展建模。

【技术特征摘要】
1.一种OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，其特征在于，所述OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，包括：执行步骤S1：在已有SRAF数据库中选择可曝在晶圆上的第一SRAF类型；执行步骤S2：选择具有所述第一SRAF类型的结构图形，并在所述结构图形中选取图形周期恰可加入1根所述第一SRAF类型和2根所述第一SRAF类型的结构图形进行CDSEM量测，收集数据建立可评估SRAF类型是否会曝在晶圆上的模型；执行步骤S3：通过所述模型模拟具有系列SRAF类型的版图数据库，以确定不会曝在晶圆上的SRAF类型；执行步骤S4：在SRAF类型中选取第二SRAF类型，并在晶圆上进行二次验证，以确定所述第二SRAF类型不会曝在晶圆上；执行步骤S5：基于具有所述第二SRAF类型的不同结构图形，收集OPC模型数据并开展建模。2.如权利要求1所述OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，其特征在于，所述第一SRAF类型为SRAF类型之宽度(SBW)最大、SRAF类型与主图形间的距离(SB2M)及SRAF类型之间的距离(SB2SB)最小。3.如权利要求2所述OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，其特征在于，收集数据建立可评估SRAF类型是否会曝在晶圆上的模型时，选择3～5种具有所述第一SRAF类型的结构图形，并在所述结构图形中选取图形周期恰可加入1根所述第一SRAF类型和2根所述第一SRAF类型的2～3个结构图形进行CDSEM量测。4.如权利要求3所述OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，其特征在于，所述结构图形为1行ⅹ多列的矩阵式分布线宽图形、1ⅹ3矩阵式分布线宽图形、1ⅹ5矩阵式分...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪牡丹，俞海滨，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31