一种光罩的校正方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光罩的校正方法，应用于一器件结构，包括：步骤S1，提供一原始版图；步骤S2，对原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正，以得到对应离子注入层的一初始目标图形，以及对应的有源区图形；步骤S3，对间距大于预设距离的相邻的有源区图形进行切角处理；步骤S4，将进行切角处理后的有源区图形之间的初始目标图形的边向内进行平移，得到一最终目标图形；步骤S5，对最终目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正，以得到一光罩；通过该校正方法形成的光罩，其离子注入层图形边的移动量得到了提高，从而进一步增加离子注入层光阻尺寸大小，降低离子注入层光阻剥落的风险。

A correction method for the mask

The present invention relates to the field of semiconductor technology, especially relates to a mask correction method, which is applied to a device structure: step S1, provides an original layout; step S2, the original layout of optical proximity correction effect based on rules, in order to obtain the corresponding ion implantation an initial target graphics layer, and the corresponding active region graphics; step S3, the spacing is greater than the preset distance of the adjacent active region pattern angle cutting processing; step S4, the initial target pattern between the active region pattern angle of the treated side inward shift, a final goal of graphics; step S5, the ultimate goal of optical proximity correction graphic effect model based on, in order to get a mask; the mask through the correction method of formation, improve the amount of mobile graphics layer edge ion implantation, so as to The step increases the size of the photoresist in the ion implantation layer and reduces the risk of photoresist exfoliation in the ion implantation layer.

【技术实现步骤摘要】
一种光罩的校正方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种光罩的校正方法。
技术介绍
在半导体制造过程中，离子注入是一项非常重要的技术，其利用离子注入机实现半导体掺杂，将特定的杂质原子以离子加速的方式注入硅半导体晶体管内改变其导电特性并最终形成晶体管结构。而随着半导体工艺技术的不断发展，离子注入层的特征尺寸越来越小，而由于离子注入层在曝光过程中会受到前层多晶硅层及浅沟槽隔离区域的反射作用，会导致光阻收缩甚至剥落，从而影响前层离子注入。现有技术在解决这种问题时，通过合并离子注入层图形来消除较小的光阻或者通过移动其边来增大光阻尺寸。但由于前层图形的复杂性以及离子注入层边选择的局限性，仍然会存在部分位置光阻受反射作用而导致光阻收缩甚至剥落的风险。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种光罩的校正方法，应用于一器件结构，所述器件结构包括多个相互间隔的有源区以及围绕所述有源区的离子注入层；其中，存在相邻的两个所述有源区之间的间距大于一预设距离；所述校正方法包括：步骤S1，提供一原始版图；步骤S2，对所述原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正，以得到对应所述离子注入层的一初始目标图形，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光罩的校正方法，应用于一器件结构，所述器件结构包括多个相互间隔的有源区以及围绕所述有源区的离子注入层；其特征在于，存在相邻的两个所述有源区之间的间距大于一预设距离；所述校正方法包括：步骤S1，提供一原始版图；步骤S2，对所述原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正，以得到对应所述离子注入层的一初始目标图形，以及对应所述有源区的有源区图形；步骤S3，对间距大于所述预设距离的相邻的所述有源区图形进行切角处理；步骤S4，将进行所述切角处理后的所述有源区图形之间的所述初始目标图形的边向内进行平移，得到一最终目标图形；步骤S5，对所述最终目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正，以得到一光罩。

【技术特征摘要】
1.一种光罩的校正方法，应用于一器件结构，所述器件结构包括多个相互间隔的有源区以及围绕所述有源区的离子注入层；其特征在于，存在相邻的两个所述有源区之间的间距大于一预设距离；所述校正方法包括：步骤S1，提供一原始版图；步骤S2，对所述原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正，以得到对应所述离子注入层的一初始目标图形，以及对应所述有源区的有源区图形；步骤S3，对间距大于所述预设距离的相邻的所述有源区图形进行切角处理；步骤S4，将进行所述切角处理后的所述有源区图形之间的所述初始目标图形的边向内进行平移，得到一最终目标图形；步骤S5，对所述最终目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正，以得到一光罩。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪悦，张月雨，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31