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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光罩的校正方法，应用于一器件结构，包括：步骤S1，提供一原始版图；步骤S2，对原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正，以得到对应离子注入层的一初始目标图形，以及对应的有源区图形；步骤S3，对间距大于预设...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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