一种有机发光器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种OLED器件及制备方法，其中，所述OLED器件包括基板及依次设置在基板上的阳极层、辅助金属层、有机层和阴极层；其中，辅助金属层位于阳极和有机层之间；所述辅助金属层为透光性好的不活跃金属Au；所述辅助金属层的膜厚范围为2～10nm；优选的，所述辅助金属层的厚度为5nm。本发明专利技术实施例在阳极和有机层之间插入光透过率较高的不活跃金属Au，在无机和有机材料界面之间进行缓冲，改善了无机和有机材料的接触界面，提高了器件的发光效率。

An organic light emitting device and its preparation method

The invention discloses a OLED device and a preparation method thereof, wherein, the OLED device includes a substrate and are arranged on the substrate of the auxiliary anode layer, metal layer, an organic layer and a cathode layer; wherein, the auxiliary metal layer is arranged between the anode and the organic layer; the auxiliary metal layer is not good transparency active metal Au; film thickness range of the auxiliary metal layer is 2 ~ 10nm; preferably, the auxiliary metal layer thickness is 5nm. The embodiment of the invention inserts an inactive metal Au with high light transmittance between the anode and the organic layer, and buffers between the interface of inorganic and organic materials, improving the contact interface between inorganic and organic materials, and improving the luminous efficiency of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光器件及制备方法
本专利技术涉及有机发光器件领域，尤其涉及机发光器件的阳极改性。
技术介绍
有机发光二极管(organiclightemittingdiode,OLED)具有自发光、视角广、发光效率高、色域广和面板薄等特性，成为继液晶显示技术后最有发展前景的显示技术。其发光原理是在电场的作用下，将电子和空穴分别从阴极和阳极注入到有机发光层中并复合，产生激子，有机发光层中的发光分子受激发并发光。现有技术中，通常OLED器件包括基板、设于基板上的阳极层、设于阳极上的有机层和设于有机层上的阴极层，其中通常采用ITO电极作为阳极，参见图1。由于ITO和有机层的接触界面的晶格匹配度较差，导致空穴传输受阻，进而降低器件的发光效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是公开一种有机发光器件，解决了因阳极和有机层接触界面晶格匹配度较差导致的OLED发光效率不高的问题；此外，本专利技术还提出了该OLED器件的制备方法。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案是：一方面，本专利技术实施例提供了一种OLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供覆盖有阳极层的基板；在阳极层上沉积辅助金属层；在辅助金属层上沉积有机层；在有机层上沉积阴极层。其中，辅助金属层为透光性好的不活跃金属Au，厚度范围为2～10nm，优选的，辅助金属层厚度为5nm；所述有机层至少包括有机发射层；进一步的，有机层还包括空穴注入层、电子阻挡层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层中的一种或几种组合。另一方面，本专利技术实施例提供了一种OLED器件，该OLED器件包括基板及依次设置在基板上的阳极层、辅助金属层、有机层和阴极层。其中，辅助金属层位于阳极和有机层之间，辅助金属层为Au，优选厚度为5nm；有机层包括空穴注入层、电子阻挡层、空穴传输层、有机发射层、电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层；阳极层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)中的一种。附图说明图1为现有技术OLED的示意性截面图；图2为实施例一中制备OLED的方法的流程图；图3为本专利技术实施例二中的OLED的示意性截面图；图4为本专利技术实施例三中的OLED的示意性截面图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部。实施例一图2是本专利技术实施例一提供的OLED器件的制备方法的流程图。步骤S21、提供覆盖由阳极层(ITO或IZO)的基板，并对阳极层进行预处理，包括清洗、研磨和刻蚀等。步骤S22、在预处理后的阳极层上，沉积辅助金属层。其中辅助金属层为透光性好的不活跃金属Au，厚度范围为2～10nm，优选为5nm。步骤S23、在辅助金属层上沉积有机层。其中，该有机层可以仅包含有机发射层，或有机发射层外，还包括空穴注入层、电子阻挡层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层和电子注入层中的一种或几种组合。步骤S24、在有机层上沉积阴极层。所述阴极层可以是银(Ag)、铝(Al)或银-镁(Ag-Mg)合金，但不限于此。实施例二图3为本专利技术实施例二中的OLED的示意性截面图，参照图3，OLED器件100包括基板110、阳极层120、辅助金属层130、有机层140和阴极层150；其中辅助金属层130、有机层140和阴极层150依次顺序形成于覆盖有阳极层的基板上。辅助金属层130位于阳极层120和有机层140之间，为透光性好的不活跃金属Au，厚度优选为5nm。阳极层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)中的一种。实施例三图4为本专利技术实施例三中的OLED的示意性截面图，此实施例的OLED除了有机层之外，在结构上类似于实施例1中的OLED。因此，以下描述将主要着重于有机层。参照图4，OLED器件100包括基板110、阳极层120、辅助金属层130、有机层140和阴极层150；其中辅助金属层130、有机层140和阴极层150依次顺序形成于覆盖有阳极层的基板上。辅助金属层130位于阳极层120和有机层140之间，为透光性好的不活跃金属Au，厚度优选为5nm。有机层140除有机发射层(EL)144外，还包括空穴注入层(HIL)141、电子阻挡层(EBL)142、空穴传输层(HTL)143、电子传输层(ETL)145、空穴阻挡层(HBL)146和电子注入层(EIL)147。其中，空穴注入层141、电子阻挡层142、空穴传输层143、有机发射层144、电子传输层145、空穴阻挡层146和电子注入层147，依次顺序沉积在阳极层120上。需要说明的是，尽管此实施例中说明有机层140由空穴注入层141、电子阻挡层142、空穴传输层143、有机发射层144、电子传输层145、空穴阻挡层146和电子注入层147，依次顺序沉积在阳极层120上构成，但本专利技术不限于此，而是可以各种方式形成有机层140。例如，有机层可具有多种堆叠结构，如空穴传输层/有机发射层/电子传输层、空穴注入层/空穴传输层/有机发射层/电子传输层/电子注入层、空穴注入层/电子阻挡层/有机发射层/电子传输层/空穴阻挡层/电子注入层、空穴注入层/电子阻挡层/空穴传输层/有机发射层/电子传输层等等。根据本专利技术实施例提供的OLED器件的制备方法及OLED器件，通过在阳极层和有机层之间加入超薄的金属层Au，解决了因阳极和有机层接触界面晶格匹配度较差导致的OLED发光效率不高的问题。注意，上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本专利技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本专利技术进行了较为详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本专利技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本专利技术的范围由所附的权利要求范围决定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备OLED器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供覆盖有阳极层的基板；在阳极层上沉积辅助金属层；在辅助金属层上沉积有机层；在有机层上沉积阴极层。

【技术特征摘要】
1.一种制备OLED器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供覆盖有阳极层的基板；在阳极层上沉积辅助金属层；在辅助金属层上沉积有机层；在有机层上沉积阴极层。2.如权利要求1所述的制备OLED器件的方法，其特征在于，所述辅助金属层为透光性好的不活跃金属Au。3.如权利要求2所述的制备OLED器件的方法，其特征在于，所述辅助金属层的膜厚范围为2～10nm。4.如权利要求2所述的制备OLED器件的方法，其特征在于，所述辅助金属层的厚度为5nm。5.如权利要求1所述的制备OLED器件的方法，所述有机层包括有机发射层。6.如权利要求1所述的制备OLED器件的方法，其特征在于，所述有机层还...

【专利技术属性】
技术研发人员：周燕红，
申请(专利权)人：周燕红，
类型：发明
国别省市：江苏,32