半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。其目的在于，提供能抑制半导体器件的特性不均的技术。为实现上述目的，半导体器件的制造方法具有：接收测定数据的工序，所述测定数据为在具有形成有金属膜的多个槽、和在所述多个槽间设置的多个柱体的衬底之中，所述衬底的中央面中的所述柱体的宽度、和构成于所述中央面的外周的外周面中的所述柱体的宽度的测定数据；及以如下方式在所述槽形成所述调整膜的工序：使得所述柱体的宽度与邻接于所述柱体而形成的调整膜的宽度之和，在所述中央面与所述外周面处成为规定范围内。

Manufacturing method, substrate processing device and recording medium for semiconductor devices

The invention relates to a manufacturing method of a semiconductor device, a substrate processing device and a recording medium. The aim is to provide technology that can suppress the uneven characteristics of semiconductor devices. In order to achieve the above purpose, a method of manufacturing a semiconductor device receiving the measurement data process, the data for the determination of having a plurality of grooves is formed, a metal film on a substrate and a plurality of grooves arranged between a plurality of column, the column data measured in the central column body surface the substrate in width, and formed in the central peripheral surface of the outer peripheral surface of the width; and in the following manner in the groove formed by the adjustment process: adjust the film film so that the width of the column and adjacent and formed in the column. The width and the central surface and the peripheral surface of a specified range.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
近年来，半导体器件有高集成化的趋势。随之，图案尺寸显著微细化。这些图案通过硬掩膜、抗蚀膜(resistfilm)的形成工序、光刻(lithography)工序、刻蚀工序等形成。在形成图案时，要求不产生半导体器件的特性不均。作为形成图案的方法，例如存在如专利文献1那样的形成方法。专利文献1：日本特开2013-26399号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，由于加工上的问题，存在所形成的电路等的宽度产生不均的情况。特别是在微细化的半导体器件中，该不均会对半导体器件的特性造成大的影响，因此担心成品率的降低。因此，本专利技术的目的在于提供能够抑制半导体器件的特性不均的技术。为解决上述问题，提供一种技术，具有：接收测定数据的工序，所述测定数据为在具有形成有金属膜的多个槽、和在所述多个槽间设置的多个柱体的衬底之中，所述衬底的中央面中的所述柱体的宽度、和构成于所述中央面的外周的外周面中的所述柱体的宽度的测定数据；及以如下方式在所述槽形成所述调整膜的工序：使得所述柱体的宽度与邻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，具有：接收测定数据的工序，所述测定数据为在具有形成有金属膜的多个槽、和在所述多个槽间设置的多个柱体的衬底之中，所述衬底的中央面中的所述柱体的宽度、和构成于所述中央面的外周的外周面中的所述柱体的宽度的测定数据；及以如下方式在所述槽形成调整膜的工序：使得所述柱体的宽度与邻接于所述柱体而形成的所述调整膜的宽度之和，在所述中央面与所述外周面处成为规定范围内。

【技术特征摘要】
2016.09.28 JP 2016-1896411.一种半导体器件的制造方法，具有：接收测定数据的工序，所述测定数据为在具有形成有金属膜的多个槽、和在所述多个槽间设置的多个柱体的衬底之中，所述衬底的中央面中的所述柱体的宽度、和构成于所述中央面的外周的外周面中的所述柱体的宽度的测定数据；及以如下方式在所述槽形成调整膜的工序：使得所述柱体的宽度与邻接于所述柱体而形成的所述调整膜的宽度之和，在所述中央面与所述外周面处成为规定范围内。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述调整膜的工序之后，进行将所述调整膜氧化的工序。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，在所述氧化的工序之后，向所述调整膜的上表面注入杂质。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，在形成所述调整膜的工序中，当与在所述衬底的中央面相比、所述柱体的宽度在所述外周面更宽的情况下，以与所述中央面相比、使所述外周面中的所述衬底的每单位面积的处理气体主成分的暴露量更少的方式供给所述处理气体，当与在所述衬底的中央面相比、所述柱体的宽度在所述外周面更窄的情况下，以与所述中央面相比、使所述外周面中的所述衬底的每单位面积的处理气体主成分的暴露量更大的方式供给所述处理气体。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，在形成所述调整膜的工序中，当与在所述衬底的中央面相比、所述柱体的宽度在所述外周面更宽的情况下，以使得所述衬底的中央面的温度比所述外周面的温度高的方式调整所述衬底的温度分布，当与在所述衬底的中央面相比、所述柱体的宽度在所述外周面更窄的情况下，以使得所述衬底的外周面的温度比所述中央面的温度高的方式调整所述衬底的温度分布。6.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，在形成所述调整膜的工序中，当与在所述衬底的中央面相比、所述柱体的宽度在所述外周面更宽的情况下，以使得所述衬底的中央面的温度比所述外周面的温度高的方式调整所述衬底的温度分布，当与在所述衬底的中央面相比、所述柱体的宽度在所述外周面更窄的情况下，以使得所述衬底的外周面的温度比所述中央面的温度高的方式调整所述衬底的温度分布。7.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，在形成所述调整膜的工序中，当与在所述衬底的中央面相比、所述柱体的宽度在所述外周面更宽的情况下，以与所述中央面相比、使所述外周面中的所述衬底的每单位面积的处理气体主成分的暴露量更少的方式供给所述处理气体，当与在所述衬底的中央面相比、所述柱体的宽度在所述外周面更窄的情况下，以与所述中央面相比、使所述外周面中的所述衬底的每单位面积的处理气体主成分的暴露量更大的方式供给所述处理气体。8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，在形成所述调整膜的工序中，当与在所述衬底的中央面相比，所述柱体的宽度在所述外周面更宽的情况下，以使得所述衬底的中央面的温度比所述外周面的温度高的方式调整所述衬底的温度分布，当与在所述衬底的中央面相比，所述柱体的宽度在所述外周面更窄的情况下，以使得所述衬底的外周面的温度比所述中央面的温度高的方式调整所述衬底的温度分布。9.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，在形成所述调...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛本聪，森谷敦，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP