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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。其目的在于，提供能抑制半导体器件的特性不均的技术。为实现上述目的，半导体器件的制造方法具有：接收测定数据的工序，所述测定数据为在具有形成有金属膜的多个槽、和在所述多个槽间设置的多个柱体...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

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