一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关制造技术

本实用新型专利技术涉及微波开关技术领域，尤其为本实用新型专利技术公开了一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关，有12级开关晶体管结构；射频公共端口通过电感与第1级、第7级晶体管的源极相连；第1～6级晶体管构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管构成第二个支路，两个支路以射频公共端口的轴线形成镜面对称，连接方式和参数均相同；第6级晶体管漏极通过电感与射频输出口RF1相连；第12级晶体管漏极通过电感与射频输出口RF2相连。本实用新型专利技术电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。

\u4e00\u79cdDC\u201120GHz\u5438\u6536\u5f0f\u5355\u5200\u53cc\u63b7\u5f00\u5173

The utility model relates to the technical field of microwave switch, especially for the utility model discloses a DC 20GHz absorption type single pole double throw switch, 12 switch transistor structure; RF inductor and public port through the first grade, seventh grade transistors connected to the source electrode; the first branch first ~ 6 grade crystal tube switch seventh, to 12 transistors composed of second branches, two branches with the axis RF public port mirror symmetry, connection mode and parameters are the same; the sixth stage transistor drain through the inductor and the RF output port RF1 is connected; twelfth transistor drain through the inductor and the RF output port is connected to the RF2. The utility model has the advantages of simple circuit structure, and has the advantages of ultra bandwidth, small input and output reflection coefficient, small insertion loss, high isolation and small size. It solves the shortcomings and defects of traditional circuit indicators, and can meet the needs of radar and communication microwave engineering indicators.

【技术实现步骤摘要】
一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关
本技术涉及微波开关
，具体为一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关。
技术介绍
传统的开关控制电路，通常采用单级串联/并联晶体管结构，或者两级串并联晶体管结构来实现。单级的串联结构，具有宽带，高频插损大，隔离度小的特点，单级的并联结构，具有窄带，高频插损小而隔离度大的特点；两级串并联结构结合了两者的优点，但是也需要在插损和隔离度之间进行折中。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。所述DC-20GHz吸收式单刀双掷开关具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～T12构成第二个支路，两个支路以射频本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，其特征在于：射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～T12构成第二个支路，两个支路以射频输入端口RFC的轴线形成镜面对称；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R1与直流控制端口VC1相连；第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2～5级晶体管T2～T5漏极之间通过电感L4、L6、L8相连；第2～5级晶体管T2～T5栅极分...

【技术特征摘要】
1.一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，其特征在于：射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～T12构成第二个支路，两个支路以射频输入端口RFC的轴线形成镜面对称；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R1与直流控制端口VC1相连；第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2～5级晶体管T2～T5漏极之间通过电感L4、L6、L8相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐步坤，黄军恒，刘家兵，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34