一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关制造技术

本实用新型专利技术涉及微波开关技术领域，尤其为本实用新型专利技术公开了一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关，有12级开关晶体管结构；射频公共端口通过电感与第1级、第7级晶体管的源极相连；第1～6级晶体管构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管构成第二个支路，两个支路以射频公共端口的轴线形成镜面对称，连接方式和参数均相同；第6级晶体管漏极通过电感与射频输出口RF1相连；第12级晶体管漏极通过电感与射频输出口RF2相连。本实用新型专利技术电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。

\u4e00\u79cdDC\u201120GHz\u5438\u6536\u5f0f\u5355\u5200\u53cc\u63b7\u5f00\u5173

The utility model relates to the technical field of microwave switch, especially for the utility model discloses a DC 20GHz absorption type single pole double throw switch, 12 switch transistor structure; RF inductor and public port through the first grade, seventh grade transistors connected to the source electrode; the first branch first ~ 6 grade crystal tube switch seventh, to 12 transistors composed of second branches, two branches with the axis RF public port mirror symmetry, connection mode and parameters are the same; the sixth stage transistor drain through the inductor and the RF output port RF1 is connected; twelfth transistor drain through the inductor and the RF output port is connected to the RF2. The utility model has the advantages of simple circuit structure, and has the advantages of ultra bandwidth, small input and output reflection coefficient, small insertion loss, high isolation and small size. It solves the shortcomings and defects of traditional circuit indicators, and can meet the needs of radar and communication microwave engineering indicators.

【技术实现步骤摘要】
一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关
本技术涉及微波开关
，具体为一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关。
技术介绍
传统的开关控制电路，通常采用单级串联/并联晶体管结构，或者两级串并联晶体管结构来实现。单级的串联结构，具有宽带，高频插损大，隔离度小的特点，单级的并联结构，具有窄带，高频插损小而隔离度大的特点；两级串并联结构结合了两者的优点，但是也需要在插损和隔离度之间进行折中。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。所述DC-20GHz吸收式单刀双掷开关具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～T12构成第二个支路，两个支路以射频输入端口RFC的轴线形成镜面对称；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R1与直流控制端口VC1相连；第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2～5级晶体管T2～T5漏极之间通过电感L4、L6、L8相连；第2～5级晶体管T2～T5栅极分别通过高阻值电阻R2、R3、R4、R5与直流控制端口VC2相连；第2～5级晶体管T2～T5源极分别通过电感L3、L5、L7、L9接地；第5级晶体管T5的漏极与第6级晶体管T6的源极通过电感L10相连；第6级晶体管栅极通过高阻值电阻R6与直流控制端口VC1相连；第6级晶体管T6漏极通过电感L11与射频输出口RF1相连；作为吸收负载的低阻值电阻R7一端与第6级晶体管T6源极相连，另外一端与其漏极相连；第7～12级晶体管T7～T12构成的第二支路与第一支路连接方式和参数均相同；第12级晶体管T12漏极通过电感L21与射频输出口RF2相连。与现有技术相比，本技术的有益效果是：电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷。附图说明图1为本技术电路结构示意图；图2为采用本技术测试后的输入输出反射系数图；图3为采用本技术测试后的另一种输入输出反射系数图；图4为采用本技术测试后的插损图；图5为采用本技术测试后的隔离度图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～T12构成第二个支路，两个支路以射频输入端口RFC的轴线形成镜面对称；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R1与直流控制端口VC1相连；第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2～5级晶体管T2～T5漏极之间通过电感L4、L6、L8相连；第2～5级晶体管T2～T5栅极分别通过高阻值电阻R2、R3、R4、R5与直流控制端口VC2相连；第2～5级晶体管T2～T5源极分别通过电感L3、L5、L7、L9接地；第5级晶体管T5的漏极与第6级晶体管T6的源极通过电感L10相连；第6级晶体管栅极通过高阻值电阻R6与直流控制端口VC1相连；第6级晶体管T6漏极通过电感L11与射频输出口RF1相连；作为吸收负载的低阻值电阻R7一端与第6级晶体管T6源极相连，另外一端与其漏极相连；第7～12级晶体管T7～T12构成的第二支路与第一支路连接方式和参数均相同；第12级晶体管T12漏极通过电感L21与射频输出口RF2相连。本技术中，12级开关晶体管结构之间通过电感相连接，采用微带线匹配技术实现DC-20GHz带宽。以下结合图1对本技术作进一步的说明：1、T1、T6、T7、T12作为串联结构的晶体管，实现宽带开关的功能。2、T2～T5、T8～T11作为并联结构的晶体管，能够在宽带上提供较大的隔离度功能。3、各级晶体管之间通过电感(微带线等效)相连，通过优化电感和晶体管寄生电容，能够在宽带内实现良好的匹配，实现良好的回波损耗。4、T6、T12并联的电阻R7、R14，可以在开关闭合状态下，为开关两侧电路提供50欧姆负载，实现吸收式功能，有良好的回波损耗。5、各级晶体管的栅极通过高阻值电阻与直流控制焊盘相连，能够实现射频隔离，减小插损，提高隔离度。根据图1的电路结构，选择适当的器件，优化电感和晶体管尺寸，实现适当数值的匹配，设计DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，实际测试结果参见图2-5。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，其特征在于：射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～T12构成第二个支路，两个支路以射频输入端口RFC的轴线形成镜面对称；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R1与直流控制端口VC1相连；第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2～5级晶体管T2～T5漏极之间通过电感L4、L6、L8相连；第2～5级晶体管T2～T5栅极分别通过高阻值电阻R2、R3、R4、R5与直流控制端口VC2相连；第2～5级晶体管T2～T5源极分别通过电感L3、L5、L7、L9接地；第5级晶体管T5的漏极与第6级晶体管T6的源极通过电感L10相连；第6级晶体管栅极通过高阻值电阻R6与直流控制端口VC1相连；第6级晶体管T6漏极通过电感L11与射频输出口RF1相连；作为吸收负载的低阻值电阻R7一端与第6级晶体管T6源极相连，另外一端与其漏极相连；第7～12级晶体管T7～T12构成的第二支路与第一支路连接方式和参数均相同；第12级晶体管T12漏极通过电感L21与射频输出口RF2相连。...

【技术特征摘要】
1.一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，其特征在于：射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～T12构成第二个支路，两个支路以射频输入端口RFC的轴线形成镜面对称；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R1与直流控制端口VC1相连；第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2～5级晶体管T2～T5漏极之间通过电感L4、L6、L8相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐步坤，黄军恒，刘家兵，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34