一种RFID标签用基板(20)，具有：绝缘基板(1)，具有上表面以及包含凹部(1a)的下表面；上表面导体(2)，设置在绝缘基板(1)的上表面；接地导体(3)，设置在绝缘基板(1)的下表面，通过在厚度方向上贯通绝缘基板(1)的短路部贯通导体(4)与上表面导体(2)电连接；电容导体(5)，设置在绝缘基板(1)的内部，与上表面导体(2)的一部分对置；电容部贯通导体(5a)，被设置成从电容导体(5)一直到接地导体(3)在厚度方向上贯通绝缘基板(1)；以及第1电极(6)和第2电极(7)，设置在凹部(1a)内，第1电极(6)通过第1连接导体与电容导体(5)或者接地导体(3)电连接，第2电极(7)经由第2连接导体与上表面导体(3)电连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】RFID标签用基板、RFID标签以及RFID系统
本公开涉及利用电波进行信息的收发的RFID(RadioFrequencyIdentification)标签用基板、RFID标签以及RFID系统。
技术介绍
利用安装于物品上的RFID标签来探测并管理各种物品的信息正在广泛被应用。作为该情况下的RFID标签，使用具有用于利用UHF(UltraHighFrequency)段等电波进行信息的收发的天线导体以及IC(Integratedcircuit)等半导体元件的器件。在RFID标签的天线导体与具有电波的收发功能的读写器等外部设备之间，进行信息的收发。被收发的信号可利用半导体元件进行存储或者调取等。在该情况下，半导体元件还起到针对天线导体的供电部的作用(例如参照专利文献1)。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2000-101335号公报
技术实现思路
本公开的1个形式的RFID标签具备：绝缘基板，具有上表面以及包含凹部的下表面；上表面导体，设置在该绝缘基板的上表面；接地导体，设置在所述绝缘基板的下表面，通过在厚度方向上贯通所述绝缘基板的短路部贯通导体与所述上表面导体电连接；电容导体，设置在所述绝缘基板的内部，与所述上表面导体的一部分对置；电容部贯通导体，被设置成从该电容导体一直到所述接地导体在厚度方向上贯通所述绝缘基板；以及供电部，收容在所述凹部内，该供电部具有与所述接地导体电连接的第1电极以及与所述上表面导体电连接的第2电极。本公开的1个形式的RFID系统具有：具有天线的读写器，该天线与上述结构的RFID标签的上表面导体收发电波。附图说明图1(a)以及图1(b)都是表示第1实施方式的RFID标签的一例的剖视图。图2(a)是表示从下表面侧观察了图1(a)所示的例子的RFID标签用基板的一例的底视图，图2(b)是图2(a)的分解立体图。图3(a)是从下表面侧观察了图1(b)所示的例子的RFID标签用基板的一例的底视图，图3(b)是图3(a)的分解立体图。图4是表示本公开的实施方式的RFID系统的一例的示意图。图5(a)以及图5(b)都是表示第1实施方式的RFID标签的另一例的剖视图。图6是表示第2实施方式的RFID标签的另一例的剖视图。图7是表示第3实施方式的RFID标签的另一例的剖视图。图8(a)表示图5(a)、图5(b)以及图7所示的RFID标签的带宽，图8(b)表示它们的天线增益。图9表示第4实施方式的RFID标签的一例，图9(a)是底视图，图9(b)是图9(a)的分解立体图。图10(a)表示图5(b)以及图9所示的RFID标签的带宽，图10(b)表示它们的天线增益。图11是表示第5实施方式的RFID标签的一例的剖视图。图12是表示第6实施方式的RFID标签的一例的剖视图。图13表示第7实施方式的RFID标签的一例，图13(a)是剖视图，图13(b)是底视图。图14表示第8实施方式的RFID标签的一例，图14(a)是剖视图，图14(b)是底视图。图15表示第8实施方式的RFID标签的另一例，图15(a)是剖视图，图15(b)是底视图。图16表示第8实施方式的RFID标签的另一例，图16(a)是剖视图，图16(b)是底视图。图17表示第8实施方式的RFID标签的另一例，图17(a)是剖视图，图17(b)是底视图。具体实施方式在现有的RFID标签中，由于半导体元件安装在RFID标签用基板的外表面，所以很难提高半导体元件相对于RFID标签用基板的连接的可靠性。此外，对于RFID标签，也存在高增益或者宽频带这样的天线特性的要求。并且，针对RFID标签的大的要求事项有小型化。在现有的RFID标签用基板中，很难同时实现这些多个要求。根据本公开的1个形式的RFID标签用基板，由于具有上述构成的导体部分，所以能够与短路部贯通导体及第2电极和上表面导体的电连接相匹配地，使上表面导体起到倒F天线的作用。此外，将半导体元件收容在绝缘基板的凹部内。并且，凹部设置在与设置了上表面导体的绝缘基板的上表面相反的下表面，且具备与上表面导体对置的电容导体。因此，能够在提高半导体元件相对于RFID标签用基板的连接可靠性的同时，可实现小型化，从而通过比较大的上表面导体使得基本的天线特性出色。进而，根据第1电极的连接目的地，成为更高增益或者更宽频带的器件。参照附图，说明本公开的实施方式的RFID标签用基板、RFID标签以及RFID系统。另外，以下的说明中上下的区别是为了便于说明，实际上并不对使用RFID标签用基板、RFID标签以及RFID系统时的上下进行限定。图1是表示第1实施方式的RFID标签的剖视图。图1(a)的RFID标签20利用第1连接导体8，将RFID标签用基板10中的第1电极6与电容导体5连接。另一方面，图1(b)的RFID标签20利用第1连接导体8，将RFID标签用基板10中的第1电极6与接地导体3连接。图2(a)是表示图1(a)所示的例RFID标签用基板的一例的底视图，图2(b)是图2(a)的分解立体图(从下表面侧观察的分解立体图)。图3(a)是表示图1(b)所示的例RFID标签用基板的一例的底视图，图3(b)是图3(a)的分解立体图(从下表面侧观察的分解立体图)。在图2以及图3中，用虚线表示各贯通导体，用黑点表示其两端的连接部。图4是表示本公开的实施方式的RFID系统的示意图，包含图1(a)所示的RFID标签的剖视图以及读写器的立体图。(RFID标签用基板以及RFID标签)实施方式的RFID标签20具备RFID标签用基板10和搭载于RFID标签用基板10的半导体元件11。RFID标签用基板10由例如是平板状且具有上表面以及包含凹部1a的下表面的绝缘基板1、包含设置在绝缘基板1的天线导体的导体部分(详细情况将后述)等构成。半导体元件11收纳搭载在RFID标签用基板10的(绝缘基板1的)凹部1a内。半导体元件11在凹部1b内与RFID标签用基板10的第1电极6及第2电极7电连接。如图1(b)所示的例子那样，可以是，凹部1a被密封树脂12填充，半导体元件11被密封树脂12覆盖后被密封。这样，RFID标签用基板10具有凹部1a，所以相比在RFID标签用基板10的外表面安装半导体元件11的情况，半导体元件11相对于RFID标签用基板10的连接可靠性高。当利用密封树脂12来密封凹部1a内的半导体元件11、第1电极6以及第2电极7时，抑制了它们与外部气体的接触，进一步提高了作为RFID标签20的可靠性。上述的导体部分具有：上表面导体2，设置在绝缘基板1的上表面；接地导体3，设置在绝缘基板1的下表面，且通过在厚度方向上贯通绝缘基板1的短路部贯通导体4与上表面导体2电连接；电容导体5，设置在绝缘基板1的内部，且与上表面导体2的一部分对置；以及电容部贯通导体5a，被设置成从电容导体5一直到接地导体3在厚度方向上贯通绝缘基板1。此外，具有：第1电极6，设置在凹部1a内，通过第1连接导体8与电容导体5或者接地导体3电连接；以及第2电极7，经由第2连接导体9与上表面导体2电连接。在图1(a)所示的例子中，第1电极6通过第1连接导体8(第1贯通导体8b)与电容导体5连接。此外，在图1(b)所示的例子中，第1电极6通过第1连接导体8(第1内本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种RFID标签用基板，具有：绝缘基板，具有上表面以及包含凹部的下表面；上表面导体，设置在该绝缘基板的上表面；接地导体，设置在所述绝缘基板的下表面，通过在厚度方向上贯通所述绝缘基板的短路部贯通导体与所述上表面导体电连接；电容导体，设置在所述绝缘基板的内部，与所述上表面导体的一部分对置；电容部贯通导体，被设置成从该电容导体一直到所述接地导体在厚度方向上贯通所述绝缘基板；以及第1电极和第2电极，设置在所述凹部内，所述第1电极通过第1连接导体与所述电容导体或者所述接地导体电连接，所述第2电极经由第2连接导体与所述上表面导体电连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.22 JP 2016-144488;2016.08.09 JP 2016-156551.一种RFID标签用基板，具有：绝缘基板，具有上表面以及包含凹部的下表面；上表面导体，设置在该绝缘基板的上表面；接地导体，设置在所述绝缘基板的下表面，通过在厚度方向上贯通所述绝缘基板的短路部贯通导体与所述上表面导体电连接；电容导体，设置在所述绝缘基板的内部，与所述上表面导体的一部分对置；电容部贯通导体，被设置成从该电容导体一直到所述接地导体在厚度方向上贯通所述绝缘基板；以及第1电极和第2电极，设置在所述凹部内，所述第1电极通过第1连接导体与所述电容导体或者所述接地导体电连接，所述第2电极经由第2连接导体与所述上表面导体电连接。2.根据权利要求1所述的RFID标签用基板，其中，所述第1电极通过所述第1连接导体与所述电容导体电连接。3.根据权利要求2所述的RFID标签用基板，其中，所述第2电极通过所述第2连接导体与所述上表面导体电连接。4.根据权利要求1所述的RFID标签用基板，其中，所述第1电极通过所述第1连接导体与所述接地导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：杉本好正，山本周一，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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