一种透射电子显微镜样品及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种透射电子显微镜的样品及其制备方法。所述方法包括提供芯片，在所述芯片上形成有初始样品，所述初始样品包括相对设置的第一侧面和第二侧面；在所述初始样品的第一侧面上形成空洞，所述空洞未穿通所述初始样品的第二侧面；在所述空洞中形成支撑材料，以填充所述空洞；对所述初始样品进行减薄处理，以得到包含所述支撑材料的检测样品。最终的样品中由于包含所述硬度大的支撑材料，因此即使样品再薄，也不容易弯曲。所述方法可以很好的消除28nm TEM样品弯曲的缺点，从而获得真实的TEM图像以及相应的结构和尺寸。

A transmission electron microscope sample and its preparation method

The present invention relates to a sample of a transmission electron microscope and a preparation method. The method includes providing a chip, the initial sample is formed on the chip, the initial sample includes opposite first side and a second side; a hole in the first side of the initial sample, the second side is not empty through the initial sample; the support material is formed in the cavity in to fill the void; the initial sample reduction processing, in order to get the samples containing the supporting material. The final sample contains the support material with large hardness, so it is not easy to bend even if the sample is thinner. The method can eliminate the 28nm TEM sample bending defects, so as to obtain the real TEM images and the corresponding structure and size.

【技术实现步骤摘要】
一种透射电子显微镜样品及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种透射电子显微镜的样品及其制备方法。
技术介绍
随着工艺的提高，许多导致芯片失效的问题都是非常小的待分析物，例如缺陷(defect)引起的，对于这些待分析物单纯的使用扫描电子显微镜(SEM)或是聚焦离子束(FocusedIonbeam，FIB)是很难观测到的，这时就需要用到透射电子显微镜(Transmissionelectronmicroscope，TEM)这个高分辨的工具来进行观测。特别像纳米级的产品，几乎所有的失效芯片都只能在TEM下才能看到待分析物，得出问题所在，进而帮助改良工艺。目前测试工艺为先在可能存在待分析物的地方镀上一层保护层(Pt/W)；然后在保护层的前后方向挖两个凹槽(大坑)；其次利用离子束对样品正面进行切割，停到我们所需要的位置；再次对样品的背面进行减薄，使样品保留大约80nm的厚度，此时待分析物含在TEM样品里。目前测试工艺制备出的TEM样品经常会出现样品弯曲的现象，尤其是对于先进的纳米工艺产品。因此，如何解决样品弯曲的问题成为目前需要解决的问题，以便准确的进行TEM测试，得出问题所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供芯片，在所述芯片上形成有初始样品，所述初始样品包括相对设置的第一侧面和第二侧面；在所述初始样品的第一侧面上形成空洞，所述空洞未穿通所述初始样品的第二侧面；在所述空洞中形成支撑材料，以填充所述空洞；对所述初始样品进行减薄处理，以得到包含所述支撑材料的检测样品。

【技术特征摘要】
1.一种透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供芯片，在所述芯片上形成有初始样品，所述初始样品包括相对设置的第一侧面和第二侧面；在所述初始样品的第一侧面上形成空洞，所述空洞未穿通所述初始样品的第二侧面；在所述空洞中形成支撑材料，以填充所述空洞；对所述初始样品进行减薄处理，以得到包含所述支撑材料的检测样品。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述初始样品的方法包括：提供芯片，所述芯片包括样品区域，待分析物位于所述样品区域中；在所述样品区域的两侧形成凹槽，以露出所述第一侧面和所述第二侧面并形成所述初始样品。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始样品的厚度为1-2μm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用离子束工艺在所述第一侧面上形成所述空洞。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述离子束工艺中的离子束与所述第一侧面之间的夹角为50-55°。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述离子束工艺中离子束加速电压为20-40kV，发射电流为300～500pA。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述空洞为沿所述第一侧面至所述第二侧面的方向向下倾斜设置的立方形空洞。8.根据权利要求1所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷原梓，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31