空心阴极等离子体源制造技术

技术编号:17576101 阅读:125 留言:0更新日期:2018-03-28 22:59
本发明专利技术涉及空心阴极等离子体源和用于使用这样的等离子体源进行表面处理或涂覆的方法,空心阴极等离子体源包括第一和第二电极(1、2),每个电极包括细长腔(4),其中选择下面的参数中的至少一个的尺度,以便确保高电子密度和/或等离子体源腔表面的低溅射量,那些参数是腔横截面形状、腔横截面面积、腔距离(11)和出口喷嘴宽度(12)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】空心阴极等离子体源相关申请的交叉引用本申请涉及标题为“PlasmaSourceUtilizingaMacro-ParticleReductionCoatingandMethodofUsingaPlasmaSourceUtilizingaMacro-ParticleReductionCoatingforDepositionofThinFilmCoatingsandModificationofSurfaces”的PCT国际申请,序列号为____(还没有被分配)(代理人标签No.0124-374.PCT),该PCT国际申请与本申请同时提交并且通过引用的方式被并入本文中。
技术介绍
本专利技术涉及用于大衬底的表面处理和/或涂覆的等离子体源。更特别地,本专利技术涉及用于等离子体增强化学气相沉积和用于等离子体表面处理的线性等离子体源,特别是基于空心阴极型放电的等离子体源。在现有技术中公开了用于薄膜的沉积和表面的化学改性的各种等离子体源。当要处理大衬底时,这些等离子体源一般是线性离子源,如在U.S.7411352中由Madocks公开的线性离子源。这个等离子体源基于磁控管放电并产生线性离子束,或通过组合本文档来自技高网...
空心阴极等离子体源

【技术保护点】
一种空心阴极等离子体源,包括第一电极(1)和第二电极(2),每个电极包括细长腔(4),其中,所述阴极实质上平行于彼此延伸,其中,所述第一电极和所述第二电极(1、2)都设置有用于所述等离子体形成气体(6)的气体入口并设置有通向出口喷嘴(13)的气体出口(7),所述出口喷嘴(13)指向衬底,其中,所述第一电极和所述第二电极电连接到为所述电极供应交替反向的电压的电源,其中,选择下列参数的尺度中的至少一个:i.所述腔的横截面是矩形、圆角矩形或圆形形状或是这些形状的中间形状,ii.所述腔的横截面面积包括在500mm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种空心阴极等离子体源,包括第一电极(1)和第二电极(2),每个电极包括细长腔(4),其中,所述阴极实质上平行于彼此延伸,其中,所述第一电极和所述第二电极(1、2)都设置有用于所述等离子体形成气体(6)的气体入口并设置有通向出口喷嘴(13)的气体出口(7),所述出口喷嘴(13)指向衬底,其中,所述第一电极和所述第二电极电连接到为所述电极供应交替反向的电压的电源,其中,选择下列参数的尺度中的至少一个:i.所述腔的横截面是矩形、圆角矩形或圆形形状或是这些形状的中间形状,ii.所述腔的横截面面积包括在500mm2和4000mm2之间,iii.所述腔的距离(11)包括在85mm和160mm之间,iv.所述出口喷嘴的宽度(12)包括在1mm和25mm之间。2.如权利要求1所述的空心阴极等离子体源,其中,选择所述参数的尺度i到iv中的至少两个。3.如权利要求1所述的空心阴极等离子体源,其中,选择所述参数的尺度i到iv中的全部。4.如权利要求1所述的空心阴极等离子体源,其中,所述腔的横截面形状是圆形。5.如权利要求1所述的空心阴极等离子体源,其中,所述腔的横截面面积包括在500mm2和1000mm2之间。6.如权利要求1所述的空心阴...

【专利技术属性】
技术研发人员:T·比凯P·马诗威茨J·钱伯斯H·维亚姆
申请(专利权)人:AGC玻璃欧洲公司北美AGC平板玻璃公司旭硝子株式会社
类型:发明
国别省市:比利时,BE

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