功率半导体模块制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体模块
本专利技术涉及包括电力变换用的开关元件和二极管的功率半导体模块。
技术介绍
在功率半导体模块中，在开关元件的开关时产生浪涌电压。浪涌电压是在短时间产生的电压脉冲。当产生浪涌电压时，瞬间的电压被施加于功率半导体模块内的寄生电容，所以产生噪声电流。该噪声电流经由编入有功率半导体模块的设备内的寄生分量传播到设备整体，引起误动作等不良情况。进而，随着浪涌电压变高，半导体元件的损耗即发热增加，所以有可能发生热损坏。如果为了避免热损坏而安装高散热构造，则导致成本增加。专利文献1(日本专利第5550553号公报)公开了能够通过降低有效的布线电感来抑制浪涌电压的功率半导体模块。具体而言，在该文献的功率半导体模块中，按照负极侧二极管、正极侧开关元件、负极侧开关元件、正极侧二极管的顺序，各半导体元件在基板上排列成一列。根据该结构，在正极侧开关元件进行了开关的情况下，经由其两侧的负极侧二极管以及负极侧开关元件流过右转和左转这两个方向的浪涌电流。其结果，磁通被抵消，所以能够降低有效的电流路径的电感(参照专利文献1的第0033段)。同样地，在负极侧开关元件进行了开关的情况下...
【技术保护点】
一种功率半导体模块，具备：绝缘基板，具有第1主面以及第2主面；正极侧导电图案、负极侧导电图案以及输出侧导电图案，分别形成在所述绝缘基板的所述第1主面上；正极侧电源端子，设置在所述正极侧导电图案上，被提供正极侧电源电位；负极侧电源端子，设置在所述负极侧导电图案上，被提供负极侧电源电位；输出端子，设置在所述输出侧导电图案上，与负载电连接；正极侧开关元件，具有形成在第1主面上的第1主电极、形成在第2主面上的第2主电极以及控制电极，第1主电极安装于所述正极侧导电图案，第2主电极经由电连接体连接于所述输出侧导电图案；正极侧二极管元件，具有形成在第1主面上的阴极电极以及形成在第2主面上...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.09 JP 2015-1375191.一种功率半导体模块，具备：绝缘基板，具有第1主面以及第2主面；正极侧导电图案、负极侧导电图案以及输出侧导电图案，分别形成在所述绝缘基板的所述第1主面上；正极侧电源端子，设置在所述正极侧导电图案上，被提供正极侧电源电位；负极侧电源端子，设置在所述负极侧导电图案上，被提供负极侧电源电位；输出端子，设置在所述输出侧导电图案上，与负载电连接；正极侧开关元件，具有形成在第1主面上的第1主电极、形成在第2主面上的第2主电极以及控制电极，第1主电极安装于所述正极侧导电图案，第2主电极经由电连接体连接于所述输出侧导电图案；正极侧二极管元件，具有形成在第1主面上的阴极电极以及形成在第2主面上的阳极电极，所述阴极电极安装于所述正极侧导电图案，所述阳极电极经由电连接体连接于所述输出侧导电图案；负极侧开关元件，具有形成在第1主面上的第1主电极、形成在第2主面上的第2主电极以及控制电极，第1主电极安装于所述输出侧导电图案，第2主电极经由电连接体连接于所述负极侧导电图案；以及负极侧二极管元件，具有形成在第1主面上的阴极电极以及形成在第2主面上的阳极电极，所述阴极电极安装于所述输出侧导电图案，所述阳极电极经由电连接体连接于所述负极侧导电图案，在俯视所述绝缘基板时，所述正极侧二极管元件以及所述负极侧二极管元件位于所述正极侧开关元件与所述负极侧开关元件之间，所述负极侧二极管元件配置成比所述正极侧二极管元件更靠近所述正极侧开关元件。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，在俯视所述绝缘基板时，所述正极侧二极管元件以及所述负极侧二极管元件配置在对所述正极侧开关元件的配置位置与所述负极侧开关元件的配置位置进行连结的第1基准线上或者沿着所述第1基准线配置。3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，在俯视所述绝缘基板时，所述输出侧导电图案的一部分位于所述正极侧二极管元件与所述负极侧导电图案之间。4.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，在俯视所述绝缘基板时，所述正极侧导电图案的一部分位于所述负极侧二极管元件与所述负极侧导电图案之间。5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：椋木康滋，玉田美子，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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