【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减少非期望的涡流的系统和方法
本文中描述的主题一般地涉及磁等离子体约束系统,并且更特别地涉及促进非期望的涡流的抵消的系统和方法。
技术介绍
反场构型(FRC)属于称为紧凑等离子体环(CT)的磁等离子体约束拓扑的种类。其显示出突出地极向的磁场并拥有零或小的自生环向场(参见M.Tuszewski,Nucl.Fusion28,2033(1988))。形成FRC的传统方法使用反场θ-箍缩技术,产生热的高密度等离子体(参见A.L.Hoffman等人,Nucl.Fusion33,27(1993))。这个的变体是平移俘获方法,其中在θ-箍缩“源”中产生的等离子体被或多或少地立即从一端向外喷射到约束室中。平移的等离子粒团然后被在该室的端处的两个强反射镜之间俘获(参见例如H.Himura等人,Phys.Plasmas2,191(1995))。在过去的十年中已经取得显著进展,开发了其它FRC形成方法:利用相反定向的螺旋性(参见例如Y.Ono等人,Nucl.Fusion39,2001(1999))以及通过用也提供附加稳定性的旋转磁场(RMF)驱动电流(参见例如I.R.Jones,P ...
【技术保护点】
一种用于减小在导电结构中感生的非期望的涡流的方法,方法包括如下步骤:在导电结构中感生第二组涡流之前,在导电中感生第一组涡流,其中第一组涡流具有与第二组涡流的分布基本上相等且在符号上相反的分布以在导电结构中感生第二组涡流时基本上抵消第二组涡流。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.12 US 62/1604211.一种用于减小在导电结构中感生的非期望的涡流的方法,方法包括如下步骤:在导电结构中感生第二组涡流之前,在导电中感生第一组涡流,其中第一组涡流具有与第二组涡流的分布基本上相等且在符号上相反的分布以在导电结构中感生第二组涡流时基本上抵消第二组涡流。2.权利要求1的方法,其中导电结构是等离子体约束容器的壁。3.权利要求1的方法,其中在导电结构中感生涡流的步骤包括如下步骤使导电结构周围的线圈斜坡向上并保持在恒定电流下直至在导电结构中的所有涡流都已衰减为止,以及中断到线圈的电流以允许在导电结构中激发第一组涡流,使通过结构的磁通量守恒。4.权利要求1的方法,进一步包括使等离子体平移到导电结构中的步骤,其中平移的等离子体向导电结构中注入通量,其在容器的壁中感生第二组涡流,使容器的壁中的涡流的振幅向后朝着零减小。5.权利要求3的方法,进一步包括使等离子体平移到导电结构中的步骤,其中平移的等离子体向导电结构中注入通量,其在容器的壁中感生第二组涡流,使容器的壁中的涡流的振幅向后朝着零减小。6.权利要求1的方法,其中在导电结构中感生涡流的步骤包括如下步骤使导电结构周围的线圈斜坡向上并保持在恒定电流下以在导电结构中产生第一组涡流,以及使等离子体平移到导电结构中,其中平移的等离子体向导电结构中注入通量,其在导电结构中感生第二组涡流,使导电结构中的涡流的振幅向后朝着零减小。7.一种用于减小在容器壁中感生的非期望的涡流的系统,系统包括:容器,其具有壁和内部,多个线圈,其被围绕着容器安置,以及控制系统,其被耦合到所述多个线圈并被配置成在容器的壁中感生第二组涡流之前在容器的壁中感生第一组涡流,其中第一组涡流具有与第二组涡流的分布基本上相等且在符号上相反的分布以在室的壁中感生第二组涡流时基本上抵消第二组涡流。8.权利要求7的系统,其中控制系统被进一步配置成使所述多个线圈斜坡向上并保持在恒定电流下直至容器的壁中的所有涡流都已衰减为止,并且然后中断到所述多个线圈的电流以允许在容器的壁中激发第一组涡流,使通过容器的通量守恒。9.权利要求8的系统,进一步包括被附着到容器的端的形成区段,其中控制系统被进一步配置成使等离子体从形成区段平移到容器的内部中,其中平移的等...
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