【技术实现步骤摘要】
用于形成并维持高性能FRC的系统和方法本申请是申请号为201280055842.6、申请日为2012年11月14日、名称为“用于形成并维持高性能FRC的系统和方法”的专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求保护在2011年11月4日提交的美国临时申请No.61/559,154的权益,并且要求保护在2011年11月15日提交的美国临时申请No.61/559,721的权益,这些申请都以引用的方式并入到本文中。
本文所描述的实施例大体而言涉及磁等离子体约束系统,并且更特定而言涉及便于形成并维持具有优良的稳定性以及粒子、能量和通量约束的场反向配置的系统和方法。
技术介绍
场反向配置(FRC)属于被称作紧凑等离子体环/紧凑环形线圈(CT)的磁等离子体约束拓扑结构的类别。其表现出主导的极向磁场以及具有零或小自生等离子体环场(参看M.Tuszewski,Nucl.Fusion28,2033(1988))。这种配置的吸引力在于其简单的几何形状,易于构造和维护,便于能量提取和除灰的自然不受限制的偏滤器和很高的β(β是平均等离子体压力与FRC内的平均磁场压力的比),即高功率密度。高β性质有利于经济操作和使用先进的无中子燃料诸如D-He3和p-B11。形成FRC的传统方法使用场反向θ-箍缩技术,产生热的高密度等离子体(参看A.L.Hoffman和J.T.Slough,Nucl.Fusion33,27(1993))。其一种变型为平移-捕集方法,其中,在θ-箍缩“源”中形成的等离子体差不多立即从一端出射到约束腔室内。然后平移的等离子体粒团被捕集于在腔室端部处的两个强镜之间( ...
【技术保护点】
一种利用场反向配置(FRC)来生成和维持磁场的方法,包括:使用联接到约束腔室的磁系统产生磁场,第一和第二直径对置的FRC形成部段联接到所述约束腔室,以及第一和第二偏滤器联接到所述第一形成部段和第二形成部段,所述磁系统包括第一和第二镜插塞以及联接到所述约束腔室的两个或更多个鞍形线圈,所述第一和第二镜插塞定位在所述第一和第二形成部段和所述第一和第二偏滤器之间,使用来自吸杂系统的吸杂材料层来对所述约束腔室和所述第一和第二偏滤器进行吸杂,所述吸杂系统联接到所述约束腔室和所述第一和第二偏滤器,在所述第一和第二形成部段的每个中产生FRC,并且将每个FRC平移向所述约束腔室的中平面,在该处所述FRCs合并成合并FRC,所述第一和第二形成部段包括模块式形成系统,从多个中性原子束喷射器喷射中性原子束进入所述合并FRC中,所述中性原子束喷射器联接到所述约束腔室并且定向成正交于所述约束腔室的轴线,从第一和第二轴向等离子体枪喷射等离子体进入所述合并FRC中,所述第一和第二轴向等离子体枪可操作地联接到所述第一和第二偏滤器、所述第一和第二形成部段以及所述约束腔室,通过一个或多个偏压电极电偏压所述合并FRC的开放通 ...
【技术特征摘要】
2011.11.14 US 61/559154;2011.11.15 US 61/5597211.一种利用场反向配置(FRC)来生成和维持磁场的方法,包括:使用联接到约束腔室的磁系统产生磁场,第一和第二直径对置的FRC形成部段联接到所述约束腔室,以及第一和第二偏滤器联接到所述第一形成部段和第二形成部段,所述磁系统包括第一和第二镜插塞以及联接到所述约束腔室的两个或更多个鞍形线圈,所述第一和第二镜插塞定位在所述第一和第二形成部段和所述第一和第二偏滤器之间,使用来自吸杂系统的吸杂材料层来对所述约束腔室和所述第一和第二偏滤器进行吸杂,所述吸杂系统联接到所述约束腔室和所述第一和第二偏滤器,在所述第一和第二形成部段的每个中产生FRC,并且将每个FRC平移向所述约束腔室的中平面,在该处所述FRCs合并成合并FRC,所述第一和第二形成部段包括模块式形成系统,从多个中性原子束喷射器喷射中性原子束进入所述合并FRC中,所述中性原子束喷射器联接到所述约束腔室并且定向成正交于所述约束腔室的轴线,从第一和第二轴向等离子体枪喷射等离子体进入所述合并FRC中,所述第一和第二轴向等离子体枪可操作地联接到所述第一和第二偏滤器、所述第一和第二形成部段以及所述约束腔室,通过一个或多个偏压电极电偏压所述合并FRC的开放通量表面,所述一个或多个偏压电极定位在所述约束腔室、所述第一和第二形成部段和所述第一和第二偏滤器的其中一个或多个中,以及从联接到所述约束腔室的离子球团喷射器将离子球团喷射进入所述合并FRC。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述合并FRC的粒子约束比具有基本上相同磁场半径(R)和基本上取决于R2/ρi的粒子约束定标的FRC的粒子约束大至少2的系数的偏差,其中ρi是在外部施加的场中评估的离子拉莫半径。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁系统包括沿着所述约束腔室、所述第一和第二形成部段以及所述第一和第二偏滤器在适当位置在轴向间隔开的多个准直流线圈。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述磁系统还包括定位于所述第一形成部段和第二形成部段与所述约束腔室的端部之间的第一镜线圈集合。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述镜插塞包括介于所述第一形成部段和第二形成部段与所述第一偏滤器和第二偏滤器中每一个之间的第二镜线圈集合。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述镜插塞还包括围绕着一种介于所述第一形成部段和第二形成部段与所述第一偏滤器和第二偏滤器中每一个之间的所述通路中的缩窄部而缠绕的镜插塞线圈集合。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述镜插塞线圈为紧凑的脉冲式镜线圈。8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一形成部段和第二形成部段包括细长管。9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述形成系统为脉冲功率形成系统。10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,形成和平移所述FRCs的步骤包括:激励围绕所述第一形成部段和第二形成部段的所述细长管而缠绕的多个条带组件中的单独条带组件的线圈集合,其中所述形成系统包括联接到所述多个条带组件中的单独条带组件的多个功率和控制单元。11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述多个功率和控制单元中的单独功率和控制单元包括触发和控制系统。12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述多个功率和控制单元中的所述单独功率和控制单元的所述触发和控制系统能够同步以允许静态FRC形成或动态FRC形成,在所述静态FRC形成中,形成所述FRC并且然后喷射,在所述动态FRC形成中,同时形成并且平移所述FRC。13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多个中性原子束喷射器包括一个或多个RF等离子体源中性原子束喷射器和一个或多个弧源中性原子束喷射器。14.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多个中性原子束喷射器定向成喷射路径在所述FRC切向,目标捕集区在所述FRC的分界面内。15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述球团喷射器为联接到所述约束腔室的12管筒球团喷射器并且定向成导向离子球团到所述FRC内。16.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述吸杂系统包括钛淀积系统和锂淀积系统中的一个或多个,所述钛淀积系统和锂淀积系统涂布所述约束腔室和所述第一偏滤器和第二偏滤器的朝向等离子体的表面。17.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,偏压电极包括以下的一个或多个:一个或多个点电极,其定位在所述约束腔室内用以接触开场线;环形电极集合,其在所述约束腔室与所述第一形成部段和第二形成部段之间以方位角对称的方式向远边缘通量层充电;多个同心堆叠的电极,其定位于所述第一偏滤器和第二偏滤器中以向多个同心通量层充电;以及,等离子枪的阳极,其用来拦截开放通量。18.一种利用场反向配置(EFC)来生成和维持磁场的方法,包括:使用联接到约束腔室的磁系统产生磁场,第一和第二直径对置的FRC形成部段联接到所述约束腔室,以及第一和第二偏滤器联接到所述第一形成部段和第二形成部段,在所述第一和第二形成部段的每个中产生FRC,并且将每个FRC平移向所述约束腔室的中平面,在该处所述FRCs合并成合并FRC,从多个中性原子束喷射器喷射中性原子束进入所述合并FRC中,所述中性原子束喷射器联接到所述约束腔室并且定向成正交于所述约束腔室的轴线,以及从第一和第二轴向等离子体枪喷射等离子体进入所述合并FRC,所述第一和第二轴向等离子体枪可操作地联接到所述第一和第二偏滤器、所述第一和第二形成部段以及所述约束腔室。19.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,所述合并FRC的粒子约束比具有基本上相同磁场半径(R)和基本上取决于R2/ρi的粒子约束定标的FRC的粒子约束大至少2的系数的偏差,其中ρi是在外部施加的场中评估的离子拉莫半径。20.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,所述磁系统包括沿着所述约束腔室、所述第一形成部段和第二形成部段以及所述第一偏滤器和第二偏滤器在适当位置在轴向间隔开的多个准直流线圈。21.根据权利要求20所述的方法,其特征在于,所述磁系统还包括定位于所述第一形成部段和第二形成部段与所述约束腔室的端部之间的第一镜线圈集合。22.根据权利要求21所述的方法,其特征在于,所述镜插塞包括介于所述第一形成部段和第二形成部段与所述第一偏滤器和第二偏滤器中每一个之间的第二镜线圈集合。23.根据权利要求22所述的方法,其特征在于,所述镜插塞还包括围绕介于所述第一形成部段和第二形成部段与所述第一偏滤器和第二偏滤器中每一个之间的所述通路中的缩窄部而缠绕的镜插塞线圈集合。24.根据权利要求23所述的方法,其特征在于,所述镜插塞线圈为紧凑的脉冲式镜线圈。25.根据权利要求18所述的方法,其特征在于还包括:从第一和第二轴向等离子体枪喷射等离子体进入所述合并FRC中,所述第一和第二轴向等离子体枪可操作地联接到所述第一偏滤器和第二偏滤器、所述第一形成部段和第二形成部段和所述约束腔室。26.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,还包括:使用来自吸杂系统的吸杂材料层来对所述约束腔室和所述第一和第二偏滤器进行吸杂,所述吸杂系统联接到所述约束腔室和所述第一和第二偏滤器。27.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,其还包括:使用一个或多个偏压电极来电偏压所述合并FRC的开放通量表面,所述一个或多个偏压电极定位于所述约束腔室、所述第一形成部段和第二形成部段和所述第一偏滤器和第二偏滤器中的一个或多个内。28.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,其还包括两个或更多个线圈,其联接到所述约束腔室。29.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,其还包括:从联接到所述约束腔室的离子球团喷射器喷射离子球团到所述合并FRC中。30.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,所述形成部段包括模块化形成系统,其用于生成FRC并且使其朝向所述约束腔室的中平面平移。31.一种利用场反向配置(EFC)来生成和维持磁场的方法,包括:使用联接到约束腔室的磁系统产生磁场,第一和第二直径对置的FRC形成部段联接到所述约束腔室,以及第一和第二偏滤器联接到所述第一形成部段和第二形成部段,在所述第一和第二形成部段的每个中产生FRC,并且将每个FRC平移向所述约束腔室的中平面,在该处所述FRCs合并成合并FRC,从多个中性原子束喷射器喷射中性原子束进入所述合并FRC中,所述中性原子束喷射器联接到所述约束腔室并且定向成正交于所述约束腔室的轴线,以及通过一个或多个偏压电极电偏压所述合并FRC的开放通量表面,所述一个或多个偏压电极定位在所述约束腔室、所述第一和第二形成部段和所述第一和第二偏滤器的其中一个或多个中。32.根据权利要求31所述的方法,其特征在于,所述合并FRC的粒子约束比具有基本上相同磁场半径(R)和基本上取决于R2/ρi的粒子约束定标的FRC的粒子约束大至少2的系数的偏差,其中ρi是在外部施加的场中评估的离子拉莫半径。33.根据权利要求31所述的方法,其特征在于,偏压电极包括以下的一个或多个:一个或多个点电极,其定位于所述约束腔室内以接触开场线;环形电极集合,其在所述约束腔室与所述第一形成部段和第二形成部段之间以方位角对称的方式向远边缘通量层充电;多个同心堆叠的电极,其定位于所述第一偏滤器和第二偏滤器中以向多个同心通量层充电;以及,等离子枪的阳极,其用来拦截开放通量。34.根据权利要求31所述的方法,其特征在于,所述磁系统包括沿着所述约束腔室、所述第一形成部段和第二形成部段以及所述第一偏滤器和第二偏滤器在适当位置在轴向间隔开的多个准直流线圈。35.根据权利要求34所述的方法,其特征在于,所述磁系统还包括定位于所述第一形成部段和第二形成部段与所述约束腔室的端部之间的第一镜线圈集合。36.根据权利要求35所述的方法,其特征在于,所述磁系统还包括第一镜插塞和第二镜插塞,其中所述第一组镜插塞和第二组镜插塞包括介于所述第一形成部段和第二形成部段与所述第一偏滤器和第二偏滤器中每一个之间的第二镜线圈集合。37.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,所述第一镜插塞和第二镜插塞还包括围绕介于所述第一形成部段和第二形成部段与所述第一偏滤器和第二偏滤器中每一个之间的所述通路中的缩窄部而缠绕的镜插塞线圈集合。38.根据权利要求37所述的方法,其特征在于,所述镜插塞线圈为紧凑的脉冲式镜线圈。39.根据权利要求31所述的方法,其特征在于,还包括激励围绕所述第一形成部段和第二形成部段的所述细长管而缠绕的所述条带组件中单独条带组件的线圈集合的步骤,其中形成系统的多个功率和控制单元联接到所述多个条带组件中的单独条带组件。40.根据权利要求39所述的方法,其特征在于,所述多个功率和控制单元中的单独功率和控制单元包括触发和控制系统。41.根据权利要求40所述的方法,其特征在于,所述多个功率和控制单元中的所述单独功率和控制单元的所述触发和控制系统能够同步以允许静态FRC形成或动态FRC形成,在所述静态FRC形成中,形成所述FRC并且然后喷射,在所述动态FRC形成中,同时形成并且平移所述FRC。42.根据权利要求31所述的方法,其特征在于,所述多个中性原子束喷射器定向成喷射路径...
【专利技术属性】
技术研发人员:M图斯泽维斯基,M宾德鲍尔,D巴内斯,E加拉特,H郭,S普特温斯基,A斯米诺夫,
申请(专利权)人:加州大学评议会,
类型:发明
国别省市:美国,US
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