发光二极管显示器件制造技术

本公开涉及一种发光二极管显示器件，根据示例性实施例的发光二极管显示器件包括：基底；半导体，设置在基底上；栅电极，设置在半导体上；层间绝缘层，设置在基底和栅电极上；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上并连接到半导体；第一狭缝，设置在层间绝缘层中；以及第一布线，设置在层间绝缘层上并被构造为与第一狭缝叠置。

Light emitting diode display

The invention relates to a light emitting diode display device, light emitting diode display device according to an exemplary embodiment includes: a substrate; a semiconductor, disposed on the substrate; a gate electrode is disposed on the semiconductor; an interlayer insulating layer disposed on the substrate and the gate electrode; a source electrode and a drain electrode is arranged in the interlayer insulating layer and connected to a semiconductor; a first slit is arranged in the interlayer insulating layer; and a first wiring is arranged in the interlayer insulating layer and configured to overlap with the first slit.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管显示器件本申请要求于2016年9月20日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0120119号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的所有内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种发光二极管显示器件。
技术介绍
发光二极管显示器件包括两个电极以及置于其间的发射层。从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在发射层中复合以产生激子。当产生的激子从激发态跃迁到基态时，激子以发光的形式释放能量。发光二极管显示器件包括多个像素，所述多个像素包括作为自发光元件的发光二极管(LED)以及用于驱动发光二极管(LED)的多个晶体管，并且至少一个电容器形成在每个像素中。所述多个薄膜晶体管通常包括开关晶体管和驱动晶体管。薄膜晶体管包括栅电极、半导体、源电极和漏电极。半导体可以吸收入射到其上的一些光，使得会改变薄膜晶体管的特性。例如，当半导体由氧化物半导体材料制成时，会在半导体中吸收短波长(例如，短于大约387nm)的区域中的可见光，因此，会降低其阈值电压。尽管从发光二极管(LED)发射的大部分光被引导到其上表面，但是一些发射的光被引导到其侧表面，如此，可以到达设置在发光二极管(LED)下方的薄膜晶体管。当这种情况发生时，入射到薄膜晶体管的半导体上的光会导致薄膜晶体管的可靠性劣化。该
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用来增强对所描述的技术的背景的理解，因此，它可以包含不形成对本领域普通技术人员而言在本国中已知的现有技术的信息。
技术实现思路
所描述的技术已经致力于提供一种发光二极管显示器件，所述发光二极管显示器件可以通过阻挡入射在薄膜晶体管的半导体上的光来改善其可靠性。示例性实施例提供了一种发光二极管显示器件，所述发光二极管显示器件包括：基底；半导体，设置在基底上；栅电极，设置在半导体上；层间绝缘层，设置在基底和栅电极上；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上并连接到半导体；第一狭缝，设置在层间绝缘层中；以及第一布线，设置在层间绝缘层上并被构造为与第一狭缝叠置。第一布线可以通过第一狭缝接触基底。第一布线可以与源电极和漏电极设置在同一层处，并可以由与源电极和漏电极的材料相同的材料制成。第一布线可以是共电压线。第一布线可以是连接到源电极的驱动电压线。第一布线可以与源电极和漏电极设置在同一层处，并可以由与源电极和漏电极的材料相同的材料制成。第一布线可以是共电压线。第一布线可以连接到源电极。第一狭缝可以与半导体的一侧的边缘相邻，并可以不与半导体叠置。第一狭缝可以具有在第一方向上延伸的条形状。第一狭缝可以在平行于第一布线的方向上延伸。第一狭缝可以具有在平行于第一布线的方向上延伸的条形状。漏电极可以具有岛形状。半导体可以包括沟道区和设置在沟道区的相对侧处的接触掺杂区，沟道区可以被漏电极覆盖。发光二极管显示器件还可以包括设置在层间绝缘层中的第二狭缝，其中，漏电极与第二狭缝叠置。漏电极可以通过第二狭缝接触基底。第二狭缝可以与半导体的一侧的边缘相邻，并可以不与半导体叠置。第二狭缝可以在与第一布线延伸的方向交叉的方向上延伸。发光二极管显示器件还可以包括连接到漏电极的第一电极以及设置在漏电极与第一电极之间的钝化层，其中，钝化层可以由光阻挡材料制成。发光二极管显示器件还可以包括被构造为与第一电极的边缘叠置的像素限定层，其中，像素限定层可以由光阻挡材料制成。发光二极管显示器件还可以包括连接到漏电极的第一电极以及被构造为与第一电极的边缘叠置的像素限定层，其中，像素限定层可以由光阻挡材料制成。发光二极管显示器件还可以包括设置在基底与层间绝缘层之间的缓冲层，其中，第一狭缝可以设置在缓冲层和层间绝缘层中。发光二极管显示器件还可以包括设置在基底与层间绝缘层之间的缓冲层，其中，第一布线可以通过第一狭缝接触缓冲层。发光二极管显示器件还可以包括设置在层间绝缘层中的第三狭缝以及设置在层间绝缘层上并被构造为与第三狭缝叠置的第二布线。第二布线可以通过第三狭缝接触基底。发光二极管显示器件还可以包括设置在基底与层间绝缘层之间的缓冲层，其中，第二布线可以通过第三狭缝接触缓冲层。发光二极管显示器件还可以包括设置在基底与栅电极之间的栅极绝缘层以及设置在栅极绝缘层中的第四狭缝，其中，栅电极可以与第四狭缝叠置。栅电极可以通过第四狭缝接触基底。发光二极管显示器件还可以包括设置在基底与栅极绝缘层之间的缓冲层，其中，栅电极可以通过第四狭缝接触缓冲层。发光二极管显示器件还可以包括连接到漏电极的第一电极，其中，第一电极可以覆盖半导体的大部分。第一电极可以覆盖半导体、源电极、漏电极、栅电极和第一布线中的全部。另一实施例提供了一种发光二极管显示器件，所述发光二极管显示器件包括：基底；半导体，设置在基底上；源电极和漏电极，连接到半导体；栅电极，设置在半导体上；栅极绝缘层，设置在基底与栅电极之间；以及第一狭缝，设置在栅极绝缘层中并被构造为与栅电极叠置。栅电极可以通过第一狭缝接触基底。第一狭缝可以与半导体的一侧的边缘相邻，并可以不与半导体叠置。第一狭缝可以具有在第一方向上延伸的条形状。发光二极管显示器件还可以包括设置在基底与漏电极之间的层间绝缘层以及设置在层间绝缘层中的第二狭缝，其中，漏电极可以与第二狭缝叠置。漏电极可以通过第二狭缝接触基底。第二狭缝可以与半导体的一侧的边缘相邻，并可以不与半导体叠置。第二狭缝可以具有在与第一狭缝延伸的方向交叉的方向上延伸的条形状。发光二极管显示器件还可以包括设置在基底与栅极绝缘层之间的缓冲层，其中，栅电极通过第一狭缝接触缓冲层。根据实施例，能够通过阻挡入射在薄膜晶体管的半导体上的光来改善发光二极管显示器件的可靠性。附图说明图1示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的布局视图。图2示出了沿图1的线II-II截取的剖视图。图3示出了沿图1的线III-III截取的剖视图。图4示出了根据钝化层和像素限定层的材料的透射率曲线图。图5和图6示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的剖视图。图7示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的布局视图。图8示出了沿图7的线VIII-VIII截取的剖视图。图9示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的剖视图。图10示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的布局视图。图11示出了沿图10的线XI-XI截取的剖视图。图12示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的剖视图。图13示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的布局视图。图14示出了沿图13的线XIV-XIV截取的剖视图。图15示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的剖视图。图16示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的布局视图。图17示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的布局视图。图18示出了根据示例性实施例的发光二极管显示器件的示意性视图。图19示出了根据示例性实施例的包括在发光二极管显示器件的栅极驱动器中的薄膜晶体管的布局视图。图20示出了沿图19的线XX-XX截取的剖视图。图21示出了沿图19的线XXI-XXI截取的剖视图。具体实施方式在下文中将参照示出了本专利技术的示例性实施例的附图对本专利技术进行更加充分地描述。如本领域技术人员将认识的是，在均不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式进行修改。为了清楚地描述本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管显示器件，所述发光二极管显示器件包括：基底；半导体，设置在所述基底上；栅电极，设置在所述半导体上；层间绝缘层，设置在所述基底和所述栅电极上；源电极和漏电极，设置在所述层间绝缘层上并连接到所述半导体；第一狭缝，设置在所述层间绝缘层中；以及第一布线，设置在所述层间绝缘层上并被构造为与所述第一狭缝叠置。

【技术特征摘要】
2016.09.20 KR 10-2016-01201191.一种发光二极管显示器件，所述发光二极管显示器件包括：基底；半导体，设置在所述基底上；栅电极，设置在所述半导体上；层间绝缘层，设置在所述基底和所述栅电极上；源电极和漏电极，设置在所述层间绝缘层上并连接到所述半导体；第一狭缝，设置在所述层间绝缘层中；以及第一布线，设置在所述层间绝缘层上并被构造为与所述第一狭缝叠置。2.根据权利要求1所述的发光二极管显示器件，其中，所述第一布线通过所述第一狭缝接触所述基底，所述第一布线与所述源电极和所述漏电极设置在同一层处，并由与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料制成，所述第一布线是共电压线，并且所述第一布线是连接到所述源电极的驱动电压线。3.根据权利要求1所述的发光二极管显示器件，其中，所述第一狭缝与所述半导体的一侧的边缘相邻，并且不与所述半导体叠置，所述第一狭缝具有在第一方向上延伸的条形状，并且所述第一狭缝在平行于所述第一布线的方向上延伸。4.根据权利要求1所述的发光二极管显示器件，所述发光二极管显示器件还包括：第二狭缝，设置在所述层间绝缘层中，其中，所述漏电极与所述第二狭缝叠置，其中，所述漏电极通过所述第二狭缝接触所述基底，所述第二狭缝与所述半导体的一侧的边缘相邻，并且不与所述半导体叠置，并且所述第二狭缝在与所述第一布线延伸的方向交叉的方向上延伸。5.根据权利要求1所述的发光二极管显示器件，所述发...

【专利技术属性】
技术研发人员：文盛载，金东奎，朴鲜，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR