存储装置及其操作方法制造方法及图纸

一种存储装置及操作存储装置的方法。所述存储装置包括第一存储区及第二存储区。所述方法包括：响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及，以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区。所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。

Storage device and its operation method

A method for storing a device and operating a storage device. The storage device includes a first storage area and a two storage area. The method comprises the following steps: in response to a write request from the host for writing data from the host to adjust the received ratio into the first storage area on the second storage area; and, by adjusting the ratio will write the write data is written to the first memory and the second memory area. The first storage area includes a storage unit with a first write speed, and the second storage area includes a storage unit having a second writing speed different from the first writing speed.

【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法相关申请的交叉参考本申请主张在2016年9月19日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2016-0119560号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本案供参考。
本专利技术概念涉及一种存储装置及操作所述存储装置的方法。
技术介绍
计算机系统可包括各种类型的记忆系统，每一个记忆系统均包括记忆装置及控制器。记忆装置用来存储数据。记忆装置可使用易失性记忆装置或非易失性记忆装置来实作。易失性记忆装置需要电力来维持所存储数据。非易失性记忆装置则即使在不再施加电力之后仍保持所存储数据。记忆装置可包括第一存储区及第二存储区。第一存储区的写入速度可与第二存储区的写入速度不同。
技术实现思路
根据本专利技术概念的示例性实施例，提供一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括第一存储区及第二存储区，所述方法包括：所述存储装置的控制器响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及所述控制器以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区，其中所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。根据本专利技术概念的示例性实施例，提供一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括第一存储区及第二存储区，所述方法包括：所述存储装置的控制器基于在第一周期期间从主机接收到的写入请求及写入数据来监测所述存储装置的工作负荷(workload)；基于所监测工作负荷为所接收的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区，其中所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。根据本专利技术概念的示例性实施例，提供一种存储装置，所述存储装置包括：存储器，包括第一存储区及第二存储区，所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元；以及控制器，被配置成从主机接收写入请求及写入数据，动态地调整对于所接收的写入数据的所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率，并控制所述存储器以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区。根据本专利技术概念的示例性实施例，提供一种存储装置，所述存储装置包括记忆装置及控制器。所述记忆装置包括单层单元(singlelevelcell，SLC)区及多层单元(multilevelcell，MLC)区，其中所述记忆装置存储写入比率X:Y，其中X是写入至所述单层单元区的第一数据量且Y是写入至所述多层单元区的第二数据量，其中X与Y不相同。所述控制器被配置成从主机接收写入模式及写入数据，基于所述写入模式调整所述写入比率，并根据经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述单层单元区及所述多层单元区。附图说明结合附图阅读以下详细说明将更清楚地理解本专利技术概念的实施例，在附图中：图1是根据本专利技术概念示例性实施例的存储系统的方块图。图2是说明根据本专利技术概念示例性实施例的图1所示存储装置的实例的方块图。图3A及图3B说明图2所示存储器的实例。图4是说明图2所示控制器的实例的方块图。图5说明根据本专利技术概念示例性实施例的以多个写入比率对图2所示存储器来执行的单层单元(SLC)写入操作以及第一混合写入操作至第三混合写入操作。图6说明根据本专利技术概念示例性实施例的以多个写入比率进行的混合写入操作。图7A及图7B分别说明根据本专利技术概念示例性实施例的图5所示单层单元写入操作以及第一混合写入操作至第三混合写入操作。图8A至图8C说明根据本专利技术概念某些示例性实施例的混合写入操作及迁移(migration)操作。图9是示出根据本专利技术概念示例性实施例的当以多个写入比率执行写入操作时缓冲区大小与性能之间的关系的曲线图。图10是示出根据本专利技术概念示例性实施例的在多个写入比率情况下存储装置的寿命的曲线图。图11是示出根据本专利技术概念示例性实施例的在多个写入比率情况下存储装置的性能、缓冲区大小、及寿命的曲线图。图12是根据本专利技术概念示例性实施例的一种操作存储装置的方法的流程图。图13是根据本专利技术概念示例性实施例的一种操作存储装置的方法的流程图。图14是根据本专利技术概念示例性实施例的一种在主机与存储装置之间进行的操作的流程图。图15是根据本专利技术概念示例性实施例的一种操作存储装置的方法的流程图。图16是示出根据本专利技术概念示例性实施例的当写入比率随着时间改变时存储装置的寿命的曲线图。图17是说明根据本专利技术概念示例性实施例的图1所示存储装置的另一实例的方块图。图18说明根据本专利技术概念示例性实施例的以多个写入比率对图17所示存储器进行的混合写入操作。图19说明根据本专利技术概念示例性实施例的图18所示混合写入操作。图20是说明根据本专利技术概念示例性实施例的图1所示存储装置的另一实例的方块图。图21是示出施加至图20所示工作负荷监测器的第一周期及第二周期的曲线图。图22A至图22C是示出根据本专利技术概念示例性实施例的存储装置根据工作负荷来运行的曲线图。图23是根据本专利技术概念示例性实施例的一种操作存储装置的方法的流程图。图24是说明根据本专利技术概念示例性实施例的图1所示存储装置的另一实例的方块图。图25是说明根据本专利技术概念示例性实施例的图1所示存储装置的另一实例的方块图。图26是根据示例性实施例的电子设备的方块图。[符号的说明]1、2、3、4、5、6、7：模式10：存储系统51：单层单元写入操作/写入操作52：第一混合写入操作/写入操作52a、53a、54a、191a、192a、193a：三层单元写入区段52b、53b、54b、61b、62b、63b、191b、192b、193b：单层单元写入区段53：第二混合写入操作/写入操作54：第三混合写入操作/写入操作61：第一混合写入操作/写入操作61a、62a、63a：多层单元写入区段62：第二混合写入操作/写入操作63：第三混合写入操作/写入操作91、101、232、234：单层单元写入操作92、93、94、95、96、102、103、104、105、106、231、233：混合写入操作100、1300：存储装置100A、100B、100C、100D、100E：存储装置110、110’、110A、110B、110C：控制器110a：控制器111、111’、111a、111b、111c：写入比率管理器112、1100：处理器113：随机存取存储器114：主机界面115：存储器界面116：总线120：存储器/第一存储器120a、120b：存储器121、121a、131、141、151：单层单元区122、122a、132、142、152：三层单元区123、BLK4：区块130：第二存储器/存储器140：第三存储器/存储器150：第四存储器/存储器160：温度传感器171：混合写入模式172：单层单元写入模式191：第一混合写入操作/混合写入操作192：第二混合写入操作/混合写入操作193：第三混合写入操作/混合写入操作200：主机1000：电子设备1100：处理器1111：工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括第一存储区及第二存储区，其特征在于，所述方法包括：所述存储装置的控制器响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及所述控制器以经调整的所述写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区，其中所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且其中所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。

【技术特征摘要】
2016.09.19 KR 10-2016-01195601.一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括第一存储区及第二存储区，其特征在于，所述方法包括：所述存储装置的控制器响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及所述控制器以经调整的所述写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区，其中所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且其中所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储区是单层单元区，且所述第二存储区是多层单元区或三层单元区。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述写入比率对应于从所述第一存储区选择的区块的数目对从所述第二存储区选择的区块的数目的比率、从所述第一存储区选择的页面的数目对从所述第二存储区选择的页面的数目的比率、或从所述第一存储区选择的字线的数目对从所述第二存储区选择的字线的数目的比率。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述写入包括：将所述写入数据划分成多个部分数据；以及将所述多个部分数据交替地写入至所述第一存储区及所述第二存储区。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述写入包括交替地及重复地对所述第一存储区执行第一写入操作及对所述第二存储区执行第二写入操作，且以字线为单位在执行所述第一写入操作与执行所述第二写入操作之间进行切换。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整包括根据所述主机的要求动态地调整所述写入比率。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整包括基于从所述主机接收的写入模式动态地调整所述写入比率，所述写入模式指示所述写入比率。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：在接收所述写入模式之前，所述控制器根据所述写入比率向所述主机提供关于所述存储装置的性能、缓冲区大小、及寿命中的至少一个的信息。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整包括基于所接收的所述写入数据的大小及所接收的所述写入请求的频率中的至少一个来动态地调整所述写入比率。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整包括基于所述第一存储区及所述第二存储区的状态信息来动态地调整所述写入比率，且所述状态信息包括以下中的至少一个：所述第一存储区及所述第二存储区的编程/擦除循环信息、所述第一存储区及所述第二存储区中的自由区块的数目、及所述第一存储区及所述第二存储区的数据保持时间信息。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储区是易失性存储器且所述第二存储区是非易失性存储器。12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储区及所述第二存储区是易失性存储器。13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储区及所述第二存储区是非易失性存储器。14.一种操作存储装...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁相元，庆允英，崔贤镇，金志守，李俊镐，全镇完，郑在成，朴埈奭，郑镛祐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR