一种MOS管过流保护电路制造技术

本申请公开了一种MOS管过流保护电路，利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性，判断MOS管是否发生过流，其具体判断过程为，在接通MOS管后，若MOS管的导通电压VDS稳定，则判定MOS管正常运行中；若MOS管的导通电压VDS升高，则判定MOS管发生过流故障。与传统的MOS管过流保护电路相比，本申请的MOS管过流保护电路利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性，避免了高成本、高功耗电流采样器等装置的使用，大幅降低了保护电路的功耗与成本。

A MOS tube overcurrent protection circuit

The invention discloses a MOS tube over-current protection circuit, using MOS tube flow when the turn-on voltage of VDS will have the characteristics of pressure drop, any judgment flow tube MOS, the specific judgment process for, on MOS pipe, MOS pipe if the turn-on voltage of VDS stability is judged MOS tube in normal operation; if the MOS turn-on voltage increased VDS, determine the MOS tube overcurrent fault. With the traditional MOS tube overcurrent protection circuit compared to the application of MOS pipe and overcurrent protection circuit by using MOS tube flow when the turn-on voltage of VDS will have the characteristics of pressure drop, avoid the use of high cost, high power current sampling device, greatly reduces the power consumption and the cost of protection circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管过流保护电路
本申请涉及MOS管保护领域，尤其涉及一种MOS管过流保护电路。
技术介绍
近年来，半导体器件发展迅猛，MOS(MetalOxideSemiconductor，金属氧化物半导体)管因开关频率高、无机械损耗等特点逐渐取代继电器，继而成为电力设备中主要的电流控制元件，例如在开关放大器中，MOS管是控制其电流的关键器件。但是，MOS管缺乏电路过载能力，即当其所在电路发生短路或过流故障，MOS管极易被击穿。目前，解决该问题的方法通常为给MOS管增加过流保护电路。现有技术中，MOS管过流保护电路的工作原理为：通过电流采样器(例如电流传感器或分流器)采集电路上的电流信号，并将其反馈给控制器；控制器根据接收的电流信号，判断该电流是否超过预设的电流阀值，若超过，则切断MOS管，从而实现对MOS管的保护；否则，由电流采样器一直监控并采集电路上的电流信号，直至该电流超过预设的电流阀值或MOS管停止工作。但是，现有MOS管过流保护电路中使用的电流传感器或分流器一般具有较高的价格，且随着其功率的升高，其价格还将呈阶梯式上升，这就造成现有MOS管过流保护电路的成本较高，从而影响了该保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS管过流保护电路，用于与MOS管连接，其特征在于，所述MOS管过流保护电路包括第一电容(C1)、充电电路(L1)、放电电路(L2)与MOS管断开电路(L3)；所述第一电容(C1)串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间；所述充电电路(L1)与放电电路(L2)并联后串联在所述第一电容(C1)与MOS管驱动电路之间，所述充电电路(L1)用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号，并对所述第一电容(C1)充电，使所述第一电容(C1)的充电电压随MOS管的导通电压VDS同步升降；所述放电电路(L2)用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号，并对所述第一电容(C1)完全放电；所述MOS管...

【技术特征摘要】
1.一种MOS管过流保护电路，用于与MOS管连接，其特征在于，所述MOS管过流保护电路包括第一电容(C1)、充电电路(L1)、放电电路(L2)与MOS管断开电路(L3)；所述第一电容(C1)串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间；所述充电电路(L1)与放电电路(L2)并联后串联在所述第一电容(C1)与MOS管驱动电路之间，所述充电电路(L1)用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号，并对所述第一电容(C1)充电，使所述第一电容(C1)的充电电压随MOS管的导通电压VDS同步升降；所述放电电路(L2)用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号，并对所述第一电容(C1)完全放电；所述MOS管断开电路(L3)串联在所述第一电容(C1)与MOS管的G极之间，用于在所述第一电容(C1)的充电电压超过预设稳压值时，将MOS管的G极电压降低，从而使MOS管断开。2.根据权利要求1所述的MOS管过流保护电路，其特征在于，所述充电电路(L1)包括第一三极管(Q1)与第二三极管(Q2)，所述第一三极管(Q1)的c极通过第七电阻(R7)连接至第二三极管(Q2)的b极,所述第一三极管(Q1)的b极连接第二电阻(R2)的一端，所述第一三极管(Q1)的e极接地；所述第二电阻(R2)的另一端用于连接MOS管驱动电路；所述第二三极管(Q2)的e极用于连接直流电源，其c极通过第一电阻(R1)连接至所述第一电容(C1)的一端。3.根据权利要求1所述的MOS管过流保护电路，其特征在于，所述MOS管断开电路(L3)包括第四三极管(Q4)，所述第四三极管(Q4)的c极连接第六二极管(D6)的负极，所述第六二极管(D6)的正极用于连接MOS管的G极，所述第四三极管(Q4)的b极依次连接第二二极管(D2)的正极与第一二极管(D1)的负极，所述第一二极管(D1)的正极连接至所述第一电容(C1)的一端，其中，所述第二二极管(D2)为稳压二极管；所述M...

【专利技术属性】
技术研发人员：许守东，陈勇，李胜男，郭成，周鑫，
申请(专利权)人：云南电网有限责任公司电力科学研究院，
类型：新型
国别省市：云南,53