用于静电卡盘的热屏蔽制造技术
Thermal shielding for electrostatic chucks
The invention discloses a heat shield that can be placed between a heated electrostatic chuck and a substrate. Thermal shielding consists of a thermal insulator with a thickness between 1 and 5 dense ears, such as a polyimide film. The polyimide film is coated on one side with a reflective material, such as aluminum. The reflective material layer can be between 30 nanometers and 100 nanometers. The heat shield is placed so that the reflective material layer is closer to the chuck. Because the reflecting material layer is thinner, the heat shield does not maintain a large amount of heat. In addition, the temperature of the heat shield is much lower than the glass transition temperature of the polyimide film.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于静电卡盘的热屏蔽
本专利技术的实施方案涉及用于静电卡盘的热屏蔽，且更确切地说，涉及用于使加热的静电卡盘与基底绝缘的热屏蔽。
技术介绍
半导体装置的制造涉及多个离散且复杂的过程。半导体衬底通常在制造工艺期间经历许多过程。在处理衬底时，通常将衬底夹持到卡盘上。此夹持可在本质上是机械或静电的。所述静电卡盘传统上由多个层组成。顶部层(还被称作顶部电介质层)接触衬底，并且是由电绝缘或半导电材料制成，因为其产生不会形成短路的静电场。为了产生静电力，多个电极可安置在顶部电介质层下方。所述多个电极是由例如金属等导电材料建构。在某些应用中，离子植入可导致晶体缺陷(crystaldefects)及非晶化(amorphization)。此晶体损坏常常可以通过被称为退火的热处理恢复。然而，对于某些高剂量植入物及装置结构，典型的植入后退火可能不足以恢复由植入引起的全部损坏。已知在植入工艺期间加热衬底会减少对衬底的损坏且保留更多晶体结构以促进在退火工艺期间再生长。例如在通过静电力使衬底保持在适当的位置时，通常通过触点加热衬底，例如通过使用在工件与卡盘之间捕获的气体。还可直接通过卡盘加热衬...
【技术保护点】
一种设备，其包括：静电卡盘；基底，其处于比所述静电卡盘更低的温度下；及热屏蔽，其安置于所述静电卡盘与所述基底之间，其中所述热屏蔽包括在一个侧上涂覆有反射材料层的聚酰亚胺膜。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.29 US 62/186,0681.一种设备，其包括：静电卡盘；基底，其处于比所述静电卡盘更低的温度下；及热屏蔽，其安置于所述静电卡盘与所述基底之间，其中所述热屏蔽包括在一个侧上涂覆有反射材料层的聚酰亚胺膜。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射材料层包括铝。3.根据权利要求1所述的设备，其中使用化学气相沉积、物理气相沉积、等离子体增强型化学气相沉积或电子束蒸镀将所述反射材料层沉积在所述聚酰亚胺膜上。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射材料层在30纳米与100纳米之间，且所述聚酰亚胺膜具有在1密耳与5密耳之间的厚度。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射材料层安置在所述聚酰亚胺膜的更靠近所述静电卡盘的一侧上。6.根据权利要求1所述的设备，其中使用垫圈使所述热屏蔽与所述基底分开。7.根据权利要求6所述的设备，其中使用垫圈使所述热屏蔽与所述静电卡盘分开。8.根据权利要求1所述的设备，其中使用垫圈使所述热屏蔽与所述静电卡盘分开。9.根据权利要求1所述的设备，...
【专利技术属性】
技术研发人员：岱尔·K·史东，大卫·J·奇普曼，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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