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本发明揭示可安置于加热的静电卡盘与基底之间的热屏蔽。热屏蔽包括具有在1密耳与5密耳之间的厚度的热绝缘体，例如聚酰亚胺膜。聚酰亚胺膜在一个侧上涂覆有反射材料层，例如铝。所述反射材料层可在30纳米与100纳米之间。热屏蔽安置成使得所述反射材料层...
该专利属于瓦里安半导体设备公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦里安半导体设备公司授权不得商用。

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