电磁波屏蔽膜制造技术

本发明专利技术提供一种不易因擦拭指纹而变色的电磁波屏蔽膜。本发明专利技术的电磁波屏蔽膜含有绝缘层（110）、导电层（120），绝缘层（110）表面的三维（三次元）算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上。

Electromagnetic shielding film

The invention provides an electromagnetic wave shielding film that is not easily discoloring by wiping fingerprints. The electromagnetic shielding film of the invention comprises an insulating layer (110) and a conductive layer (120), and the arithmetic average surface roughness Sa of the three dimensional (three dimensional) surface of the insulating layer (110) is 0.8 m or more.

【技术实现步骤摘要】
电磁波屏蔽膜
专利技术涉及一种电磁波屏蔽膜。
技术介绍
近年来智能手机、平板型信息终端等对大容量数据高速传送的性能要求越来越高。要将大容量数据高速传送就需要高频信号。但使用高频信号则印制布线板上信号电路会产生电磁波噪声，导致周围机器运行错误。为防止运行错误就要屏蔽印制布线板使其不受电磁波影响。为屏蔽印制布线板，已有方法为将含有绝缘层、屏蔽层的电磁波屏蔽膜加热加压贴付到印制布线板以获得屏蔽印制布线板的方法。（例如、专利文献1）。电磁波屏蔽膜的绝缘层表面上，为保护绝缘层不受伤、不受异物影响，贴上了聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）树脂等形成的保护膜。保护膜会在电磁波屏蔽膜贴付在印制布线板后剥离。保护膜剥离前，绝缘层表面受到保护，屏蔽印制布线板可以光手接触。现有技术文献专利文献【专利文献1】特开2004－095566号公报。
技术实现思路
专利技术课题保护膜剥离后光手接触屏蔽印制布线板，则去掉保护膜后的绝缘层上可能附着指纹。附着指纹处会变色，外观受损。存在成品率低的问题。绝缘层有指纹附着对电磁波屏蔽特性几乎无影响。因此只要防止附着指纹造成的绝缘层变色就能防止屏蔽印制布线板的成品率低下。防止附着指纹造成绝缘层变色的方法可以是去除指纹。指纹去除一般使用洗剂（洗剤）、溶剂。对象是电磁波屏蔽膜的绝缘层，则洗剂（洗剤）、溶剂会影响屏蔽印制布线板的电特性，因此不能使用。以往，针对电磁波屏蔽膜想用无纺布等擦掉指纹而摩擦表面，则表面状态会局部变化，反而导致变色更严重。另外大力摩擦表面还会导致绝缘层从屏蔽层剥离，导致电磁波屏蔽膜破损。本专利技术课题提供一种不易因擦掉指纹而导致变色的电磁波屏蔽膜。解决手段本专利技术电磁波屏蔽膜的第1技术方案含有绝缘层、导电层，绝缘层表面的三维（三次元）算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上。电磁波屏蔽膜第1技术方案中，绝缘层表面的85°光泽度在20以下。本专利技术电磁波屏蔽膜第2技术方案含有绝缘层、导电层，绝缘层表面的均方根斜率（二乗平均平方根傾斜）Sdq为0．8以上且85°光泽度为10以下。本专利技术电磁波屏蔽膜第3技术方案含有绝缘层、导电层，绝缘层表面的偏度（スキューネス）Ssk为0．1以上且85°光泽度为10以下。电磁波屏蔽膜的各技术方案中，可以使绝缘层L＊值在25以下。专利技术效果本专利技术的电磁波屏蔽膜能防止擦拭指纹导致的变色。附图说明【图1】一实施方式中电磁波屏蔽膜的截面图；【图2】变形例中电磁波屏蔽膜的截面图；【图3】绝缘层的均方根斜率（二乗平均平方根傾斜）与光泽度关系的点绘图；【图4】绝缘层的偏度（スキューネス）与光泽度关系的点绘图。具体实施方式以下对本专利技术电磁波屏蔽膜进行具体说明。本专利技术不限于以下实施方式，在不变更本专利技术主旨的范围内可进行适当变形、应用。（电磁波屏蔽膜）图1为本实施方式中电磁波屏蔽膜的示意性概略截面图。如图1，电磁波屏蔽膜含有：绝缘层110、导电层即屏蔽层120。屏蔽层120与绝缘层110相反一侧的面上可以根据需要设置接着剂层130。设置接着剂层130就能简单地将电磁波屏蔽膜贴合于印制布线板。－绝缘层－绝缘层110为保护屏蔽层而设。本实施方式的电磁屏蔽膜中，表示绝缘层110的表面性状的参数——三维（三次元）算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上，1．0μm以上更佳。Sa在0．8μm以上，能够使绝缘层的表面几乎不会因擦拭指纹变色。此处所说几乎不会因擦拭指纹变色的表面是指，指纹附着部分经擦拭布（wipingcloth）等擦拭后表面呈现肉眼难以与指纹未附着部分区别的状态。从指纹成分实际的除去性角度考虑，Sa宜为10μm以下，5μm以下更佳，3μm以下更好。Sa在一定程度上较小的话，具有易从后述剥离膜剥离绝缘层的效果。Sa超过上述值较难擦拭附着的指纹。擦拭掉指纹后的绝缘层110表面用肉眼观察，对擦拭指纹变色的程度进行感官评价，由此就能定性评价。还能通过表面光泽度变化定量评价。定量评价方法可以是：使指纹附着再擦除，然后测定绝缘层110表面的85°光泽度。此时，使指纹附着再擦除后的85°光泽度宜为20以下，10以下更佳，此时擦拭指纹的痕迹很难被肉眼识别。其他定量的评价方法有：测定使指纹附着再擦除后绝缘层110表面的光泽度与指纹附着前的光泽度之差。即，使指纹附着再擦除后绝缘层110的表面的光泽度与指纹附着前光泽度之差越小则因擦拭指纹变色的程度越小。以85°光泽度为例，例如，使指纹附着再擦除后的光泽度与指纹附着前光泽度相比的光泽度差宜为4以下，3以下更佳，此时指纹未附着部分和指纹擦除部分难以被肉眼辨别。关于本实施方式中电磁波屏蔽膜，要防止因擦拭指纹而变色，可以如下设置绝缘层110表面的Sa以外的表面性状参数。均方根斜率（二乗平均平方根傾斜）Sdq宜为0．8以上，0．95以上更佳。指纹附着处与未附着处相比更容易反射光，指纹附着部分很显眼。绝缘层110的表面色调为黑色且L＊值越小指纹附着部分越显眼。在此，Sdq在某种程度上较大的话，表面能适当散射光，能防止指纹附着导致反射增强。尤其是L＊值在25以下时，增大Sdq能有效实现指纹附着部分不显眼的效果。此外，要使后述剥离膜易于从绝缘层剥离的话，Sdq宜为10以下，7．0以下更佳，3．0以下更好。偏度（スキューネス）Ssk宜为0．1以上，0．5以上更佳，1．0以上更好。关于Ssk，凹凸面中以平均面为基准的凸部和凹部呈现对称性，Ssk越大则以平均面为基准的凸部成分越少，凸部以外的部分（谷部和平坦部）相对增加。因此，在一定程度上增大Ssk就更容易擦拭指纹。此外，Ssk宜为10以下，5．0以下更佳，3．0以下更好。Ssk在上述范围内就能获得易于从后述剥离膜剥离绝缘层的效果。此外，最大峰高（山高さ）Sp宜为8．0μm以上。均方根（二乗平均平方根）偏差Sq宜为1．0μm以上，1．2μm以上更佳，1．3μm以上更好。突出峰部高度Spk宜为1．0μm以上，1．5μm以上更佳，1．7μm以上更好。中心部的空隙容积Vvc宜为1．1ml／m2以上，1．3ml／m2以上更佳。峰部的实体体积Vmp宜为0．07ml／m2以上，0．08ml／m2以上更佳，0．1ml／m2以上更好。此外，Sp在20μm以下为佳，18μm以下更佳，15μm以下更好。Sq在10μm以下为佳，5．0μm以下更佳，3．0μm以下更好。Spk在10μm以下为佳，5．0μm以下更佳，3．0μm以下更好。Vvc在10ml／m2以下为佳，5．0ml／m2以下更佳，3．0ml／m2以下更好。Vmp在1．0ml／m2以下为佳，0．5ml／m2以下更佳，0．3ml／m2以下更好。Sp、Spk、Vvc、Vmp分别在上述数值范围内则具有易从后述剥离膜剥离绝缘层的效果。此外，也可以用其他参数来规定不易因擦拭指纹变色的表面，而非用Sa来规定。例如，要获得不易因擦拭指纹变色的表面，宜采用以平均面为基准的凸部所占比例较小且凸部高度较高的表面。因此可选择：Sp为7．0μm以上，优选8．0μm以上且Ssk为0以上，优选0．1以上。此外可以选择：Sp为7．0μm以上，优选为8．0μm以上且Sdq为0．8以上，优选为0．9以上。此外可以选择：Sq为1．0μm以上、且Ssk为0以上优选0．1以上。此外可以选择：Sq为1．0μm以上优选1．2μm以上且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁波屏蔽膜，含有绝缘层、屏蔽层；其中，所述绝缘层表面的三维算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上。

【技术特征摘要】
2016.09.06 JP 2016-1737931.一种电磁波屏蔽膜，含有绝缘层、屏蔽层；其中，所述绝缘层表面的三维算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上。2.权利要求1所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于：所述绝缘层表面的85°光泽度在20以下。3.一种电磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：石冈宗悟，柳善治，
申请(专利权)人：拓自达电线株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP