籽晶夹头及直拉单晶炉制造技术

本发明专利技术公开了一种籽晶夹头及直拉单晶炉，所述籽晶夹头中设置一中空结构，所述中空结构贯通所述籽晶夹头的上下两端。将其应用于直拉单晶炉中，使得所述直拉单晶炉中的惰性保护气体(如氩气)可以通过所述中空结构冷却晶棒头部的中间部分，与晶棒的边缘散热速度保持一致，使整个晶棒散热均匀，克服晶棒边缘散热快，中间散热慢的现象，提高晶棒的晶体质量。另外，所述籽晶夹头的外径与一晶棒的直径相等，有利于抑制直拉单晶炉下端向上辐射传热，减少通过所述中空结构向上散失热量，降低长晶的功耗，稳定控制长晶过程的热场温度分布，有利于晶棒的生长，提高晶棒的晶体质量。

Seeded chuck and Czochralski single crystal furnace

The invention discloses a seed chuck and a Czochralski monocrystalline furnace. The seed chuck is provided with a hollow structure, and the hollow structure passes through the upper and the lower ends of the seed chuck. \u5c06\u5176\u5e94\u7528\u4e8e\u76f4\u62c9\u5355\u6676\u7089\u4e2d\uff0c\u4f7f\u5f97\u6240\u8ff0\u76f4\u62c9\u5355\u6676\u7089\u4e2d\u7684\u60f0\u6027\u4fdd\u62a4\u6c14\u4f53(\u5982\u6c29\u6c14)\u53ef\u4ee5\u901a\u8fc7\u6240\u8ff0\u4e2d\u7a7a\u7ed3\u6784\u51b7\u5374\u6676\u68d2\u5934\u90e8\u7684\u4e2d\u95f4\u90e8\u5206\uff0c\u4e0e\u6676\u68d2\u7684\u8fb9\u7f18\u6563\u70ed\u901f\u5ea6\u4fdd\u6301\u4e00\u81f4\uff0c\u4f7f\u6574\u4e2a\u6676\u68d2\u6563\u70ed\u5747\u5300\uff0c\u514b\u670d\u6676\u68d2\u8fb9\u7f18\u6563\u70ed\u5feb\uff0c\u4e2d\u95f4\u6563\u70ed\u6162\u7684\u73b0\u8c61\uff0c\u63d0\u9ad8\u6676\u68d2\u7684\u6676\u4f53\u8d28\u91cf\u3002 In addition, the seed chuck and a diameter equal to the diameter of the crystal rod, to suppress the lower single-crystal furnace to reduce heat radiation, through the hollow structure to heat dissipation, reduce power consumption growth, stable temperature of the thermal field distribution control of the crystal growth process, is conducive to the growth of crystal bar to improve the quality of crystal crystal bar.

【技术实现步骤摘要】
籽晶夹头及直拉单晶炉
本专利技术涉及晶棒生长领域，具体涉及一种籽晶夹头及直拉单晶炉。
技术介绍
单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件。大部分的半导体级单晶硅采用直拉法制造，采用直拉法的单晶硅生长方法中，请参阅图1a-图1c，单晶硅在生长时采用惰性气体如氩气做保护气体(图1a、图1b和图1c中粗黑色箭头表示氩气气流方向)，多晶硅被装进石英坩埚10内加热熔化变为硅熔体11，把一个具有特定晶向的籽晶12固定在籽晶夹头13的下端，籽晶夹头13的上端通过一连接杆14连接一联动结构15，联动机构15用于控制籽晶12的运动。首先，将籽晶12与硅熔体11熔接(如图1a所示)，开始进入引晶阶段；接着，通过调整硅熔体11的温度、籽晶12向上的提升速度等，使单晶硅16经过放肩阶段和转肩阶段不断长大(如图1b和图1c所示)。然而，在现有技术中形成的单晶硅16的前段(约100mm高度)的晶体质量均较差，无法满足实际需要，造成较大浪费。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种籽晶夹头及直拉单晶炉，实现在直拉法制备晶棒时，提高晶棒的晶体质量，提高整个晶棒的利用率和降低成本。为解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种籽晶夹头，其特征在于，所述籽晶夹头中设置一中空结构，所述中空结构贯通所述籽晶夹头的上下两端。

【技术特征摘要】
1.一种籽晶夹头，其特征在于，所述籽晶夹头中设置一中空结构，所述中空结构贯通所述籽晶夹头的上下两端。2.如权利要求1所述的籽晶夹头，其特征在于，所述中空结构在高度方向上的截面的形状为四边形。3.如权利要求2所述的籽晶夹头，其特征在于，所述四边形为倒梯形。4.如权利要求1所述的籽晶夹头，其特征在于，所述中空结构在宽度方向上的截面的形状为圆形或多边形。5.如权利要求4所述的籽晶夹头，其特征在于，所述多边形的边数为3-12个。6.如权利要求1至5任意一项所述的籽晶夹头，其特征在于，所述籽晶夹头的外径与一晶棒的直径相等。7.如权利要求6所述的籽晶夹头，其特征在于，所述外径的大小为100mm-600mm。8.如权利要求7所述的籽晶夹头，其特征在于，所述籽晶夹头的内径的最大值为所述外径的1/3至2/3。9.如权利要求8所述的籽晶夹头，其特征在于，所述籽晶夹头的内径的最小值为所述外径的1/5至1/3。10.如权利要求1所述的籽晶夹头，其特征在于，所述籽晶夹头的高度为100mm-600mm。11.如权利要求1所述的籽晶夹头，其特征在于，所述籽晶夹头的形状为圆柱体或棱柱体。12.如权利要求11所述的籽晶夹头，其特征在于，所述棱柱体的边数为3-12个。13.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓先亮，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31