一种高介电常数薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高介电常数薄膜的制备方法，方法包括以下步骤：(1)将前驱体原料、催化剂、无水醇类溶剂以及去离子水混合，制备溶胶先驱；(2)将步骤(1)得到的溶胶先驱置于基板上形成液膜，再将覆有液膜的基板放置于加热板上进行固化，得到固体膜；(3)将步骤(2)得到的固体膜置于马弗炉中进行烧结，得到高介电常数薄膜。本发明专利技术实现了多组分材料的高介电常数薄膜制备，且成本低、工艺简单。

Preparation of a high dielectric constant thin film

【技术实现步骤摘要】
一种高介电常数薄膜的制备方法
本专利技术实施例涉及薄膜制备技术，尤其涉及一种高介电常数薄膜的制备方法。
技术介绍
高介电常数材料是储能器件中的重要组成部分，而随着电子器件的微型化，集成化，高介电常数材料的薄膜化越来越重要。目前，传统的薄膜制备方法主要有磁控溅射法，气相沉积法和激光脉冲法等。传统的薄膜制备方法均需要价格昂贵的设备和原料，且工艺复杂。此外，对于多组分的材料，传统的薄膜制备方法很难得到准确的原子质量比，将会造成薄膜的质量下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种高介电常数薄膜的制备方法，以实现多组分材料的高介电常数薄膜的制备，且成本低、工艺简单。本专利技术提供了一种高介电常数薄膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)将前驱体原料、催化剂、无水醇类溶剂以及去离子水混合，制备溶胶先驱；(2)将步骤(1)得到的溶胶先驱置于基板上形成液膜，再将所述覆有液膜的基板放置于加热板上进行固化，得到固体膜；(3)将步骤(2)得到的固体膜置于马弗炉中进行烧结，得到高介电常数常数薄膜。进一步地，步骤(1)所述的前驱体原料选自钛酸四丁酯、三水硝酸铜和一水醋酸钙；步骤(1)所述的催化剂选自浓盐酸、浓硫酸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高介电常数薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将前驱体原料、催化剂、无水醇类溶剂以及去离子水混合，制备溶胶先驱；(2)将步骤(1)得到的溶胶先驱置于基板上形成液膜，再将所述覆有液膜的基板放置于加热板上进行固化，得到固体膜；(3)将步骤(2)得到的固体膜置于马弗炉中进行烧结，得到高介电常数薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种高介电常数薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将前驱体原料、催化剂、无水醇类溶剂以及去离子水混合，制备溶胶先驱；(2)将步骤(1)得到的溶胶先驱置于基板上形成液膜，再将所述覆有液膜的基板放置于加热板上进行固化，得到固体膜；(3)将步骤(2)得到的固体膜置于马弗炉中进行烧结，得到高介电常数薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的前驱体原料选自钛酸四丁酯、三水硝酸铜和一水醋酸钙；步骤(1)所述的催化剂选自浓盐酸、浓硫酸或冰醋酸中任意一种；步骤(1)所述的无水醇类溶剂选自乙醇、乙二醇或甲醇中任意一种或至少两种的组合。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的混合方法为先将前驱体原料溶解于无水醇类溶剂中，再向其中加入催化剂溶解，最后向其中加入去离子水溶解；所述溶解的方法为震荡溶解、搅拌溶解、超声溶解或加热溶解中的任意一种或至少两种的组合；所述溶解的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周燕红，
申请(专利权)人：周燕红，
类型：发明
国别省市：江苏,32