光酸生成化合物和相关聚合物，光致抗蚀剂组合物，和形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法技术

一种光酸生成化合物，其具有以下结构

Photoluminescent compounds and related polymers, photoinduced anticorrosive compositions, and methods for the formation of a photoinduced embossing image

A photoacid producing compound with the following structure

【技术实现步骤摘要】
光酸生成化合物和相关聚合物，光致抗蚀剂组合物，和形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法
本专利技术涉及一种光酸生成化合物，由包含可聚合基团的光酸生成化合物的实施例形成的聚合物，包含所述光酸生成化合物、所述聚合物或其组合的光致抗蚀剂组合物，以及利用所述光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法。
技术介绍
正在使用如电子束和极紫外(EUV)光刻技术的高级光刻技术来形成精细图案。除了其它工艺和曝光工具相关要求之外，将图案尺寸进一步缩小到25纳米和更小尺寸还需要研发高分辨、化学增幅型光致抗蚀剂组合物。已经证明，使用慢扩散光酸生成(PAG)化合物对提高分辨率和图案质量至关重要。通过将酸性单元附接到一个或多个庞大取代基来实现化学增幅型光致抗蚀剂组合物中的缓慢酸扩散。然而，使用庞大取代基通常会降低PAG化合物的溶解度，这与光致抗蚀剂层中的PAG化合物聚集和/或不均匀的PAG化合物分布以及在光刻加工期间和之后的缺陷形成相关联。仍需要如下光酸生成化合物：其展现溶解度和线宽粗糙度的改善平衡，而不会损害具有庞大取代基的低溶解度PAG化合物的短酸扩散特性。
技术实现思路
一个实施例是一种具有以下结构的光酸生成化合物：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光酸生成化合物，其具有以下结构

【技术特征摘要】
2016.08.31 US 15/2525221.一种光酸生成化合物，其具有以下结构其中R1是包含羟基、内酯基或其组合的C6-20多环烃基；R2是包含羟基、内酯基或其组合的C6-20多环烃基；或-[(CH2)n-Y-SO3-Z+]，其中n是0、1或2；Y是包含至少一个氟原子的C1-4亚烷基，其条件是当n是0时，Y是包含至少一个氟原子的C2-4亚烷基；并且Z+是有机阳离子；R3和R4各自独立地是氢、氰基、C1-6烷基、C1-6氟烷基、任选地经取代的C6-12芳基，或-C(O)O-R11，其中R11是任选地包含一个或多个杂原子的C1-20烷基；并且Q是其中R5和R6各自独立地是氢、氟、氰基、三氟甲基、C1-6烷基、包含内酯基的C6-20烃基，或-OR12，其中R12是C1-20烷基，或包含内酯基的C6-20烃基；并且R7、R8、R9和R10各自独立地是氢；羟基：-OR13，其中R13是任选地包含一个或多个杂原子的C1-20烃基；-SR13，其中R13如上所定义；-OC(O)R13，其中R13如上所定义；-N(R14)C(O)R13，其中R13如上所定义，并且R14是氢或任选地包含一个或多个杂原子的C1-20烃基；-[OC(O)C(Ra)＝CH2]，其中Ra是氢或氟或氰基或C1-10烷基或C1-10氟烷基；-[O-(CH2)n-Y-SO3-Z+]，其中n、Y和Z+如上所定义；-[S-(CH2)n-Y-SO3-Z+]，其中n、Y和Z+如上所定义；或-[O-C(O)-(CH2)n-Y-SO3-Z+]，其中n、Y和Z+如上所定义；并且X是-CH2-、-O-、-C(O)-、-S(O)-或-S(O)2-；其条件是所述光酸生成化合物包含存在恰好一个-[(CH2)n-Y-SO3-Z+]，存在1或2个包含羟基、内酯基或其组合的所述C6-20多环烃基，以及总共存在1、2或3个羟基和内酯基；并且其条件是当Q是并且R5、R6、R7、R8、R9和R10是氢，并且R2是-[(CH2)n-Y-SO3-Z+]时，那么R1不包括C(O)O-基团和-S(O)2-基团。2.根据权利要求1所述的光酸生成化合物，其中Q是其中R5和R6是氢；并且R2是-[(CH2)n-Y-SO3-Z+]，其中n是0、1或2；Y是包含至少一个氟原子的C1-4亚烷基，其条件是当n是0时，Y是包含至少一个氟原子的C2-4亚烷基；并且Z+...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·阿卡德，W·威廉姆斯三世，刘聪，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US