石墨烯层的形成方法技术

一种石墨烯层的形成方法包括：在衬底之上沉积第一材料层；以及在所述第一材料层之上沉积石墨烯层，从而形成第一组件。所述方法还包括：将载体附着至所述石墨烯层；自所述第一组件移除所述衬底；以及自所述第一组件移除所述第一材料层。

The formation of graphene layer

A graphene layer is formed by depositing the first material layer on the substrate, and depositing the graphene layer on the first material layer, thereby forming the first component. The method also includes attaching the carrier to the graphene layer, removing the substrate from the first component, and removing the first material layer from the first component.

【技术实现步骤摘要】
石墨烯层的形成方法
本专利技术的实施例涉及一种石墨烯层的形成方法。
技术介绍
随着半导体产业进展到追求更高装置密度、更高性能及更低成本的纳米技术，已对半导体制造中使用的光刻工具提出了更严格的要求。已利用例如极紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻等技术来支持更小集成电路(IC)装置的临界尺寸(criticaldimension，CD)需求。极紫外光刻使用波长为约1纳米至100纳米(例如13.5纳米)的极紫外区中的辐射，所述波长比深紫外(deepultraviolet，DUV)光刻(例如，193纳米光刻)中的波长短得多。极紫外光刻使用朝向目标物(例如硅晶片)反射来自辐射源的极紫外辐射的掩模(或掩模版(reticle))，从而将来自所述掩模的图案转移至所述目标物。极紫外掩模的表面上的任何缺点(以及嵌入极紫外掩模中的缺点)可在所述目标物上造成成像缺点。因此，在光刻工艺期间保护极紫外掩模表面是重要的。与传统上采用薄膜来保护掩模表面的深紫外光刻中使用的掩模不同，当前难以大规模地制造用于极紫外掩模的有效薄膜。一个原因在于极紫外辐射的波长非常短且传统薄膜的隔膜将会大量吸收所述极紫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯层的形成方法，其特征在于，包括：在衬底之上沉积第一材料层；在所述第一材料层之上沉积石墨烯层，从而形成具有所述衬底、所述第一材料层及所述石墨烯层的第一组件；将载体附着至所述石墨烯层；自所述第一组件移除所述衬底；以及自所述第一组件移除所述第一材料层。

【技术特征摘要】
2016.09.01 US 62/382,542;2016.11.18 US 15/356,3861.一种石墨烯层的形成方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂志强，陈俊郎，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71