半导体器件中的电感器结构制造技术

一种电感器结构包括与电感器的第一层相对应的第一迹线集、与该电感器的第二层相对应的第二迹线集、以及与该电感器的位于第一层和第二层之间的第三层相对应的第三迹线集。第一迹线集包括第一迹线和平行于第一迹线的第二迹线。第一迹线的尺寸不同于第二迹线的对应尺寸。第二迹线集耦合至第一迹线集。第二迹线集包括耦合至第一迹线和第二迹线的第三迹线。第三迹线集耦合至第一迹线集。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件中的电感器结构I.优先权要求本申请要求共同拥有的于2015年6月22日提交的美国非临时专利申请No.14/746,652的优先权，该非临时专利申请的内容通过援引全部明确纳入于此。II.领域本公开一般涉及电感器结构。III.相关技术描述半导体器件(诸如射频(RF)滤波器等)可包括电感器。在许多实例中，电感器可组合电容器来使用。电感器的性能(诸如由品质因数(Q)所指示的)可取决于电感器的构造(例如，结构)。具有带相对高品质因数的螺线管设计的常规电感器可能占用很大面积，这可增加制造电感器的成本。IV.概述本公开描述了电感器(诸如螺线管电感器)的形成和结构。电感器可包括各自与半导体器件的不同层相关联的多个迹线集。例如，电感器可包括三个迹线集，且每一迹线集可以与半导体器件的不同层相关联。至少一个迹线集(或其迹线子集)可具有楔形构造。例如，特定迹线集的各迹线可在长度和/或宽度上渐增。附加地或替换地，特定迹线集的每一迹线可与该特定迹线集的其他迹线平行。在一些实现中，该多个迹线集可包括与电感器的第一层相关联的第一平行迹线集、与该电感器的第二层相关联的第二非平行迹线集、以及与该电感器的第三层相关联的第三平行迹线集。该多个迹线集中的一者或多者可具有楔形构造。第一平行迹线集可与第三平行迹线集(在纵向方向上)交叠。在一特定实现中，第一平行迹线集的第一迹线与第三平行迹线集的第二迹线至少部分地交叠。在一些实现中，第一迹线可与第二迹线完全交叠。在一示例性实现中，该多个迹线集可包括第一迹线集和第二迹线集，且第一迹线集和第二迹线集的每一迹线可包括平行迹线子集和非平行迹线子集。第一迹线集的平行迹线子集可耦合至第二迹线集的非平行迹线子集(并且至少部分地与之交叠)。第二迹线集的平行迹线子集可耦合至第一迹线集的非平行迹线子集(并且至少部分地与之交叠)。各迹线子集中的一者或多者可具有楔形构造。在一些实现中，楔形构造可包括具有不同长度和/或宽度的迹线的集合，与其中迹线的长度和/或宽度不变化的常规电感器相比，这可改进电感器的电感和/或品质因数(Q)。例如，楔形构造可降低电感器结构的电容，这可造成改善的品质因数(Q)。另外，与具有矩形构造的常规电感器相比，具有楔形构造的电感器可具有减小的占用面积，这可降低制造成本并使得该电感器更适于移动/嵌入式应用。在一特定方面，一种电感器结构包括与电感器的第一层相对应的第一迹线集。第一迹线集包括第一迹线和第二迹线，其中第一迹线平行于第二迹线。第一迹线的尺寸(例如，长度或宽度)不同于第二迹线的对应尺寸。该电感器结构进一步包括与电感器的第二层相对应的第二迹线集。第二迹线集耦合至第一迹线集。第二迹线集包括耦合至第一迹线和第二迹线的第三迹线。该半导体结构还包括与该电感器的第三层相对应的第三迹线集。第三层位于第一层和第二层之间。第三迹线集耦合至第一迹线集。在另一特定方面，一种设备包括与电感器的第一层相对应的用于传导电流的第一装置。用于传导电流的第一装置包括第一迹线和第二迹线，其中第一迹线平行于第二迹线。第一迹线的尺寸不同于第二迹线的对应尺寸。该设备进一步包括与该电感器的第二层相对应的用于传导电流的第二装置。用于传导电流的第二装置耦合至用于传导电流的第一装置。用于传导电流的第二装置包括耦合至第一迹线和第二迹线的第三迹线。该设备还包括与该电感器的第三层相对应的用于传导电流的第三装置。第三层位于第一层和第二层之间。用于传导电流的第三装置耦合至第一迹线集。在另一特定方面，一种电感器结构包括与电感器的第一层相对应的第一迹线集。第一迹线集包括第一迹线子集和第二迹线子集，其中第一迹线子集的每一迹线平行于第一迹线子集的其他迹线。第二迹线子集中的至少一个迹线不平行于第一迹线子集中的每一迹线。该电感器结构进一步包括与该电感器的第二层相对应的第二迹线集。第二迹线集包括第三迹线子集和第四迹线子集。第三迹线子集中的每一迹线平行于第三迹线子集中的其他迹线。第四迹线子集中的至少一个迹线不平行于第三迹线子集中的每一迹线。在另一特定方面，一种形成电感器结构的方法包括形成与电感器的第一层相对应的第一迹线集。第一迹线集包括第一迹线和第二迹线，其中第一迹线平行于第二迹线。第一迹线的尺寸不同于第二迹线的对应尺寸。该方法进一步包括形成与该电感器的第二层相对应的第二迹线集。第二迹线集耦合至第一迹线集。第二迹线集包括耦合至第一迹线和第二迹线的第三迹线。该方法还包括形成与该电感器的第三层相对应的第三迹线集。第三层位于第一层和第二层之间。第三迹线集耦合至第一迹线集。本公开的其他方面、优点和特征将在阅读了整个申请后变得明了，整个申请包括以下章节：附图简述、详细描述、以及权利要求书。V.附图简述图1是包括电感器的系统的特定解说性方面的框图；图2解说了电感器结构的第一示例；图3解说了电感器结构的第二示例；图4解说了电感器结构的第三示例；图5解说了电感器结构的第四示例；图6解说了电感器结构的第五示例；图7是形成电感器结构的方法的特定解说性方面的流程图；图8是形成电感器结构的另一方法的特定解说性方面的流程图；图9是包括图1的电感器的电子设备的框图；以及图10是制造包括图1的电感器的电子设备的制造过程的特定解说性方面的数据流图。VI.详细描述以下参照附图来描述本公开的特定方面。在本描述中，共同特征由共同参考标记来标明。参照图1，示出了系统100的第一特定解说性方面。系统100可包括被配置成处理射频(RF)信号的无线接口电路系统110。无线接口电路系统110可包括控制器120和滤波器130，诸如RF滤波器。控制器120可被配置成控制对由无线接口电路系统110接收到的一个或多个信号的处理。滤波器130可包括电感器140，诸如螺线管电感器(例如，平面螺旋管电感器)。电感器140可以与电感器结构相关联，诸如代表性电感器结构142。在一些实现中，无线接口电路系统110可包括可耦合至电感器140的一个或多个附加组件，诸如电容器。电感器结构142可包括各自与电感器140的不同层相关联的多个迹线集，诸如半导体器件的包括电感器140的不同层。例如，电感器结构142可至少包括与该半导体器件的第一层相关联的第一迹线集、与该半导体器件的第二层相关联的第二迹线集、以及与该半导体器件的第三层相关联的第三迹线集。第三迹线集(例如，第三层)可位于第一迹线集(例如，第一层)和第二迹线集(例如，第二层)之间。在一些实现中，该半导体器件可包括多个半导体器件，诸如包括第一层的第一半导体器件和包括第二层的第二半导体器件。每一迹线集可包括一个或多个迹线。例如，第一迹线集可包括第一迹线150和第二迹线152，第二迹线集可包括第三迹线160，且第三迹线集可包括第四迹线170。虽然第二迹线集和第三迹线集中的每一者被解说为包括单个迹线，但在其他实现中，第二迹线集和/或第三迹线集可包括多个迹线。电感器140的迹线可通过连接器在不同层之间被耦合，诸如第一连接器180、第二连接器182以及第三连接器184。作为解说性非限定性示例，特定连接器可包括通孔结构(例如，穿硅通孔(TSV)或穿玻通孔)、凸块结构(例如，焊料凸块)、或其组合。本文参考图4进一步描述了连接器的示例。电感器140可包括第一端子和第二端子。第一端子可耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感器结构，包括与电感器的第一层相对应的第一迹线集，其中所述第一迹线集包括第一迹线和第二迹线，其中所述第一迹线平行于所述第二迹线，并且其中所述第一迹线的尺寸不同于所述第二迹线的对应尺寸；与所述电感器的第二层相对应的第二迹线集，其中所述第二迹线集耦合至所述第一迹线集，其中所述第二迹线集包括第三迹线，并且其中所述第三迹线耦合至所述第一迹线和所述第二迹线；以及与所述电感器的第三层相对应的第三迹线集，所述第三迹线集耦合至所述第一迹线集，其中所述第三层位于所述第一层和所述第二层之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.22 US 14/746,6521.一种电感器结构，包括与电感器的第一层相对应的第一迹线集，其中所述第一迹线集包括第一迹线和第二迹线，其中所述第一迹线平行于所述第二迹线，并且其中所述第一迹线的尺寸不同于所述第二迹线的对应尺寸；与所述电感器的第二层相对应的第二迹线集，其中所述第二迹线集耦合至所述第一迹线集，其中所述第二迹线集包括第三迹线，并且其中所述第三迹线耦合至所述第一迹线和所述第二迹线；以及与所述电感器的第三层相对应的第三迹线集，所述第三迹线集耦合至所述第一迹线集，其中所述第三层位于所述第一层和所述第二层之间。2.如权利要求1所述的电感器结构，其特征在于，所述第一迹线的尺寸包括长度。3.如权利要求1所述的电感器结构，其特征在于，所述第一迹线的尺寸包括宽度。4.如权利要求1所述的电感器结构，其特征在于，所述第三迹线集进一步包括第四迹线和第五迹线，其中所述第四迹线耦合至所述第二迹线，其中所述第四迹线平行于所述第五迹线，并且其中所述第四迹线和所述第五迹线具有不同长度。5.如权利要求4所述的电感器结构，其特征在于，所述第一迹线与所述第五迹线至少部分地交叠，并且其中所述第二迹线与所述第四迹线至少部分地交叠。6.如权利要求1所述的电感器结构，其特征在于，进一步包括与所述电感器的第四层相对应的第四迹线集，所述第四迹线集耦合至所述第三迹线集，并且其中所述第四层位于所述第一层和所述第二层之间。7.如权利要求6所述的电感器结构，其特征在于，所述第四迹线集包括第六迹线和第七迹线，其中所述第六迹线平行于所述第七迹线，并且其中所述第三迹线耦合至所述第六迹线和所述第七迹线。8.如权利要求1所述的电感器结构，其特征在于，所述第一迹线集进一步包括平行于所述第一迹线和所述第二迹线的附加迹线，其中所述第二迹线位于所述第一迹线和所述附加迹线之间，并且其中所述第二迹线的对应尺寸大于所述第一迹线的尺寸且小于所述附加迹线的第二对应尺寸。9.如权利要求1所述的电感器结构，其特征在于，所述第一迹线集进一步包括平行于所述第一迹线和所述第二迹线的第八迹线，其中所述第二迹线位于所述第一迹线和所述第八迹线之间，其中所述第一迹线和所述第二迹线分开第一距离，其中所述第二迹线和所述第八迹线分开第二距离，并且其中所述第一距离不同于所述第二距离。10.如权利要求1所述的电感器结构，其特征在于，所述第一迹线集包括多个迹线，其中所述多个迹线中的每一迹线具有不同长度，并且其中所述第一迹线集具有楔形构造。11.如权利要求1所述的电感器结构，其特征在于，所述尺寸包括长度，并且其中所述第一迹线的第一宽度不同于所述第二迹线的第二宽度。12.如权利要求11所述的电感器结构，其特征在于，所述第一迹线的尺寸小于所述第二迹线的对应尺寸，并且其中所述第一宽度小于所述第二宽度。13.如权利要求1所述的电感器结构，其特征在于，所述第一迹线集包括第一迹线子集和第二迹线子集，其中所述第一迹线子集的每一迹线平行于所述第一迹线子集的其他迹线，并且其中所述第二迹线子集的每一迹线不平行于所述第二迹线子集的其他迹线。14.如权利要求13所述的电感器结构，其特征在于，所述第二迹线集包括第三迹线子集和第四迹线子集，其中所述第三迹线子集的每一迹线平行于所述第三迹线子集的其他迹线，并且其中所述第四迹线子集的每一迹线不平行于所述第四迹线子集的其他迹线。15.一种设备，包括：与电感器的第一层相对应的用于传导电流的第一装置，其中所述用于传导电流的第一装置包括第一迹线和第二迹线，其中所述第一迹线平行于所述第二迹线，并且其中所述第一迹线的尺寸不同于所述第二迹线的对应尺寸；与所述电感器的第二层相对应的用于传导电流的第二装置，其中所述用于传导电流的第二装置耦合至所述用于传导电流的第一装置，其中所述用于传导电流的第二装置包括第三迹线，并且其中所述第三迹线耦合至所述第一迹线和所述第二迹线；以及与所述电感器的第三层相对应的用于传导电流的第三装置，所述用于传导电流的第三装置耦合至所述用于传导电流的第一装置，其中所述第三层位于所述第一层和所述第二层之间。16.如权利要求15所述的设备，其特征在于，进一步包括：用于将所述用于传导电流的第一装置耦合至所述用于传导...

【专利技术属性】
技术研发人员：UM·乔，Y·K·宋，JH·李，J·H·永恩，S·崔，X·张，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US