在导电高分子上形成线路的方法及可挠式触控装置制造方法及图纸

一种在导电高分子上形成线路的方法包含以下操作。在基板上形成导电高分子层。接着，在导电高分子层上形成金属氧化层。继续于金属氧化层上形成金属层。于金属层上形成第一图案化光阻层，且第一图案化光阻层具有至少一开口暴露金属层的第一部分。使用第一蚀刻液蚀刻金属层暴露的所述第一部分以及对应所述第一部分下方的导电高分子层和金属氧化层。接着，在移除第一图案化光阻层后，形成第二图案化光阻层以暴露出金属层的第二部分。使用第二蚀刻液蚀刻金属层暴露出的第二部分。此方法可以使线路在导电高分子上具有良好的附着力。

【技术实现步骤摘要】
在导电高分子上形成线路的方法及可挠式触控装置
本专利技术是有关一种在导电高分子上形成线路的方法以及一种可挠式触控装置。
技术介绍
现今的智慧型手机、平板电脑等终端需求，刺激触控技术朝向薄厚度、窄边框与低成本产品发展。目前市面上各式各样具有窄边框的产品，其边框宽度皆取决于金属导线的线宽与线距。一般网版印刷技术所得到的线宽约为60～80微米，凹版印刷技术所得到的线宽约为30～50微米，银将印刷技术所得到的线宽约为20～30微米，最普遍的黄光蚀刻制程则是15微米。然而，在使用黄光蚀刻制程的操作中，常用的蚀刻液容易造成产品的电性异常。此外，形成的细金属导线也容易产生附着性不佳而剥离的问题。
技术实现思路
本专利技术之一态样系提供一种在导电高分子上形成线路的方法，包含下列操作。首先，在基板上形成导电高分子层。接着，在导电高分子层上形成金属氧化层。继续于金属氧化层上形成金属层。然后，在金属层上形成第一图案化光阻层，且第一图案化光阻层具有至少一开口暴露金属层的第一部分。使用第一蚀刻液蚀刻金属层暴露的所述第一部分以及对应所述第一部分下方的导电高分子层和金属氧化层。接着，在移除第一图案化光阻层后，形成第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在导电高分子上形成线路的方法，其特征在于，包含：形成一导电高分子层于一基板上；形成一金属氧化层于该导电高分子层上；形成一金属层于该金属氧化层上；形成一第一图案化光阻层于该金属层上，该第一图案化光阻层具有至少一开口暴露该金属层的一第一部分；使用一第一蚀刻液蚀刻该金属层暴露的该第一部分以及对应该第一部分下方的该导电高分子层和该金属氧化层；移除该第一图案化光阻层；形成一第二图案化光阻层以暴露出该金属层的一第二部分；以及使用一第二蚀刻液蚀刻该金属层暴露出的该第二部分。

【技术特征摘要】
1.一种在导电高分子上形成线路的方法，其特征在于，包含：形成一导电高分子层于一基板上；形成一金属氧化层于该导电高分子层上；形成一金属层于该金属氧化层上；形成一第一图案化光阻层于该金属层上，该第一图案化光阻层具有至少一开口暴露该金属层的一第一部分；使用一第一蚀刻液蚀刻该金属层暴露的该第一部分以及对应该第一部分下方的该导电高分子层和该金属氧化层；移除该第一图案化光阻层；形成一第二图案化光阻层以暴露出该金属层的一第二部分；以及使用一第二蚀刻液蚀刻该金属层暴露出的该第二部分。2.如权利要求1所述之在导电高分子上形成线路的方法，其特征在于，该导电高分子层包含聚(3,4-乙烯二氧吩)/聚苯乙烯磺酸。3.如权利要求1所述之在导电高分子上形成线路的方法，其特征在于，该金属氧化层包含氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓。4.如权利要求1述之在导电高分子上形成线路的方法，其特征在于，该第一蚀刻液包含王水或硝酸。5.如权利要求1述之在导电高分子上形成线路的方法，其特征在于，该第二蚀刻液包含氯化铁或氯化铜。6.一种可挠式触控装置，其特征在于，包含：一第一基板，包含一第一感测区及一第一周边区位于该第一感测区的一侧；一第一触控电极，位于该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡缘蓁，
申请(专利权)人：业成科技成都有限公司，业成光电深圳有限公司，英特盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51