检查表面的方法和制造半导体器件的方法技术

提供了检查表面的方法和制造半导体器件的方法。所述的方法包括：制备基板；通过设定成像光学系统的放大倍率选择第一光学装置的空间分辨率；朝向基板的第一测量区域发射多波长光并获得第一特定波长图像；基于第一特定波长图像，产生第一光谱数据；基于第一特定波长图像，产生各个像素的第一光谱数据；以及从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱；以及分析该光谱。第一光学装置包括光源、物镜、检测器和成像光学系统。获得第一特定波长图像包括使用成像光学系统和检测器。

【技术实现步骤摘要】
检查表面的方法和制造半导体器件的方法
本专利技术构思涉及一种检查表面的方法和/或一种制造半导体器件的方法，更具体地，涉及包括检查微区域(micro-area)的表面的操作的检查表面的方法和/或制造半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件可以通过在晶片上进行许多(例如几百个)制造工艺而制造。在这种情形下，为了提高晶片的良率和品质，使用其中制造工艺的结果在进行每个制造工艺之后被快速地检查或测量的技术。此外，根据最近的半导体器件的高集成度，使用其中精细图案或复杂结构以高速度被检查的技术。
技术实现思路
本专利技术构思涉及一种检查表面的方法和/或一种制造半导体器件的方法，该检查表面的方法包括检查微区域的操作。根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种检查表面的方法包括：制备基板，该基板是检查对象；选择第一光学装置的空间分辨率；朝向基板的第一测量区域发射多波长光；获得第一特定波长图像；基于第一特定波长图像，产生第一光谱数据；从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱；以及分析该光谱。第一光学装置包括配置为发射光的光源、配置为使从光源接收的光透射的物镜、检测器、以及配本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检查表面的方法，该方法包括：制备基板，该基板是检查对象；选择第一光学装置的空间分辨率，所述第一光学装置包括配置为发射光的光源、配置为透射从所述光源接收的光的物镜、检测器、以及配置为使由所述检测器检测的光成像的成像光学系统，选择所述第一光学装置的所述空间分辨率包括设定所述成像光学系统的放大倍率；使用用于发射多波长光的所述光源和用于朝向所述基板的第一测量区域透射从所述光源接收的所述多波长光的所述物镜，朝向所述第一测量区域发射所述多波长光；使用所述成像光学系统和所述检测器获得第一特定波长图像；基于所述第一特定波长图像，产生各个像素的第一光谱数据；从所述第一光谱数据提取具有所述第一测量区域或更小的...

【技术特征摘要】
2016.08.26 KR 10-2016-01093311.一种检查表面的方法，该方法包括：制备基板，该基板是检查对象；选择第一光学装置的空间分辨率，所述第一光学装置包括配置为发射光的光源、配置为透射从所述光源接收的光的物镜、检测器、以及配置为使由所述检测器检测的光成像的成像光学系统，选择所述第一光学装置的所述空间分辨率包括设定所述成像光学系统的放大倍率；使用用于发射多波长光的所述光源和用于朝向所述基板的第一测量区域透射从所述光源接收的所述多波长光的所述物镜，朝向所述第一测量区域发射所述多波长光；使用所述成像光学系统和所述检测器获得第一特定波长图像；基于所述第一特定波长图像，产生各个像素的第一光谱数据；从所述第一光谱数据提取具有所述第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱；以及分析所述光谱。2.根据权利要求1所述的方法，其中分析所述光谱包括基于将所述第一检查区域的光谱与参考图的光谱匹配而预测所述第一检查区域的三维结构，并且所述参考图基于获得对应于测试基板上的不同三维结构的光谱而产生。3.根据权利要求1所述的方法，其中获得所述第一特定波长图像包括校正由于所述多波长光的各种角度分布引起的光强度分布。4.根据权利要求3所述的方法，其中校正所述光强度分布包括：使用所述光源朝向均一的测试基板发射包括各种角度分布的光并且基于由所述测试基板反射的光的光强度分布来产生校正表；使用所述光源朝向所述第一测量区域发射包括各种角度分布的光并且获得所述第一测量区域的初始图像；以及使用所述校正表从所述初始图像获得校正的图像。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多波长光被发射为具有在垂直于所述基板的上表面的方向上的光轴。6.根据权利要求1所述的方法，其中获得所述第一特定波长图像包括校正由于不同的波长而在所述第一特定波长图像之间发生的位置未对准和尺寸差异。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一光学装置包括配置为支撑所述基板的平台；以及校正所述位置未对准和所述尺寸差异包括：测量所述第一特定波长图像之间的所述位置未对准和所述尺寸差异；对于每个波长移动所述平台以便补偿所述位置未对准和所述尺寸差异；以及在对于每个波长移动所述平台之后再次获得特定波长的校正图像。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在获得所述第一特定波长图像之前选择测量模式，其中选择所述测量模式包括基于在所述第一检查区域中要被检查的参数的类型选择具有第一数值孔径的第一测量模式和具有小于所述第一数值孔径的第二数值孔径的第二测量模式中的任一个。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个第一检查区域是彼此间隔开的多个第一检查区域。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一检查区域是所述第一特定波长图像的至少一个像素。11.根据权利要求1所述的方法，其中分析所述光谱包括：从所述第一光谱数据提取参考区域的光谱和所述第一检查区域的光谱；以及将所述第一检查区域的光谱与所述参考区域的光谱比较。12.根据权利要求1所述的方法，还包括：在选择所述第一光学装置的所述空间分辨率之前，预先分析所述基板，其中预先分析所述基板包括，使用第二光学装置朝向所述基板的第二测量区域发射多波长光并获得第二特定波长图像，基于所述第二特定波长图像产生各个像素的第二光谱数据，从所述第二光谱数据提取至少一个第二检查区域的光谱并预先分析所述至少一个第二检查区域的光谱，以及在预先分析所述基板中确定在所述第二检查区域中是否存在需要详细检查的感兴趣区域，以及所述感兴趣区域是所述第一测量区域。13.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在制备基板之前，在所述基板上进行在前制造工艺；根据权利要求1所述的方法初次检查所述基板；以及在初次检查所述基板之后，在所述基板上进行后续制造工艺。14.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上进行在前制造工艺；以及使用光学装置初次检查所述基板，所述光学装置包括配置为发射光的光源、配置为透射从所述光源接收的光的物镜、检测器、以及配置为使...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳成润，全忠森，梁裕信，池仑庭，宋吉宇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR