具有放大器‑MOSFET的集成电路制造技术

一种集成电路(200)包括衬底、放大器‑MOSFET(100)和偏压端子。偏压端子设置用于产生衬底与放大器‑MOSFET(100)的至少一个负载端子的电势差。衬底的电阻率不小于0.3kOhm cm，所述电势差是‑3V或者更负。由此可以在实例中实现特别是用于高频信号的具有低的信号噪声的放大器。

The integrated circuit has amplifier MOSFET

An integrated circuit includes a substrate (200), MOSFET (100) amplifier and voltage terminal. The bias terminal is provided for generating substrate and MOSFET amplifier (100) at least one load terminal potential. The substrate resistivity is not less than 0.3kOhm cm, the potential difference is 3V or more negative. Thus, an amplifier with low signal noise, especially for high frequency signals, can be implemented in an instance.

【技术实现步骤摘要】
具有放大器-MOSFET的集成电路
不同的实施方式涉及一种集成电路，其具有放大器-MOSFET和衬底。衬底相对于放大器-MOSFET的至少一个负载端子的电势差是-3V或者更负。衬底的电阻率不小于0.3kOhmcm。
技术介绍
在多种应用情况中，期望具有低的信号噪声的信号放大。特别是与高频信号有关地，具有低的信号噪声的放大会是值得努力达到的。为了实现相应的具有低的信号噪声的放大器(英文：低噪声放大器(lownoiseamplifier，LNA))通常使用硅锗(SiGe)技术。在此，SiGe技术中的晶体管可能为了从未导电状态切换到导电状态而具有相对大的阈值电压(典型地0.7V)并伴有通过基极-发射极二极管相对高的电流消耗以及温度系数(典型地2mV/K)。此外，SiGe技术中的晶体管可以相对于静电放电具有高的稳定性。另一方面，以SiGe技术制造元件的复杂性相对较高。因此，基于SiGe技术的开关的线性和效率通常可能受到极大限制。这与Complementarymetal-oxide-semiconductor(CMOS)技术相比可以特别是合乎实际的。金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)被使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路(200)，所述集成电路包括：‑衬底(106)，‑放大器‑MOSFET(100)，以及‑偏压端子(110)，设置用于产生所述衬底(106)相对于所述放大器‑MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)的电势差，其中，所述衬底(106)的电阻率不小于0.3kOhm cm，其中，所述电势差是‑3V或者更负。

【技术特征摘要】
2016.08.17 DE 102016115286.21.一种集成电路(200)，所述集成电路包括：-衬底(106)，-放大器-MOSFET(100)，以及-偏压端子(110)，设置用于产生所述衬底(106)相对于所述放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)的电势差，其中，所述衬底(106)的电阻率不小于0.3kOhmcm，其中，所述电势差是-3V或者更负。2.根据权利要求1所述的集成电路(200)，其中，所述放大器-MOSFET(100)的栅极宽度大于100μm、可选地大于200μm、进一步可选地大于500μm。3.根据权利要求1或2所述的集成电路(200)，其中，所述电阻率和所述电势差是衬底(106)在所述集成电路(200)的区域中的体特性。4.根据前述权利要求中任一项所述的集成电路(200)，还包括：-至少一个输入端子(221，222)，与所述放大器-MOSFET(100)的控制端子(103)连接并且设置用于接收至少一个输入信号，以及-输出端子(231)，被布置在朝向所述放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)的一侧上并且设置用于将输出信号输出。5.根据权利要求4所述的集成电路(200)，还包括：-电感(212)，被布置在朝向所述放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)的一侧上，其中，所述放大器-MOSFET(100)和电感(212)被设置用于实现所述输出信号相对于所述至少一个输入信号的不小于10dB、优选地不小于15dB、特别优选地不小于18dB的放大系数。6.根据权利要求4或5所述的集成电路(200)，还包括：-至少一个共源-共栅放大器-MOSFET(213，213-1，213-2)，被布置在所述放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)和所述输出端子(231)之间，其中，所述至少一个共源-共栅放大器-MOSFET(213，213-1，213-2)和所述放大器-MOSFET(100)具有相同的栅极长度(103A)。7.根据权利要求4-6中任一项所述的集成电路(200)，还包括：-至少一个开关(302，303，401，402)，被布置为与所述至少一个输入端子(221，222)相邻，并且所述开关具有从开关-MOSFET(431)至地线(217)的串联电路，其中，所述MOSFET开关(431)和所述放大器-MOSFET(100)具有相同的栅极长度(103A)。8.根据权利要求7所述的集成电路(200)，其中，所述至少一个开关(302，303，401，402)被布置在一旁路支路(301)中，所述旁路支路在将所述放大器-MOSFET(100)旁路的情况下使所述至少一个输入端子(221，222)与所述输出端子(231)连接。9.根据权利要求7或8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·巴卡尔斯基，W·西姆比尔格，A·施特尔滕波尔，H·塔迪肯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE