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具有放大器‑MOSFET的集成电路制造技术
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下载具有放大器‑MOSFET的集成电路的技术资料
文档序号:17413055
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一种集成电路(200)包括衬底、放大器‑MOSFET(100)和偏压端子。偏压端子设置用于产生衬底与放大器‑MOSFET(100)的至少一个负载端子的电势差。衬底的电阻率不小于0.3kOhm cm,所述电势差是‑3V或者更负。由此可以在实例...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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