一种功率芯片封装方法和结构技术

本发明专利技术提供了一种功率芯片封装方法和结构，所述方法包括：将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片通过烧结工艺连接形成连接子模组；对形成的所述连接子模组进行塑封。该方案首先将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片连接在一起形成连接子模组，然后对连接子模组进行塑封，在装配过程中无需单独对各个零件进行装配，简化了装配工序，降低了人为装配的误差，通过烧结工艺连接，降低了热阻提高了器件散热性能，采用塑封工艺进行封装，塑封材料对空隙进行完全填充，消除了打火放电的隐患。并且采用塑封结构大大提高了子模组装配过程中的均一性，有效保证了大规模芯片并联对误差精度的要求，提高了器件的可靠性。

A power chip packaging method and structure

The invention provides a power chip packaging method and structure. The method comprises the following steps: connecting the first metal gasket, the power chip and the second metal gasket through the sintering process, forming the connecting sub module, and sealing the formed connection sub module. The first metal gasket, metal gasket and power chip second are connected together to form the connection sub module, and then the plastic connection sub module, in the assembly process without requiring a separate assembly of parts, simplified assembly process, reduce the human error of assembly, connected by sintering process, reducing thermal resistance increase the thermal performance of the device, the plastic packaging process, plastic materials on the void were completely filled, eliminates the hidden spark discharge. The encapsulation structure greatly improves the uniformity of sub module assembly process, effectively ensures the accuracy of the parallel connection of large scale chips, and improves the reliability of devices.

【技术实现步骤摘要】
一种功率芯片封装方法和结构
本专利技术涉及封装
，具体涉及一种功率芯片封装方法和结构。
技术介绍
压接封装是大功率IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)器件最新的封装形式，与传统的焊接型IGBT(SolderedIGBTModule)相比，压接型IGBT(Press-packIGBT)利用压力实现热力学和电气的连接，并保证了双面散热。压接型IGBT被认为是大功率应用场合以及输出功率有大幅波动的应用场合的理想器件，能满足高压直流输电和新能源并网对开关器件的要求。此外，压接型IGBT的可靠性很高，也能满足电力系统对供电高可靠性的要求。目前，压接型IGBT主要分为刚性电极压接和碟簧的弹性电极压接。在刚性电极压接中，IGBT芯片集电极和发射极都直接同刚性材料直接接触，具体地，比如讲半导体芯片、芯片两面的钼片、银片以及上下两个导电电极直接通过压力结合在一起，在装配过程中，一方面由于芯片同其两面的钼片都需要手工施加压力进行组装，在这个过程中会对芯片造成损伤甚至导致芯片断裂。另一方面，由于装配过程是靠手工完成，这就难以避免人为因素造成的偏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率芯片封装方法，其特征在于，包括：将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片连接形成连接子模组；对形成的所述连接子模组进行塑封。

【技术特征摘要】
1.一种功率芯片封装方法，其特征在于，包括：将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片连接形成连接子模组；对形成的所述连接子模组进行塑封。2.根据权利要求1所述的功率芯片封装方法，其特征在于，所述将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片连接形成连接子模组包括：在所述第一金属垫片上设置第一烧结层；在所述第一烧结层上设置所述功率芯片；在所述第二金属垫片上设置第二烧结层；将设置有所述第二烧结层的所述第二金属垫片设置在所述功率芯片上，并使所述第二烧结层贴近所述功率芯片，以形成待烧结子模组；对所述待烧结子模组进行烧结形成所述连接子模组。3.根据权利要求2所述的功率芯片封装方法，其特征在于，所述第一烧结层和/或所述第二烧结层的厚度在1微米至100微米范围内。4.根据权利要求2所述的功率芯片封装方法，其特征在于，所述第一烧结层和/或第二烧结层为：纳米银、锡银铜以及锡铅中的至少一种构成的焊膏、焊片或者薄膜。5.根据权利要求2所述的功率芯片封装方法，其特征在于，所述在第一金属垫片上设置第一烧结层，包括：采用磁控溅射物理沉积或者丝网印刷的方法将所述第一烧结层沉积在第一金属垫片上；和/或所述在第二金属垫片上设置第二烧结层包括：采用磁控溅射物理沉积或者丝网印刷的方法将所述第二烧结层沉积在第二金属垫片上。6.根据权利要求1所述的功率芯片封装方法，其特征在于，所述对形成的所述连接子模组进行塑封包括：将所述连接子模组放置在塑封模具内；将塑封材料升温化为液态；加压使液态塑封材料注入所述塑封模具；将所述态塑封材料在...

【专利技术属性】
技术研发人员：武伟，张朋，韩荣刚，林仲康，石浩，田丽纷，张喆，李现兵，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11