功率型半导体器件封装方法及封装结构技术

本发明专利技术提供了一种功率型半导体器件封装方法及封装结构，功率型半导体器件包括分别位于两面至少两个端子，其中方法包括：将第一电极放入基板的定位孔内，将至少一个功率型半导体器件的一个端子固定连接在第二电极上，在功率型半导体器件的第一端子分别与所述第一电极电接触后对第二电极与基板进行压接。通过定位孔对第二电极限位，通过第一电极对功率型半导体器件限位，基板与第一电极压接可以实现全部限位，由此，可以省略功率型半导体器件及其电极的定位件，不仅封装方法简易，封装过程中电极与器件的定位准确，而且，可以较为有效的减少绝缘的定位件带来的气隙放电，使功率型半导体器件封装结构更加可靠。

Packaging and encapsulation structure of power semiconductor devices

The invention provides a packaging method and packaging structure of power semiconductor devices, power semiconductor devices are located in two sides including at least two terminals, wherein the method comprises: a first substrate electrode into the positioning hole in a terminal at least one power semiconductor device is fixedly connected to the second electrode, a first terminal of the power type semiconductor devices are respectively connected with the first electrode contact on the electrode and the substrate is pressed second. Through the positioning hole of the second electrode spacing, the first electrode of the power semiconductor devices limit the substrate and the first electrode crimp can realize the full limit, therefore, can omit positioning the power semiconductor devices and electrodes, not only simple packaging method, positioning electrode and device packaging process accurately, and can be more effective the insulation to reduce positioning brought by air gap discharge, the power semiconductor device package structure more reliable.

【技术实现步骤摘要】
功率半导体器件封装方法及封装结构
本专利技术涉及芯片封装
，具体涉及到一种功率半导体器件封装方法及封装结构。
技术介绍
目前，功率型半导体器件发展迅猛，例如，绝缘栅双击晶体管IGBT广泛应用与新能源、输变电、轨道交通、冶金以及化工等领域。在中国专利申请CN105957888A中公开了一种功率型半导体器件封装结构，如图1所示，该封装结构通过定位件115限制功率型半导体器件111、发射极电极112、集电极电极113的水平移动，栅极电极114通过定位件115上的通孔与PCB板连接。然而，在上述功率型半导体器件封装结构中，定位件115与发射极电极112、集电极电极113以及栅极电极114之间可能会存在一定间隙，在功率型半导体器件通电电压过大时，很容易击穿定位件与电极之间的间隙，造成气隙放电；同时，定位件115会占用功率半导体器件封装结构的空间，降低了器件集成度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于上述之一技术问题。根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种功率型半导体器件封装方法，功率型半导体器件至少包括位于第一表面的第一端子和位于与第一表面相对的第二表面的第二端子，该方法包括如下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率型半导体器件封装方法，所述功率型半导体器件至少包括位于第一表面的第一端子和位于与所述第一表面相对的第二表面的第二端子，其特征在于，所述方法包括：提供具有至少一个定位孔的基板；在所述定位孔内放置第一电极，其中所述定位孔的形状与所述第一电极的形状相适配；将至少一个所述功率型半导体器件的第二端子固定连接在第二电极上，其中，所述第二电极的形状与所述基板的形状相适配，固定后的所述功率型半导体器件的第一端子的位置分别与放置在所述基板的所述定位孔内的第一电极的位置相对应；对固定有所述功率型半导体器件的所述第二电极与所述基板进行压接，以使至少一个所述功率型半导体器件的第一端子分别与所述第一电极电接触。

【技术特征摘要】
1.一种功率型半导体器件封装方法，所述功率型半导体器件至少包括位于第一表面的第一端子和位于与所述第一表面相对的第二表面的第二端子，其特征在于，所述方法包括：提供具有至少一个定位孔的基板；在所述定位孔内放置第一电极，其中所述定位孔的形状与所述第一电极的形状相适配；将至少一个所述功率型半导体器件的第二端子固定连接在第二电极上，其中，所述第二电极的形状与所述基板的形状相适配，固定后的所述功率型半导体器件的第一端子的位置分别与放置在所述基板的所述定位孔内的第一电极的位置相对应；对固定有所述功率型半导体器件的所述第二电极与所述基板进行压接，以使至少一个所述功率型半导体器件的第一端子分别与所述第一电极电接触。2.如权利要求1所述的功率型半导体器件封装方法，其特征在于，所述将至少一个所述功率型半导体器件的第二端子固定连接在第二电极上包括：将所述至少一个功率半导体器件的第二端子通过烧结、焊接或导电胶粘接在所述第二电极上。3.如权利要求1所述的半导体器件封装方法，其特征在于，在所述定位孔内放置第一电极之前，还包括：在所述定位孔内涂覆导电层。4.如权利要求3所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述在在所述定位孔内涂覆导电层包括：在所述基板背离所述第二电极的一面涂覆第一导体，所述第一导体分别与所述定位孔的导电层连接。5.如权利要求1所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述功率型半导体器件还包括位于所述第一表面的第三端子，在对固定有所述功率型半导体器件的所述第二电极与所述基板进行压接之前，还包括：在所述基板上固定第三电极，固定后的第三电极的位置分别与所述功率型半导体器件的第三端子的位置相对应。6.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，在对固定有所述功率型半导体器件的所述第二电极与所述基板进行压接之前还包括：在所述基板上涂覆第二导体，所述第二导体分别与所述第三电极连接，并延伸覆盖基板四周边缘；在所述基板上与所述第二导体相对的另一面涂覆第三导体，所述第三导体通过导电过孔与所述第二导体连接，所述第三导体与位于同一面的其他导体之间设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：林仲康，李现兵，石浩，韩荣刚，张朋，武伟，张喆，田丽纷，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11