一种烧结炉带及烧结炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种烧结炉带及烧结炉。烧结炉带，包括网带和吸热层，所述网带的两侧设置有凸起的支撑部，两个所述支撑部之间形成凹陷区；所述吸热层设置所述网带的凹陷区，硅片搭接于两个所述支撑部且所述硅片的底面与所述吸热层的顶面之间具有空隙。烧结炉带通过设置吸热层，使与吸热层相向的硅片的背面的温度降低，使硅片在烧结过程中正面和背面的温度可调空间更大，且吸热层表面均布有多个气孔，可以对烧结炉内的压缩空气进行均流，保证硅片的背面温度均匀，同时由于有气孔的均流作用，可以增大烧结炉内的压缩空气的流量，有助于有机物的挥发，烧结效果更好，有利于提高硅片质量。

【技术实现步骤摘要】
一种烧结炉带及烧结炉
本技术涉及硅片生产
，尤其涉及一种烧结炉带及烧结炉。
技术介绍
目前在生产太阳能电池片时，硅片的正面和背面印刷不同的导电材料之后进行烧结，一般将硅片的正面印刷银(Ag)，硅片的背面印刷铝(Al)。由于硅片的正面和背面印刷的材料不同，在烧结时需要的温度也不同，银的烧结温度的峰值一般在750℃左右，而铝的烧结温度的峰值在570℃左右，因此，烧结时硅片的正面和背面需要存在一定的温差。现有的烧结炉内虽然具有控制硅片正面和背面烧结温度的温控系统，但温控系统对温度的控制存在很大的局限性，温控效果差。
技术实现思路
本技术的第一目的在于提出一种有利于调整硅片的正面和背面温差的烧结炉带。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种烧结炉带，包括：网带，所述网带的两侧设置有凸起的支撑部，两个所述支撑部之间形成凹陷区；吸热层，所述吸热层设置所述网带的凹陷区，所述吸热层的表面均布有多个气孔，硅片搭接于两个所述支撑部且所述硅片的底面与所述吸热层的顶面之间具有空隙。其中，所述吸热层内嵌于所述网带内。其中，所述支撑部由所述网带的边缘弯折形成。其中，所述支撑部为圆滑的弧形结构。其中，所述气孔的直径为1mm-2mm。其中，所述吸热层为云母板。其中，所述云母板的厚度为2-5mm.其中，所述网带由非金属材料制成。本技术的二目的在于提出一种能更好控制硅片的正面和背面的烧结温度的烧结炉。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种烧结炉，包括上述的烧结炉带。有益效果：本技术提供了一种烧结炉带及烧结炉。烧结炉带通过设置吸热层，使与吸热层相向的硅片的背面的温度降低，使硅片在烧结过程中正面和背面的温度可调空间更大，且吸热层表面均布有多个气孔，可以对烧结炉内的压缩空气进行均流，保证硅片的背面温度均匀，同时由于有气孔的均流作用，可以增大烧结炉内的压缩空气的流量，有助于有机物的挥发，烧结效果更好，有利于提高硅片质量。附图说明图1是本技术实施例1提供的烧结炉带的结构示意图；图2是本技术实施例1提供的网带的结构示意图。其中:1、网带；11、支撑部；2、吸热层；21、气孔；3、硅片。具体实施方式为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。实施例1如图1-图2所示，本实施例提供了一种烧结炉带，包括网带1和吸热层2，网带1的两侧设置有凸起的支撑部11，支撑部11用于支撑硅片3，两个支撑部11之间形成凹陷区；吸热层2设置网带1的凹陷区，吸热层2的表面均布有多个气孔21，气孔21用于对烧结炉内的压缩空气进行均流，烧结硅片3时，硅片3搭接于两个支撑部11且硅片3的底面与吸热层2的顶面之间具有空隙。硅片3由烧结炉带输送至烧结炉内，待烧结完成后，再由烧结炉带输送出，烧结炉带通过设置吸热层2，使与吸热层2相向的硅片3的背面的温度降低，使硅片3在烧结过程中正面和背面的温度可调空间更大，且吸热层表面均布有多个气孔21，可以对烧结炉内的压缩空气进行均流，保证硅片的背面温度均匀，同时由于有气孔21的均流作用，可以增大烧结炉内的压缩空气的流量，有助于有机物的挥发，烧结效果更好，有利于提高硅片3质量。具体而言，支撑部11可以由网带1的边缘弯折形成，便于制造；为防止支撑部11磨损硅片3，支撑部11可以为圆滑的弧形结构。硅片3搭接在支撑部11上，使硅片3位于网带1的凹陷区上方，硅片3与网带1不接触，可以避免硅片3表面印出网痕，提高硅片3的烧结质量。本实施例中网带1可以由非金属材料制成，非金属材料的受热变性较小，可以避免网带1由于在硅片3烧结过程中变形而引起的抖动，提高烧结炉带传送的平稳性，避免硅片3掉落损坏。吸热层2的表面可以设置有多个气孔21，多个气孔21可以形成阵列或按其他排列方式均布在吸热层2的表面，气孔21的直径可以为1-2mm，均布多个细小的气孔21可以对烧结炉内的压缩空气进行均流，从而使硅片3与吸热层2相对的表面受热均匀，提高硅片3的烧结效果；气孔21排列的疏密程度可以综合考虑吸热层2的隔热效果和均流效果确定。本实施例中吸热层2由耐高温、热辐射低的材料制成，可以降低硅片3背面的烧结温度，从而调整硅片3的正面和背面的烧结温度。吸热层2可以为云母板，云母板可以固定在网带1凹陷区，也可以内嵌在网带1内。云母板成银白色，热辐射较低，且吸热、散热较快，温度变化均匀。当硅片3进入烧结炉内后，硅片3的正面，即印刷有银的表面直接与烧结炉内的热量换热；硅片3的背面，即印刷有铝的表面与云母板相对，吸收云母板辐射的热量，由于云母板辐射的热量较低，使得硅片3的背面升高的温度较低，从而使硅片3的正面和背面具有不同的烧结温度。此外，由于云母板的温度变化快且均匀，可以提高硅片3的温度变化速度及均匀性，从而获得更好的烧结效果。云母板的尺寸可以根据硅片3的大小调整；本实施例中云母板的厚度可以为2-5mm，云母板的厚度也可以根据硅片3背面需要的烧结温度调整。例如，当硅片3的背面，即印刷有铝的表面需要的烧结温度的峰值较低时，可以增大云母板的厚度；当硅片3的背面，即印刷有铝的表面需要的烧结温度的峰值较高时，可以减小云母板的厚度。实施例2本实施例提供了一种烧结炉，包括实施例1中的烧结炉带，硅片3由烧结炉带输送至烧结炉内，待烧结完成后，再由烧结炉带输送出，烧结炉带通过设置吸热层2，使与吸热层2相对的硅片3的背面的温度降低，使硅片3在烧结过程中正面和背面的温度可调空间更大，且吸热层表面均布有多个气孔21，可以对烧结炉内的压缩空气进行均流，保证硅片的背面温度均匀，同时由于有气孔21的均流作用，可以增大烧结炉内的压缩空气的流量，有助于有机物的挥发，烧结效果更好，有利于提高硅片3质量。以上内容仅为本技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种烧结炉带，其特征在于，包括：网带(1)，所述网带(1)的两侧设置有凸起的支撑部(11)，两个所述支撑部(11)之间形成凹陷区；及吸热层(2)，所述吸热层(2)设置于所述网带(1)的凹陷区，所述吸热层(2)的表面均布有多个气孔(21)，硅片(3)搭接于两个所述支撑部(11)且所述硅片(3)的底面与所述吸热层(2)的顶面之间具有空隙。

【技术特征摘要】
1.一种烧结炉带，其特征在于，包括：网带(1)，所述网带(1)的两侧设置有凸起的支撑部(11)，两个所述支撑部(11)之间形成凹陷区；及吸热层(2)，所述吸热层(2)设置于所述网带(1)的凹陷区，所述吸热层(2)的表面均布有多个气孔(21)，硅片(3)搭接于两个所述支撑部(11)且所述硅片(3)的底面与所述吸热层(2)的顶面之间具有空隙。2.如权利要求1所述的烧结炉带，其特征在于，所述吸热层(2)内嵌于所述网带(1)内。3.如权利要求1所述的烧结炉带，其特征在于，所述支撑部(11)由所述网带...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭新峰，党继东，费正洪，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32