一种GPP芯片光刻工艺用对准版图的设计制造技术

本发明专利技术提供一种GPP整流芯片光刻工艺用对准版图，将传统的单纯十字线图形方案改进为有三个对准区域的对准方案，既有利于粗调找对准记号、又有利于精调对准图形，不但提高了功效还能提高产品质量，且不增加任何制造成本。

A design of alignment layout for GPP chip photolithography

With the alignment layout the invention provides a GPP rectifier chip lithography process, the simple cross line traditional scheme for improved graphics alignment of the three regional alignment scheme, is conducive to find the coarse alignment mark, but also conducive to fine tune the alignment pattern not only improves the efficiency, but also improve the quality of the products, and does not increase any manufacturing cost.

【技术实现步骤摘要】
一种GPP芯片光刻工艺用对准版图的设计
光刻工艺用于制造GPP芯片的功率半导体器件芯片，属于“2016年国家重点支持的高新
”中：“电子信息-新型电子元器件”范畴。
技术介绍
光刻工艺是一种传统工艺，已用于大量生产制造GPP(玻璃钝化保护)芯片的功率半导体器件。利用镀铬玻璃板制造出带有图形的光刻板，将光刻板覆盖在涂敷有负性(或正性)光刻胶的硅片上，使用近紫外的光线对系统照射曝光一定时间即可。有铬膜处光线被挡，光刻板下面对应的光刻胶未发生光学反应，容易在事后的显影液中溶去；无铬膜处光线直照射在对应的光刻胶上，发生光学反应，不会在事后的显影液中溶去。通过显影后，硅片上就出现了与光刻板上相同的图形。继而再进入下步工序。制造较复杂的功率半导体器件，例如高压GPP整流芯片、平面工艺整流芯片、MOS、IGBT等产品，第一次光刻时需要采用复杂的双面对准光刻工艺，即在硅片的二个表面上同时光刻出有严格对应几何关系、但形状不同的二种版图，以利于在二个表面制造出二种不同的功能结构，来配合形成整体产品，在行业内，简称为“双面光刻”。双面光刻的最后目的是形成整体产品，二个光刻板要事先对准，所以双面的二片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GPP芯片光刻工艺用对准版图，其结构特征在于：所述对准版图，由二个版图图案组成，分别记为上光刻板版图图案和下光刻板版图图案。

【技术特征摘要】
1.一种GPP芯片光刻工艺用对准版图，其结构特征在于：所述对准版图，由二个版图图案组成，分别记为上光刻板版图图案和下光刻板版图图案。2.根据权利要求1所述上光刻板版图图案，其结构特征在于：图案外形为圆形，圆形外直径根据产品要求可设为1～2.54毫米，画圆所用的有铬膜环线宽为6～30微米，圆中设有四个有铬膜扇形区，各区间相隔平行宽度为0.2～0.5毫米，平行区中心设有二条相互垂直的有铬膜线，每条有铬膜线均匀分为9段，由...

【专利技术属性】
技术研发人员：程德明，胡建业，胡志坚，胡翰林，汪华锋，
申请(专利权)人：黄山硅鼎电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34