一种酸性蚀刻液添加剂及酸性蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种酸性蚀刻液添加剂及酸性蚀刻液，按质量份计，所述添加剂包括1～200份非离子表面活性剂和1～200份稳定剂，所述稳定剂为含硫的脲、硫醇、溴化物中的至少一种；所述酸性蚀刻液包括蚀刻液基础液和所述添加剂。本发明专利技术的产品能很好地适用于生产铜厚较厚(如铜厚70μm及以上)或者待蚀刻面积较大(如50％以上待蚀刻面积，特别是整板蚀刻)的印刷线路板，而不会出现蚀刻速度不稳定或者慢的问题。此外，将本发明专利技术的产品用于蚀刻线路板工艺中可以直接获得块状的铜板，而不需要再额外添加电解添加剂。

An acid etching solution and acid etching solution

The invention discloses an acid etching liquid additive and acid etching solution, according to the quality of a meter, the additive comprises 1~200 nonionic surfactant and 1~200 stabilizer. The stabilizer for at least one sulfur, mercaptan, urea bromide in the acidic etching solution; including etching liquid foundation liquid and the additive. The product of the invention can be well applied to produce printed circuit boards with thick copper thickness (such as copper thickness 70 micron m or above) or larger area to be etched, such as more than 50% etching area, especially the whole plate etching, and the etching speed is not stable or slow. In addition, the products of the invention can be used in the etching circuit board process to directly obtain the massive copper plate without the additional addition of the electrolytic additives.

【技术实现步骤摘要】
一种酸性蚀刻液添加剂及酸性蚀刻液
本专利技术涉及印刷线路板制造工业
，具体涉及一种酸性蚀刻液添加剂及酸性蚀刻液。
技术介绍
在印刷线路板的制造工艺中，通常利用化学反应的方式除去线路板上不需要有的部位，使其形成所需的电路图形。酸性蚀刻液是指在印刷线路板制造工业中腐蚀覆铜板，去掉未经油墨或干膜保护的铜而得到线路图形，很多时候使用的是酸性氯化铜溶液。在印刷线路板的现有制造工艺中，为了获得快速且稳定的蚀刻速度，往往需要在蚀刻液中添加强氧化剂(用于酸性氯化铜蚀刻液中将一价铜氧化为二价铜的氧化剂，例如双氧水、氯酸钠、氯气、次氯酸钠、过硫酸及其盐、硝酸、亚硝酸等等)，或者添加电解添加剂在电解氧化的状态下来确保蚀刻速度快速和稳定。但是由于随着环保生产的要求越来越高，以及为了满足清洁生产的需要，酸性蚀刻实行电解铜，同时倾向于减少高浓度废液的排放甚至实现零排放，但当今的酸性蚀刻液都无法实现在不添加其它电解添加剂的情况下直接电解获得块状的铜板，只能得到铜粉。而且许多电解添加剂在电解后，通过再回收利用添加后，会对蚀刻过程造成不良影响，会直接导致蚀刻的速度减慢并且不稳定。专利CN201310557796公开了一种酸性蚀刻液，该酸性氯化铜蚀刻液不需要使用强氧化剂也可以实现稳定蚀刻，该蚀刻液可以在不使用强氧化剂的情况下实现一价铜转化为二价铜，从而实现在连续的蚀刻过程中可以不使用强氧化剂。但是该专利公开的蚀刻液只适用于生产铜厚较薄(35μm以下)或者待蚀刻面积较小的线路板，当转为生产铜厚较厚(如铜厚70μm及以上)或者待蚀刻面积较大(如60％以上待蚀刻面积，特别是整板蚀刻)的印刷线路板时，会因为化学平衡的关系，出现随着待蚀刻面积变化或铜厚变化，溶液中一价铜浓度也出现变化的现象，并导致蚀刻铜厚较厚、待蚀刻面积较大的印刷线路板的初段蚀刻速度会有一段下降然后才稳定的过程，同时也很难直接电解得到致密的块状铜板产品，这样不利于大批量快速生产与循环利用。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种酸性蚀刻液添加剂及酸性蚀刻液。本专利技术提供一组由非离子表面活性剂和溴离子化合物、含硫的脲、硫醇作为稳定剂的添加剂，以解决不使用强氧化剂的酸性蚀刻液在从生产薄铜或者待蚀刻面积较小的线路板转向生产铜厚较厚、待蚀刻面积较大的线路板的过程中蚀刻速度出现先下降再稳定的问题。同时利用本专利技术的方案所获得的蚀刻液可以直接进行电解获得块状的铜板，而不需要再额外添加电解的添加剂。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种酸性蚀刻液添加剂，按质量份计，其包括1～200份非离子表面活性剂和1～200份稳定剂。优选地，所述稳定剂为含硫的脲、硫醇、溴化物中的至少一种，其中含硫的脲可以是氨基硫脲、硫脲，优选硫脲。硫醇(或者称为含硫的醇)包括L-半胱氨酸、3-巯基丙烷磺酸MPS，优选L-半胱氨酸。所述溴化物是溴离子化合物，所述溴离子化合物可以是溴化钠、溴化钾、溴化铵等能提供溴离子的盐或酸的化合物。优选地，所述非离子表面活性剂为聚乙二醇、聚乙烯醚、聚氧乙烯醚中的至少一种。优选地，所述非离子表面活性剂的分子量为200～20000。优选地，所述非离子表面活性剂的份数为5～200份；进一步优选地，所述非离子表面活性剂的份数为5～100份。优选地，所述稳定剂的份数为5～200份；进一步优选地，所述稳定剂的份数为20～100份。优选地，所述添加剂还包括1100～1500份的盐酸盐作为助剂，所述盐酸盐包括氯化钠、氯化钾、氯化铵。其中所述助剂起到助溶、分散和防结块的作用。优选地，所述添加剂不包含氧化剂和/或不包含电解添加剂。一种酸性蚀刻液，其包括蚀刻液基础液和上述添加剂，所述蚀刻液基础液包括酸根3～5N、氯离子150～250g/L、铵离子17～51g/L。优选地，所述蚀刻液基础液包括酸当量4N、氯离子210g/L、铵离子34g/L。所述非离子表面活性剂在所述蚀刻液中的含量为2～400ppm，优选地，所述非离子表面活性剂的含量为5～200ppm；进一步优选地，所述非离子表面活性剂的含量为5～100ppm。所述稳定剂在所述蚀刻液中的含量为2～400ppm，优选地，所述稳定剂的含量为5～200ppm；进一步优选地，所述稳定剂的含量为20～100ppm。优选地，所述盐酸盐在所述蚀刻液中的含量为2000～3000ppm，所述盐酸盐包括氯化钠、氯化钾、氯化铵。所述盐酸盐作为助剂起到助溶、分散和防结块的作用。优选地，所述蚀刻液不包含氧化剂和/或不包含电解添加剂。所述电解添加剂可以是干酪素、阿维同、骨胶、明胶、牛皮胶、改性明胶、NiCl2、FeCl3、CoCl2、田菁胶、木质磺酸盐、β荼酚。优选地，所述蚀刻液用于蚀刻铜厚≥70μm和/或待蚀刻面积≥50％的印刷线路板。所述蚀刻液在实际使用时也可以将盐酸分开来在生产中由酸度控制器控制直接添加31％盐酸，此时蚀刻液为只含铵离子30～100g/L的氯化铵溶液和上述添加剂，与31％盐酸组成的分开添加的双液型蚀刻液。本专利技术的添加剂可用于含氯化铵或者铵、胺等对二价铜有络合能力的化合物的酸性蚀刻液中，以克服在从生产薄铜或者待蚀刻面积较小线路板转为生产铜厚较厚、待蚀刻面积较大的线路板时蚀刻速度出现先下降再稳定的问题，并实现可以不再添加电解添加剂而直接电解获得块状铜板，或者使用于其它一般使用氧化剂的酸性蚀刻液中，提高蚀刻速度和蚀刻质量。本专利技术利用聚乙二醇、聚乙烯醚、聚氧乙烯醚等非离子表面活性剂改变铜面在蚀刻液中的固液界面特性，在铜与蚀刻液的固液界面之间增加一层吸附膜，以减少因为浸入单位蚀刻液中铜表面积的变化对一价铜与二价铜化学反应平衡的影响。本专利技术利用含硫的脲、硫醇、溴离子的去极化作用，降低一价铜离子对蚀刻速度的影响。从而实现即便在蚀刻生产状况从铜厚较薄(35μm以下)的线路板转为铜厚较厚(如铜厚70μm及以上)的线路板，或者从待蚀刻面积较小转为待蚀刻面积较大(如50％以上待蚀刻面积，特别是整板蚀刻)的线路板时，蚀刻速度依然保持稳定而不会出现变化。上述成分中的一些物质可以是固体混合物，也可以是溶解在水中的溶液。在溶解为水溶液时，如溶解的水较多，通常也会加入7～20％的盐酸盐(如氯化钠、氯化铵)以获得更好的使用便利和效果。本专利技术的有益效果：(1)本专利技术的产品能很好地适用于生产铜厚较厚(如铜厚70μm及以上)和/或待蚀刻面积较大(如50％以上待蚀刻面积，特别是整板蚀刻)的印刷线路板，而不会出现蚀刻速度不稳定或者慢的问题；(2)将本专利技术的产品用于蚀刻线路板工艺中可以直接获得块状的铜板，而不需要再额外添加电解添加剂；(3)本专利技术的产品在不含氧化剂的情况下，也能获得稳定、快速的蚀刻速度；(4)本专利技术的产品原料来源广泛、成本低廉、配制简单，可以大大降低蚀刻行业的生产成本；(5)本专利技术的蚀刻液在经过蚀刻使用之后，可以直接进行电解回收铜块，并且还可以重复利用，且在重复利用的过程中不会出现蚀刻速度减慢或不稳定等不良影响。具体实施方式为了更好的解释本专利技术，现结合以下具体实施例做进一步说明，但是本专利技术不限于具体实施例。不使用强氧化剂的蚀刻液，以专利CN201310557796公开的蚀刻液作为比较例，同时使用包含：盐酸4.0N、氯离子210g/L、铵离子34g/L作为蚀刻液基础液，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种酸性蚀刻液添加剂，其特征在于，按质量份计，其包括1～200份非离子表面活性剂和1～200份稳定剂，其中所述稳定剂为含硫的脲、硫醇、溴化物中的至少一种。

【技术特征摘要】
1.一种酸性蚀刻液添加剂，其特征在于，按质量份计，其包括1～200份非离子表面活性剂和1～200份稳定剂，其中所述稳定剂为含硫的脲、硫醇、溴化物中的至少一种。2.根据权利要求1所述的酸性蚀刻液添加剂，其特征在于，所述非离子表面活性剂为聚乙二醇、聚乙烯醚、聚氧乙烯醚中的至少一种。3.根据权利要求1所述的酸性蚀刻液添加剂，其特征在于，所述非离子表面活性剂的分子量为200～20000。4.根据权利要求1所述的酸性蚀刻液添加剂，其特征在于，所述稳定剂的份数为20～100份。5.根据权利要求1所述的酸性蚀刻液添加剂，其特征在于，所述添加剂还包括1100～1500份盐酸盐。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯延辉，
申请(专利权)人：侯延辉，
类型：发明
国别省市：广东,44