基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器及其用途制造技术

技术编号:17362609 阅读:91 留言:0更新日期:2018-02-28 11:54
本发明专利技术涉及一种基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器,将DNA分子修饰在纳米多孔氧化铝膜中的纳米通道内,利用Hg

Mercury ion electrochemistry sensor based on the limited domain effect of nanoscale and its application

The invention relates to a mercury ion electrochemical sensor based on the limited effect of nano channels, which modifies DNA molecules in nano channels of nanoporous alumina membrane, and utilizes Hg.

【技术实现步骤摘要】
基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器及其用途
本专利技术涉及一种基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器,将DNA分子修饰在纳米多孔氧化铝膜中的纳米通道内,利用Hg2+和DNA分子内的T碱基分子的特殊配位反应(T-Hg2+-T),对水溶液体系中的Hg2+经行特异性识别,并通过电化学工作站监测探针离子Fe(CN)63-在纳米通道中的流量变化对Hg2+进行检测。
技术介绍
汞是一种水体中普遍存在的污染物,它存在于各种不同的形式,最常见的有机来源的汞,甲基汞,可在人体内积累通过食物链,造成严重的永久性与急性和慢性毒性脑损伤。溶剂化离子汞(Hg2+),其中汞的最稳定的无机形式,是一种腐蚀性高的细胞毒性和致癌物质。汞离子污染对人与环境的影响很大,因为它不能被降解,汞离子和其化合物还可以通过皮肤被吸收,蓄积在人体中,对人体含有S原子的配合基显现出了很强的亲和力,与体内的蛋白质和酶中巯基(-SH)等发生强烈的相互作用,使它们失去活性,也可能在人体组织器官中累积,进而严重损害肝脏、肾脏、中枢神经系统、免疫系统和内分泌系统,从而对人体健康造成严重威胁。汞能够在海洋生物体内累积,通过食物链转移到人体本文档来自技高网...
基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器及其用途

【技术保护点】
基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器,其包括修饰有DNA分子的多孔氧化铝膜,含有KCl溶液和铁氰化钾溶液的电解池。

【技术特征摘要】
1.基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器,其包括修饰有DNA分子的多孔氧化铝膜,含有KCl溶液和铁氰化钾溶液的电解池。2.根据权利要求1的汞离子电化学传感器,所述KCl溶液的浓度为1mM,所述铁氰化钾溶液的浓度为2.5mM。3.根据权利要求1或2的汞离子电化学传感器,所述多孔氧化铝膜的孔径为20纳米。4.制备...

【专利技术属性】
技术研发人员:李承勇全沁果申国柱千忠吉周春霞洪鹏志
申请(专利权)人:广东海洋大学
类型:发明
国别省市:广东,44

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