一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备制造技术

本发明专利技术公开了一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备，包括设备本体，所述设备本体包括进气法兰和反应腔室，所述进气法兰设置在反应腔室的一端，与反应腔室连接；所述反应腔室的包括腔室外壁，所述腔室外壁上设置有加热系统；所述反应腔室内设置有晶片和金属源放置位，所述金属源放置位设置在所述进气法兰的进气口与晶片之间。本发明专利技术的设备在晶片外延的过程中，可有效地减少进气法兰位置副产物的积累，从而提高反应腔室的清洁程度，延长了设备的维护周期，提高了产品的良率和产率。

【技术实现步骤摘要】
一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备
本专利技术涉及氢化物气相外延设备
，具体涉及一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备。
技术介绍
自集成电路问世以来，集成电路工业发展迅猛，成为发展最快的一项工业。集成度的不断提高，要求器件的尺寸不断的缩小，同时也凸显出不少问题，如何避免工艺制造中的污染也成为了不小的挑战，而尘埃颗粒是工艺制造中的主要污染源之一。生长速率快的氢化物气相外延成为一种高效率的外延生长方法之一。但在现有的氢化物气相外延设备中，也同样存在颗粒污染的问题，比如进气法兰位置处的副产物沉积。由于进气法兰是反应腔室与外部环境隔绝的介质，在外延生长时反应腔室处于高温状态而外部环境处于室温，因此进气法兰相较于反应腔室是处于较低温状态，自然而然地外延生长过程中的副产物会沉积在处于低温状态的进气法兰附近；当副产物积累到一定程度时，会伴随气流传送到晶片上面，从而造成外延片的污染，最终影响外延质量和良率。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备，有效地减少进气法兰位置副产物的积累，从而提高反应腔室的清洁程度。本专利技术解决其技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备，包括设备本体，其特征在于：所述设备本体包括进气法兰（1）和反应腔室（2），所述进气法兰（1）设置在反应腔室（2）的一端，与反应腔室（2）连接，进气法兰（1）上设有气源进气口；所述反应腔室（2）包括腔室外壁（4），所述腔室外壁（4）上设置有加热系统（6）；所述反应腔室（2）内设置有晶片（3）和金属源放置位（7），所述金属源放置位（7）设置在所述进气法兰（1）的进气口与晶片（3）之间。

【技术特征摘要】
1.一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备，包括设备本体，其特征在于：所述设备本体包括进气法兰（1）和反应腔室（2），所述进气法兰（1）设置在反应腔室（2）的一端，与反应腔室（2）连接，进气法兰（1）上设有气源进气口；所述反应腔室（2）包括腔室外壁（4），所述腔室外壁（4）上设置有加热系统（6）；所述反应腔室（2）内设置有晶片（3）和金属源放置位（7），所述金属源放置位（7）设置在所述进气法兰（1）的进气口与晶片（3）之间。2.根据权利要求1所述的氢化物气相外延设备，其特征在于：所述反应腔室（2）中在进气法兰（1）一侧的内径d小于所述反应腔室（2）中所述晶片（3）所在区域的内径D。3.根据权利要求1所述的氢化物气相外延设备，其特征在于：所述氢化物气相外延设备为垂直式的氢化物气相外延设备，所述晶片（3）水平放置在反应腔室（2）内。4.根据权利要求2所述的氢化物气相外延设备，其特征在于：在所述腔室外壁（4）与加热系...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文辉，陈蛟，刘鹏，吴洁君，李成明，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44