一种利用过渡金属固溶掺杂降低镁基氢化物释氢温度的方法技术

技术编号:11095577 阅读:129 留言:0更新日期:2015-03-04 01:12
本发明专利技术属于氢气储存技术领域,特别涉及一种利用过渡金属固溶掺杂降低镁基氢化物释氢温度的方法。该方法为利用机械球磨法将MgH2与少量过渡金属Ti或Ni共球磨,最终得到MgH2-Ti与MgH2-Ni储氢复合体系。该方法制备的复合体系呈颗粒状,颗粒尺寸达几百纳米级别,球磨过程中部分Ti或Ni原子固溶于MgH2基体,导致其晶格变形,热力学稳定性降低,相对于同等球磨条件下的纯MgH2体系而言,球磨复合体系的初始释氢温度呈现显著降低,Ti和Ni的固溶掺杂导致MgH2基体的初始释氢温度分别降低了61.14℃与135.84℃,有效改善了镁基氢化物的释氢性能。本发明专利技术所使用的原材料容易获得,材料制备方法发展成熟,且其操作方便、过程可控,是一种有效降低镁基氢化物释氢温度的方法。

【技术实现步骤摘要】
一种利用过渡金属固溶掺杂降低镁基氢化物释氢温度的方法
本专利技术属于氢气储存
,具体涉及一种储氢材料改性技术,特别是利用过渡金属固溶掺杂降低镁基氢化物释氢温度的方法。
技术介绍
随着能源危机与环境污染的日益加重,开发清洁可再生能源已成为全球关注的焦点。氢能因其具有清洁无污染,来源广泛,能量密度高等优点而备受关注。提供安全、高效、经济的氢储存技术则是氢能规模化应用的关键。在众多储氢材料中,镁基氢化物(MgH2)因具有较高的储氢容量(7.6wt%)、质轻、价廉、资源丰富,被认为是一种极具发展潜力的金属氢化物储氢材料。然而,其实际应用却面临着吸/释氢热、动力学障碍[1],主要表现在:热力学方面,释氢温度偏高;动力学方面,吸/释氢速率缓慢。作为车载储氢材料应用,最终目标是希望其在0.1MPa氢压下释氢温度低于80℃,且体系还需兼有快速的吸/释氢速率。为达到该目标,国内外学者开展了大量的研究工作并取得了阶段性进展[2,3]。研究表明,借助机械球磨方式向MgH2氢化物中掺杂少量过渡金属元素,可有效改善其释氢性能[4]。但以往研究大多认为过渡金属掺杂主要通过降低MgH2的释氢活化能,进而改善其释氢动力学性能,而关于过渡金属对MgH2释氢热力学性能的调控却鲜有文献报道。事实上,在球磨过程中,一些过渡金属原子极有可能固溶进MgH2晶格,其固溶势必会对MgH2释氢性能产生一定影响,然而在实验研究中,由于过渡金属在MgH2基体中的固溶度较低,人们往往忽略其作用。近期,Zou等[5]人采用电弧等离子体法制备了掺杂稀土元素的镁基纳米储氢复合体系,发现一些稀土原子替代了Mg原子进而固溶进Mg/MgH2晶格,导致Mg/MgH2晶格收缩,从而降低了Mg/MgH2体系的释氢焓与释氢温度,这很好地证实固溶原子在调控Mg/MgH2释氢热力学方面的重要性。但Zou等选取的稀土掺杂元素价格偏高,且电弧等离子体制备方法较为复杂,若选取价格便宜的过渡金属元素、且采用操作方便、技术成熟的机械球磨方式,将过渡金属元素固溶掺杂于MgH2,以此调控其热力学稳定性与释氢温度,将有助于推动廉价镁基氢化物储氢材料的实用化进程。参考文献:[1]JainIP,LalC,JainA.HydrogenstorageinMg:Amostpromisingmaterial,IntJHydrogenEnergy2010;35:5133-44.[2]ChengFY,TaoZL,LiangJ,ChenJ.EfficienthydrogenstoragewiththecombinationoflightweightMg/MgH2andnanostructures.ChemCommun2012;48:7334-43.[3]daConceicãoMOT,BrumMC,dosSantosDS.TheeffectofV,VCl3andVCcatalystsontheMgH2hydrogensorptionproperties.JAlloysCompd2014;586:S101-4.[4]ShaoH,FelderhoffM,SchüthF,WeidenthalerC.NanostructuredTi-catalyzedMgH2forhydrogenstorage.Nanotechnology2011;22:235401.[5]ZouJX,ZengXQ,YingYJ,ChenX,GuoH,ZhouS,DingWJ.Studyonthehydrogenstoragepropertiesofcore-shellstructuredMg-RE(RE=Nd,Gd,Er)nano-compositessynthesizedthrougharcplasmamethod.IntJHydrogenEnergy2013;38:2337-46。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种利用过渡金属固溶掺杂降低镁基氢化物释氢温度的方法。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现:1.将MgH2粉末与过渡金属Ti或Ni粉末以9:1的质量比混合,采用球磨机球磨;2.所述MgH2粉末的纯度为99.8wt.%,Ti和Ni粉末的纯度均为99.9wt.%;3.所述球磨机是行星式球磨机,球料比为30:1,球磨时间为6h,球磨转速为120rpm,球磨过程中为防止罐内温度过高,每球磨55分钟停歇5分钟,得到MgH2-Ti与MgH2-Ni储氢复合体系;4.该方法得到复合体系的颗粒尺寸达几百纳米级别,通过XRD图谱精修计算表明一些Ti或Ni原子固溶进MgH2基体中,导致其晶格收缩或膨胀;5.采用该方法得到MgH2基储氢复合体系较同等球磨条件下纯MgH2体系释氢温度大幅度降低,掺杂Ti和Ni的MgH2氢化物初始释氢温度分别降低了61.14℃与135.84℃。本专利技术具有以下特点:1.本专利技术使用的原材料氢化镁(MgH2),钛(Ti)和镍(Ni)属于商业化产品,原料容易得到,且价格便宜;2.机械球磨制备过程简单,操作方便;3.采用该方法可有效降低镁基氢化物的释氢温度。附图说明图1为本专利技术的实施例中MgH2,MgH2-10wt.%Ti,MgH2-10wt.%Ni球磨6h后的SEM照片。图2为本专利技术的实施例中MgH2,MgH2-10wt.%Ti,MgH2-10wt.%Ni球磨6h后的XRD图谱。图3为本专利技术的实施例中MgH2,MgH2-10wt.%Ti,MgH2-10wt.%Ni球磨6h后的DSC曲线。具体实施方式下面结合说明书附图和实施例1与实施例2对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。本专利技术提供的利用过渡金属固溶掺杂降低镁基氢化物释氢温度的方法,所用材料包括MgH2,Ti和Ni,主要按照下述步骤实现:(1)将MgH2粉末与过渡金属Ti或Ni粉末以9:1的质量比混合,放入球磨罐中;(2)采用机械球磨法,在球磨机上球磨,球料比为30:1,球磨时间为6h,球磨转速为120rpm,球磨过程中为防止罐内温度过高,每球磨55分钟停歇5分钟,得到MgH2-Ti与MgH2-Ni储氢复合体系。上述球磨机是行星式球磨机。实施例1:原料为市售氢化镁粉末(MgH2,纯度99.8wt.%),过渡金属粉末钛(Ti,纯度99.9wt.%);两者以9:1的质量比混合均匀,取3g的混合原料放入球磨罐内,磨球和混合原料比为30:1,球磨时间为6h,球磨转速为120rpm,球磨过程中为防止罐内温度过高,每球磨55分钟停歇5分钟。球磨后得到MgH2-10wt.%Ti复合体系的颗粒尺寸达到几百纳米级别,相对于同等球磨条件下的纯MgH2体系而言(见图1(a)),其颗粒尺寸明显细化且分布均匀(见图1(b));球磨产物由β-MgH2、TiH1.97、Mg、Ti多相组成(见图2(b));通过XRD图谱精修计算出该复合体系中β-MgH2相的晶格常数(见表1),与同等球磨条件下的纯MgH2体系相比,复合体系中β-MgH2相的晶格常数减小,表明一些Ti原子固溶进β-MgH2基体中,导致其晶格收缩;DSC分析结果发现,球磨复合体系的初始释氢温度(368.42℃)相对于同等球磨条件下的MgH2体系(429.56℃)降低了61.14℃。表1MgH2,MgH2-10wt.%Ti,MgH2-10wt.%本文档来自技高网
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一种利用过渡金属固溶掺杂降低镁基氢化物释氢温度的方法

【技术保护点】
一种利用过渡金属固溶掺杂降低镁基氢化物释氢温度的方法,其特征在于,包括以下步骤:        (1) 分别将MgH2粉末与过渡金属Ti或Ni粉末以9:1的质量比混合,放入球磨罐中;      (2) 采用机械球磨法,在球磨机上球磨,球料比为30:1,球磨时间为6h,球磨转速为120rpm,球磨过程中为防止罐内温度过高,每球磨55分钟停歇5分钟,得到MgH2‑Ti与MgH2‑Ni储氢复合体系。

【技术特征摘要】
1.一种利用过渡金属固溶掺杂降低镁基氢化物释氢温度的方法,其特征在于,包括以下步骤:a.分别将MgH2粉末与过渡金属Ni粉末以9:1的质量比混合,放入球磨罐中;b.采用机械球磨法,在球磨机上球磨,球料比为30:1,球磨时间为6h,球磨转速为120rpm,球磨过程中为防止罐内温度过高,每球磨55分钟停歇5分钟,得到MgH2-Ni储氢复合体系;所述方法得到的复合体系较同等球磨条件下的MgH2体系释氢温度大幅度降低,掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员:张健孙立芹毛聪李妮
申请(专利权)人:长沙理工大学
类型:发明
国别省市:湖南;43

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