The utility model discloses a continuous growth device for the vertical arrangement of the high temperature process cavity of the high temperature process cavity which reduces the influence of gravity on the quality of graphene. The continuous growth of graphene devices, including for feeding and discharging cavity cooling cooling cavity of the vacuum pump, discharge cooling chamber and discharging cooling chamber, and the transition chamber is vertically arranged in the first cavity, second high temperature process of high-temperature process cavity; both ends of the first and second ends of the high temperature process chamber temperature process the cavity are provided with uniform flow heat insulation device; the first high temperature process chamber and second high temperature process chamber is arranged on the heater; the graphene substrate feeding roller feeding graphene growth substrate passes through the discharge cooling zone guide roller, the first high temperature process chamber, a transition chamber, second cavity, high temperature process material guide roller cooling cavity of the final volume received the graphene substrate material receiving roller. The continuous growth equipment with this graphene can reduce the effect of gravity on the quality of the product, ensure the final quality of the graphene film and improve the production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
高温工艺腔竖向布置的石墨烯连续生长设备
本技术涉及一种石墨烯的生长设备,尤其是一种高温工艺腔竖向布置的石墨烯连续生长设备。
技术介绍
众所周知的:石墨烯虽然只有一个碳原子层厚,但由于其自身结构特性使其表现出诸多世界之最,如最薄、最轻、最坚韧、电阻率最小等,石墨烯被称为材料界的“黑金”,21世纪“新材料之王”。石墨烯薄膜的规模化制备,经过近几年的广泛研究,化学气相沉积法是规模化制备石墨烯薄膜最有前景的方法之一。CVD法制备高质量的石墨烯薄膜是在1000度左右的真空条件下将碳源加热分解成活性碳基团,然后Cu、Ni等过渡金属衬底上进一步分解生成石墨烯。然而,快速、连续规模化制备大面积、高质量石墨烯薄膜的方法一直没有取得大的突破,极大地限制了石墨烯制备效率和产量,阻碍了石墨烯薄膜产业快速发展的步伐。卷对卷生长石墨烯是一个动态生长过程,与片式静态生长有着本质上的区别。对于片材间歇式生长高质量的石墨烯通常是将石墨烯生长基底在其熔点附近进行长时间高退火,使多晶生长基底再次结晶,增加生长基底晶畴面积,有利于制备高质量的石墨烯薄膜。近几年虽然已有专利开始研究卷对卷制备石墨烯设备及工艺,但因为只设置一个高温工艺腔,退火和生长同时进行,很难实现高质量石墨烯的可控制备。对于一个高温工艺腔,如果先进行卷对卷高温退火,再倒回来进行卷对卷石墨烯生长,严重影响石墨烯生长效率。此外,之前专利均未考虑高温热辐射对密封装置影响和工艺腔内气体均匀分布问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种能够将石墨烯生长基底高温退火预处理与高温生长同步进行,同时减小重力作用对石墨烯生长基底表面形貌及外观 ...
【技术保护点】
高温工艺腔竖向布置的石墨烯连续生长设备,包括放料冷却腔(1)、收料冷却腔(4)以及用于所述放料冷却腔(1)和收料冷却腔(4)抽真空的真空泵(7);所述放料冷却腔(1)内设置有石墨烯生长基底放料辊(11)和放料冷却区导向辊(12),所述收料冷却腔(4)内设置有石墨烯基底收料辊(41)以及收料冷却腔导向辊(42);其特征在于:还包括第一高温工艺腔(2)、第二高温工艺腔(3)以及过渡腔(5);所述第一高温工艺腔(2)的两端和第二高温工艺腔(3)的两端均设置有匀流隔热装置(9);所述第一高温工艺腔(2)和第二高温工艺腔(3)上均设置有加热器(10);所述第一高温工艺腔(2)与第二高温工艺腔(3)均竖向布置;所述第一高温工艺腔(2)一端与放料冷却腔(1)连接且连通,另一端与过渡腔(5)连接且连通,所述第二高温工艺腔(3)一端与过渡腔(5)连接且连通,另一端与收料冷却腔(4)连接且连通;所述过渡腔(5)内第一高温工艺腔(2)以及第二高温工艺腔(3)对应的位置均设置有过渡辊(52);石墨烯生长基底放料辊(11)上放料石墨烯生长基底(6)依次经过放料冷却区导向辊(12)、第一高温工艺腔(2)、过渡腔( ...
【技术特征摘要】
1.高温工艺腔竖向布置的石墨烯连续生长设备,包括放料冷却腔(1)、收料冷却腔(4)以及用于所述放料冷却腔(1)和收料冷却腔(4)抽真空的真空泵(7);所述放料冷却腔(1)内设置有石墨烯生长基底放料辊(11)和放料冷却区导向辊(12),所述收料冷却腔(4)内设置有石墨烯基底收料辊(41)以及收料冷却腔导向辊(42);其特征在于:还包括第一高温工艺腔(2)、第二高温工艺腔(3)以及过渡腔(5);所述第一高温工艺腔(2)的两端和第二高温工艺腔(3)的两端均设置有匀流隔热装置(9);所述第一高温工艺腔(2)和第二高温工艺腔(3)上均设置有加热器(10);所述第一高温工艺腔(2)与第二高温工艺腔(3)均竖向布置;所述第一高温工艺腔(2)一端与放料冷却腔(1)连接且连通,另一端与过渡腔(5)连接且连通,所述第二高温工艺腔(3)一端与过渡腔(5)连接且连通,另一端与收料冷却腔(4)连接且连通;所述过渡腔(5)内第一高温工艺腔(2)以及第二高温工艺腔(3)对应的位置均设置有过渡辊(52);石墨烯生长基底放料辊(11)上放料石墨烯生长基底(6)依次经过放料冷却区导向辊(12)、第一高温工艺腔(2)、过渡腔(5)中的过渡辊(52)、第二高温工艺腔(3)、收料冷却腔导向辊(42)最终卷收到石墨烯基底收料辊(41)上。2.如权利要求1所述的高温工艺腔竖向布置的石墨烯连续生长设备,其特征在于:所述过渡腔(5)内设置有检测石墨烯生长基底(6)张力的张力检测装置(51)。3.如权利要求1所述的高温工艺腔竖向布置的石墨烯连续生长设备,其特征在于:所述收料冷却腔导向辊(42)采用水冷导向辊。4...
【专利技术属性】
技术研发人员:李占成,伍俊,史浩飞,李昕,黄德萍,段银武,张永娜,余杰,
申请(专利权)人:重庆墨希科技有限公司,
类型:新型
国别省市:重庆,50
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