一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置。阵列基板的制备方法包括：在衬底基板的一侧形成钝化层的膜层；在所述钝化层的膜层上形成金属反射层的图形；通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并在所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域。在形成钝化层过孔的构图工艺过程中，同时在金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域，可将电极覆盖区内的至少一部分保护膜去除，从而可提高电极覆盖区域的导电性能，改善了由于金属反射层的表面形成的保护膜导致的导电材料和金属反射层之间的接触导电性降低、进而导致显示装置产生亮暗不均的问题。

An array substrate preparation method and array substrate and display device

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置。
技术介绍
液晶显示装置根据其使用的光源不同，可分为透射式、全反射式和半透半反式。其中，全反射式显示装置以前置光源或者环境光源作为光源，不需使用背光源，因此功耗较低。在TN(TwisteDnematic)模式的全反射式液晶显示装置中，通过在其阵列基板的表面设置一层金属反射层来对外界入射的光线进行反射，该阵列基板需要通过6次光刻工艺制成，6次光刻工艺依次形成栅极层、有源层、源漏电极层、钝化层、连接线层和金属反射层的图形，其中，金属反射层还用作像素电极，在钝化层上需形成过孔，具体包括阵列基板的显示区域中连接薄膜晶体管漏极和像素电极的过孔、以及外围集成电路区域中的转接过孔，在转接过孔内设有连接线层。在金属反射层图形的制备过程中，由于连接线层的致密性不足，转接过孔内的连接线层易被金属反射层的刻蚀液腐蚀。现有的解决方法为在钝化层的膜层形成之后首先形成金属反射层的图形，再形成钝化层过孔，可避免金属反射层的刻蚀液对连接线层过孔造成腐蚀。由于金属反射层还用作像素电极，在后续制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板的一侧形成钝化层的膜层；在所述钝化层的膜层上形成金属反射层的图形；通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并在所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板的一侧形成钝化层的膜层；在所述钝化层的膜层上形成金属反射层的图形；通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并在所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并在所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域，具体包括：在所述金属反射层和所述钝化层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，去除所述光刻胶层中与所述钝化层过孔对应的区域、以及与所述电极覆盖区的至少一部分对应的区域；对所述金属反射层和所述钝化层进行刻蚀，在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并减薄所述电极覆盖区的至少一部分。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述减薄区域的面积小于所述电极覆盖区的面积。4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述减薄区域的面积大于或等于所述电极覆盖区的面积。5.根据权利要求2所述的阵列基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周刚，杨小飞，沈武林，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11