分布反馈半导体激光器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种分布反馈（DFB）半导体激光器。所述DFB半导体激光器包括光栅和输出光端面，该光栅位于条状波导的欧姆接触层和波导上限制层两侧，由周期性的半导体和绝缘材料构成；所述输出光端面为刻蚀形成的垂直于衬底表面的端面，所述DFB半导体激光器无需解离就可以进行端面镀膜。本发明专利技术还涉及上述DFB半导体激光器的制备方法，所述DFB半导体激光器在整个制备方法中只需要一次外延，通过刻蚀波导两侧的欧姆接触层和上限制层、并填充绝缘材料实现所述DFB半导体激光器的光栅，通过刻蚀波导两端的上限制层、有源层、下限制层和一部分衬底以及整个晶片镀膜实现DFB半导体激光器的输出光端面。

Distributed feedback semiconductor laser and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
分布反馈半导体激光器及其制备方法
本专利技术涉及一种半导体激光器及其制备方法，尤其涉及一种分布反馈（DFB）半导体激光器及其制备方法。
技术介绍
DFB半导体激光器是在半导体激光器内部建立一个布拉格光栅，光栅分布在整个谐振腔中，利用光栅的选频特性对纵模进行选择，光波获得增益同时得到反馈。再加上横模结构的限制，从而实现纵模和横模的完全单模。由于光栅的选频特性，不同波长的激光的谐振腔损耗差别较大，因此在高速调制的情况下仍能保持完全单模状态，即动态单模。目前，人们普遍采用内置光栅的结构、多次外延的方法制作DFB半导体激光器。所谓外延，指的是利用晶体生长动力学原理在衬底晶体上按照其晶格生长单晶薄膜的过程。在光电子材料中常用的外延方法主要有液相外延（LPE）、分子束外延（MBE）以及金属有机化合物化学气相外延（MOVPE）等技术。传统的DFB半导体激光器，在制作光栅之前，首先在衬底上外延生长一次（一次外延）；光栅制作完毕之后再进行至少一次的外延（二次外延）；外延结束以后，再经过其它后部工艺，才能制作出DFB半导体激光器。外延工艺需要耗费大量原材料，加之设备昂贵，所以此工序成本较高。而且，由于外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DFB半导体激光器，包括光栅和两个端面，其特征在于：所述光栅为表面光栅，所述端面为刻蚀形成的端面。

【技术特征摘要】
1.一种DFB半导体激光器，包括光栅和两个端面，其特征在于：所述光栅为表面光栅，所述端面为刻蚀形成的端面。2.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于：所述DFB半导体激光器包括一个条状波导的欧姆接触层和波导上限制层，所述光栅位于所述条形波导的欧姆接触层和波导上限制层的两侧，由周期性排列的半导体区域和绝缘填充区域构成，形成用于纵模选择的折射率耦合表面光栅和横模选择的脊波导。3.根据权利要求2所述的DFB半导体激光器，其特征在于：所述DFB半导体激光器在使用时，电流从所述光栅的半导体区域注入，而不从所述绝缘填充区域注入，形成含有增益耦合机制的表面光栅。4.根据权利要求1至权利要求3中任一项权利要求所述的DFB半导体激光器，其特征在于：所述DFB半导体激光器进一步包括一衬底，该衬底具有一平行于DFB半导体激光器的波导方向的表面，所述端面与所述衬底的所述表面垂直。5.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于：所述DFB半导体激光器进一步包括抗反射膜，所述端面在无需解离衬底的情况下镀所述抗反射膜。6.根据权利要求1所述的DFB半导体激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：王健，罗毅，孙长征，熊兵，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11