一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，包括：基板；形成在所述基板上的阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域，从而解决了因“咖啡环”效应导致膜层不均匀的问题。

An array substrate and its preparation method and display panel

The present invention provides an array substrate and a preparation method thereof, the display panel includes a substrate on the substrate; the anode layer and the first pixel defining layer is formed; covering the light emitting layer on the anode layer; in the first second pixel pixel defining layer on the definition of the second layer is formed. The pixel defining layer covering the luminous layer edge region, so as to solve the problem of uneven film caused by the \coffee ring\ effect.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
在显示
中，现有的显示器件中的膜层制作方法主要包括喷墨印刷、微转印印刷、旋涂等。采用其中的喷墨印刷等方法制备膜层时，当膜层溶液滴落到像素区后，靠近像素界定层的液面会略高于中间区域，造成边缘厚度高于中间厚度，即会出现咖啡环效应，由于“咖啡环”效应的存在，将导致像素区内形成的膜层出现中间薄，两边厚，也即膜层不均匀，从而使显示器件的显示亮度不均匀。
技术实现思路
本专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决目前形成膜层时，因“咖啡环”效应导致膜层不均匀的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种阵列基板，包括：基板；形成在所述基板上的阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。优选的，所述第二像素界定层在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层在所述基板上的正投影。优选的，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构。优选的，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构包括：所述第一像素界定层包括靠近所述基板的第一部分和远离所述基板的第二部分，所述第二部分在所述基板上的正投影部分覆盖所述第一部分在所述基板上的正投影，并部分覆盖所述第二像素界定层在所述基板上的正投影；所述发光层的边缘区域形成在由所述第二像素界定层、所述第一部分和所述第二部分形成的间隙中。优选的，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构包括：所述第一像素界定层呈阶梯结构且阶梯宽度沿远离所述基板的方向递减。优选的，所述第二像素界定层采用黑色光阻材料。优选的，所述发光层为量子点发光层或有机发光层。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种显示面板，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种阵列基板的制备方法，包括：在基板上形成阳极层以及第一像素界定层；在所述阳极层上形成发光层；在所述第一像素界定层上形成第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。优选的，所述在所述第一像素界定层上形成第二像素界定层的步骤包括：通过激光转印方式在所述第一像素界定层上形成所述第二像素界定层，并且所述第二像素界定层在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层在所述基板上的正投影。优选的，所述在基板上形成第一像素界定层的步骤包括：通过激光转印方式在基板上形成所述第一像素界定层，并且所述第一像素界定层呈现阶梯结构且阶梯宽度沿远离所述基板的方向递减。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：本专利技术提供的阵列基板包括：在基板上形成阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。通过第二像素界定层覆盖发光层的边缘区域，使得发光层边缘的不均匀区域部分被遮挡，从而使发光层的均匀部分用于显示区域，从而避免了因出现咖啡环效应导致膜层不均匀的问题，同时也避免了显示器件亮度不均匀的问题。当然，实施本专利技术的任一产品不一定需要同时达到以上所述的所有优点。附图说明图1是本专利技术实施例一所述一种阵列基板的结构框图；图2是本专利技术实施例二所述一种阵列基板的结构框图；图3是本专利技术实施例三所述一种阵列基板的结构框图；图4是本专利技术实施例五所述一种阵列基板的制备方法的流程图；图5是本专利技术形成阳极层以及第一像素界定层的结构示意图；图6是本专利技术在阳极层上形成发光层的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一参见图1，其示出了本专利技术实施例一所述一种阵列基板的结构框图，具体包括：基板1，然后图案化在所述基板1上形成阳极层5及第一像素界定层7，覆盖在所述阳极层5上的发光层6，形成在所述第一像素界定层7上的第二像素界定层8，所述第二像素界定层8覆盖所述发光层的边缘区域9。在实际应用中，基板1可以是制作完成薄膜晶体管阵列的基板，也可以是其他基板，对此本专利技术不做具体限制，该薄膜晶体管包括源极2、漏极3和栅极4。所述第一像素界定层7为正梯形结构，且所述第一像素界定层7上横截面的正投影小于等于下横截面在基板上的正投影。第一像素界定层7的材料可以为有机硅、二氧化硅SiO2等材料，也可以为其他材料，对此本专利技术不做具体限制。阳极层的材料可以为镁、铜、银、氧化铟锡中的至少一种，对此本专利技术不做具体限制。所述发光层6为量子点发光层或有机发光层。在实际应用中，由于第一像素界定层的存在，这样在形成发光层的时，会在第一像素界定层的周围产生不均匀的区域，将第一像素界定层的周围产生不均匀的区域称为发光层的边缘区域，所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板1上的正投影，这样第二像素界定层8可以将发光层的边缘区域9完全遮挡，这样可以避免发光层出现中间薄，两边厚，也即膜层不均匀，从而显示器件的显示亮度不均匀的问题。在实际应用中，所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板1上的正投影，同时第一像素界定层7在基板1上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板1上的正投影，或者第二像素界定层8在基板1上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板1上的正投影，这样可以防止薄膜晶体管产生漏电流。第二像素界定层8的材料可以与第一像素界定层7的材料相同，可以为有机硅、二氧化硅SiO2等材料，第二像素界定层8的材料也可以与第一像素界定层的材料不同，所述第二像素界定层8采用黑色光阻材料，该黑色光阻材料为树脂、聚酰亚胺等材料。本实施例，提供的阵列基板包括：在基板上形成阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。通过第二像素界定层覆盖发光层的边缘区域，使得发光层边缘的不均匀区域部分被遮挡，从而使发光层的均匀部分用于显示区域，从而避免了因出现咖啡环效应导致膜层不均匀的问题，同时也避免了显示器件亮度不均匀的问题。实施例二参见图2，其示出了本专利技术实施例二所述一种阵列基板的结构框图，该阵列基板与实施例一所述的阵列基板基本相同，相同部分可以参照实施例一中的内容即可，本实施例二主要说明与实施例一的不同之处，不同之处主要在于第一像素界定层7和第二像素界定层8的结构不同。本实施例二中，第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构，渐缩结构是指第一像素界定层的横截面在所述基板上呈现递减的方式，该渐缩结构具体包括：第一像素界定层7采用的是上窄下宽结构，即所述第一像素界定层7包括靠近所述基板的第一部分和远离所述基板的第二部分，所述第二部分在所述基板上的正投影部分覆盖所述第一部分在所述基板上的正投影，并部分覆盖所述第二像素界定层在所述基板上的正投影；所述发光层的边缘区域形成在由所述第二像素界定层、所述第一部分和所述第二部分形成的间隙中。第二像素界定层8采用的是长方形结构，所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板1上的正投影，这样第二像素界定层8可以将发光层的边缘区域9完全遮挡，避免了咖啡环效应的产生。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素界定层在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层在所述基板上的正投影。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构包括：所述第一像素界定层包括靠近所述基板的第一部分和远离所述基板的第二部分，所述第二部分在所述基板上的正投影部分覆盖所述第一部分在所述基板上的正投影，并部分覆盖所述第二像素界定层在所述基板上的正投影；所述发光层的边缘区域形成在由所述第二像素界定层、所述第一部分和所述第二部分形成的间隙中。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构包括：所述第一像素界定层呈阶梯结构且阶梯宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉欣，程鸿飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11