OLED显示器的制作方法及OLED显示器技术

本发明专利技术提供一种OLED显示器的制作方法及OLED显示器。该OLED显示器的制作方法，在TFT基板的阳极层上形成防反射层，而后再在防反射层及TFT基板上涂布负性光阻材料，并对负性光阻材料进行曝光及显影形成像素定义层，由于防反射层的存在，能够有效避免在采用两层氧化铟锡夹一层银的结构的阳极层时，对负性光阻材料进行曝光的曝光光线被阳极层反射至与像素区域对应的负性光阻材料上使像素区域产生光阻残留，从而使后续制作在像素区域内的OLED发光层的膜厚均匀，提升OLED显示器的显示品质。

The method of making OLED display and OLED display

The invention provides a method for making a OLED display and a OLED display. The manufacturing method of the OLED display, forming an anti reflection layer on the anode layer on TFT substrate, then the anti reflection layer and TFT substrate coated on negative photoresist material and negative photoresist by exposing and developing a pixel defining layer, the anti reflective layer, can avoid the anode layer the structure of a layer of silver in the two layer of indium tin oxide effectively, the negative photoresist exposure light exposure by negative photoresist layer and the anode is reflected to the corresponding pixel area on the pixel region to produce photoresist residue, and subsequent production in the pixel region of OLED emitting layer the film thickness uniformity, improve display quality of OLED display.

【技术实现步骤摘要】
OLED显示器的制作方法及OLED显示器
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示器的制作方法及OLED显示器。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供TFT基板(100)；所述TFT基板(100)包括衬底基板(110)、及设于衬底基板(110)上的阳极层(120)；步骤S2、在所述TFT基板(100)上形成防反射层(200)，对所述防反射层(200)进行图案化，形成多个暴露阳极层(120)的第一开口(210)；步骤S3、在所述TFT基板(100)及防反射层(200)上形成一层负性光阻材料层(800)，对所述负性光阻材料层(800)进行曝光及显影制程，形成像素定义层(300)；所述像素定义层(300)上设有贯穿像素定义层(300)且对应位于多个第一开口(210)上的多个第二...

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供TFT基板(100)；所述TFT基板(100)包括衬底基板(110)、及设于衬底基板(110)上的阳极层(120)；步骤S2、在所述TFT基板(100)上形成防反射层(200)，对所述防反射层(200)进行图案化，形成多个暴露阳极层(120)的第一开口(210)；步骤S3、在所述TFT基板(100)及防反射层(200)上形成一层负性光阻材料层(800)，对所述负性光阻材料层(800)进行曝光及显影制程，形成像素定义层(300)；所述像素定义层(300)上设有贯穿像素定义层(300)且对应位于多个第一开口(210)上的多个第二开口(310)，多个第二开口(310)及其下方的第一开口(210)在TFT基板(100)上限定出多个像素区域(101)；步骤S4、在所述TFT基板(100)的多个像素区域(101)内形成OLED发光层(400)。2.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述阳极层(120)为两层氧化铟锡夹一层银的结构。3.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述防反射层(200)的材料为有机光阻；所述步骤S2中对防反射层(200)进行图案化具体为：对防反射层(200)进行曝光及显影制程，在防反射层(200)上形成多个第一开口(210)。4.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述防反射层(200)的材料为无机遮光材料；所述步骤S2中对防反射层(200)进行图案化具体为：在防反射层(200)上涂布光阻层，对光阻层进行曝光及显影，以显影后的光阻层为遮挡对防反射层(200)进行蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐甲，张晓星，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44